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mini-circuits TAV2-14LN+ MMIC E-PHEMT晶體管的介紹、特性、及應(yīng)用

來源: hqbuy
2021-08-04
類別:基礎(chǔ)知識
eye 114
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:mini-circuits TAV2-14LN+ MMIC E-PHEMT晶體管的介紹、特性、及應(yīng)用

Mini-Circuits TAV2-14LN+ MMIC E-PHEMT晶體管是一款性能卓越的微波單片集成電路(MMIC)產(chǎn)品,以下是該晶體管的詳細(xì)介紹、特性以及應(yīng)用領(lǐng)域:

一、介紹

Mini-Circuits TAV2-14LN+ MMIC E-PHEMT晶體管是一款結(jié)合了高增益和極低噪聲系數(shù)的晶體管,專為通信系統(tǒng)中的靈敏接收器設(shè)計(jì)。它采用高度可重復(fù)的E-PHEMT(贗高電子遷移率晶體管)技術(shù)制造,確保了出色的性能和可靠性。

二、特性

  1. 工作頻率范圍:該晶體管的工作頻率范圍為0.05GHz至10GHz(部分資料提到可用于12GHz),覆蓋了廣泛的通信頻段。

  2. 噪聲系數(shù)(NF):低噪聲系數(shù)是TAV2-14LN+的一個(gè)顯著特點(diǎn),其典型值在6GHz時(shí)為0.6dB,有助于降低整體系統(tǒng)噪聲,提升信號質(zhì)量。

  3. 增益:在6GHz、4V的條件下,該晶體管的增益典型值為16.4dB,展現(xiàn)出良好的信號放大能力。

  4. 輸出三階截?cái)帱c(diǎn)(OIP3):在6GHz、4V時(shí),該晶體管的輸出三階截?cái)帱c(diǎn)(OIP3)高達(dá)+30.9dBm,說明其具有良好的線性度和抗干擾能力。

  5. 1dB壓縮輸出功率:在6GHz、4V的條件下,其1dB壓縮輸出功率為+18.8dBm,體現(xiàn)了在較高功率輸出時(shí)的穩(wěn)定性。

  6. 封裝形式:采用緊湊的2mm x 2mm MCLP封裝,便于集成和布局。

  7. 外部偏置和匹配:該晶體管需要外部偏置和匹配電路以實(shí)現(xiàn)最佳性能。


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三、應(yīng)用領(lǐng)域

Mini-Circuits TAV2-14LN+ MMIC E-PHEMT晶體管因其出色的性能,廣泛應(yīng)用于多種通信系統(tǒng)中,包括但不限于:

  • 5G蜂窩電話:在5G通信網(wǎng)絡(luò)中,該晶體管可用于接收和放大信號,提升通信質(zhì)量。

  • GSM、WCDMA、WiMax:這些無線通信技術(shù)均可利用TAV2-14LN+晶體管的低噪聲和高增益特性。

  • 無線局域網(wǎng)(WLAN):在無線局域網(wǎng)中,該晶體管有助于實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)距離、更高質(zhì)量的無線連接。

  • UNII和HIPERLAN:這些高級無線局域網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)同樣可以利用TAV2-14LN+晶體管的優(yōu)越性能。

此外,該晶體管還適用于工業(yè)控制、醫(yī)療器械等領(lǐng)域中需要高靈敏度、低噪聲接收器的場景。

綜上所述,Mini-Circuits TAV2-14LN+ MMIC E-PHEMT晶體管以其出色的性能特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在通信系統(tǒng)和相關(guān)領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。

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責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: TAV2-14LN+ E-PHEMT 晶體管

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