安森美NTP110N65S3HF 650V 30A superet III Power MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用


原標(biāo)題:安森美NTP110N65S3HF 650V 30A superet III Power MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
安森美NTP110N65S3HF是一款650V 30A的SUPERFET? III功率MOSFET,以下是對其的詳細(xì)介紹、特性及應(yīng)用:
一、介紹
安森美NTP110N65S3HF是一款高電壓超級結(jié)(SJ)MOSFET,它采用了電荷平衡技術(shù),實(shí)現(xiàn)了出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這款MOSFET是安森美半導(dǎo)體SUPERFET? III系列的一部分,該系列以其高性能和可靠性而著稱。
二、特性
高電壓與電流能力:
漏極-源極額定電壓(VDSS)為650V,連續(xù)漏極電流(ID)為30A,適用于高電壓和高電流的應(yīng)用場景。
低導(dǎo)通電阻:
典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))為98mΩ(在TJ=150°C時(shí)),有助于降低功耗和提高效率。
低柵極電荷:
典型柵極電荷(Qg)為62nC,有助于實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)操作,減少開關(guān)損耗。
優(yōu)化的反向恢復(fù)體二極管性能:
減少了額外需要的元件數(shù)量,并提高了系統(tǒng)可靠性。
高系統(tǒng)可靠性:
可在低溫下運(yùn)行,并在LLC和相移全橋電路中具有較高的系統(tǒng)可靠性。
符合RoHS指令:
無鉛設(shè)計(jì),符合環(huán)保要求。
其他特性:
700V(在TJ=150°C時(shí))的電壓承受能力。
低有效輸出電容(Coss(eff.)),典型值為522μF。
出色的體二極管性能,包括低反向恢復(fù)電荷(Qrr)和堅(jiān)固的體二極管結(jié)構(gòu)。
優(yōu)化的電容特性,降低峰值Vds和Vgs振蕩。
100%經(jīng)過雪崩測試,確保器件的可靠性。
三、應(yīng)用
電信/服務(wù)器電源:
用于電信設(shè)備和服務(wù)器的高效電源系統(tǒng)。
工業(yè)電源:
適用于各種工業(yè)應(yīng)用中的電源系統(tǒng),如電機(jī)驅(qū)動器、不間斷電源(UPS)等。
電動汽車充電器:
在電動汽車充電器中提供高效、可靠的功率轉(zhuǎn)換。
UPS/太陽能:
用于不間斷電源系統(tǒng)和太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)和轉(zhuǎn)換。
綜上所述,安森美NTP110N65S3HF 650V 30A SUPERFET? III功率MOSFET以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為高電壓、高電流應(yīng)用場景中的優(yōu)選器件。
責(zé)任編輯:David
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