原標(biāo)題：東芝的碳化硅功率模塊新技術(shù)提高了可靠性的同時(shí)減小了尺寸

東芝的碳化硅（SiC）功率模塊新技術(shù)確實(shí)在提高可靠性的同時(shí)減小了尺寸，這一技術(shù)的創(chuàng)新主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

一、技術(shù)背景與優(yōu)勢(shì)

1. 碳化硅材料特性：

• 碳化硅相比傳統(tǒng)硅材料，具有更高的電壓承受能力和更低的損耗，因此被廣泛視為功率器件的新一代材料。

• 然而，碳化硅器件的可靠性一直是其應(yīng)用受限的主要問題之一，特別是在高壓功率模塊中，封裝本身也必須具備高度的可靠性。

2. 東芝新技術(shù)：

• 東芝通過一種全新的銀（Ag）燒結(jié)技術(shù)進(jìn)行芯片焊接，實(shí)現(xiàn)了有效提高封裝可靠性的目標(biāo)。

• 銀燒結(jié)技術(shù)可以顯著降低焊接性能劣化，抑制芯片中隨時(shí)間推移而增加的導(dǎo)通電阻。

• 銀燒結(jié)層的熱電阻僅為焊接層的一半，使模塊中的芯片可以更加緊密地靠近，從而縮小了尺寸。

二、新技術(shù)應(yīng)用與成果

1. iXPLV封裝技術(shù)：

• 東芝將這一新技術(shù)命名為iXPLV，并成功應(yīng)用于3.3kV級(jí)碳化硅功率模塊的批量生產(chǎn)。

• 該技術(shù)不僅提高了產(chǎn)品的可靠性，還減少了20%的封裝尺寸。

2. 量產(chǎn)碳化硅模塊：

• 東芝已經(jīng)量產(chǎn)了覆蓋1200V、1700V、2200V、3300V電壓等級(jí)的碳化硅模塊產(chǎn)品。

• 這些產(chǎn)品采用了iXPLV封裝技術(shù)，具有低雜散電感、低熱阻、高可靠性等特點(diǎn)。

3. 第三代SiC產(chǎn)品：

• 東芝的第三代SiC產(chǎn)品采用了MOS中內(nèi)置SBD的技術(shù)路線，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品差異化。

• 這些產(chǎn)品具有低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、高可靠性等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于充電樁、數(shù)據(jù)中心、新能源發(fā)電、馬達(dá)等領(lǐng)域。

三、市場(chǎng)影響與未來展望

1. 市場(chǎng)影響：

• 東芝的碳化硅功率模塊新技術(shù)提高了產(chǎn)品的可靠性和性能，滿足了更多不同客戶的需求。

• 該技術(shù)還有助于減小設(shè)備的功率損耗和冷卻裝置的尺寸，降低了系統(tǒng)的整體成本。

2. 未來展望：

• 隨著清潔能源需求的不斷增長(zhǎng)，包括新能源發(fā)電、輸配電、列車牽引等領(lǐng)域?qū)?huì)有更大的市場(chǎng)增長(zhǎng)空間。

• 東芝將繼續(xù)在碳化硅領(lǐng)域進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，以滿足市場(chǎng)對(duì)更高效、更可靠功率器件的需求。

• 同時(shí)，東芝也將加強(qiáng)與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的合作，共同推動(dòng)碳化硅功率器件的應(yīng)用和發(fā)展。

綜上所述，東芝的碳化硅功率模塊新技術(shù)在提高可靠性的同時(shí)減小了尺寸，為市場(chǎng)帶來了差異化產(chǎn)品，滿足了更多不同客戶的需求。該技術(shù)不僅有助于降低系統(tǒng)的整體成本和提高性能，還為東芝在碳化硅領(lǐng)域的未來發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。