原標(biāo)題：ST 和Exagan開啟GaN發(fā)展新篇章

ST（意法半導(dǎo)體）和Exagan開啟GaN（氮化鎵）發(fā)展新篇章，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

一、技術(shù)合作與并購

1. 并購背景：

• ST在2020年3月簽署了協(xié)議，收購法國GaN供應(yīng)商Exagan的多數(shù)股權(quán)。這一舉措是ST在功率化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域長期承諾的延續(xù)，旨在推動(dòng)GaN技術(shù)在汽車、工業(yè)和消費(fèi)市場的應(yīng)用。

• Exagan是一家在外延層生長技術(shù)方面具有獨(dú)特專業(yè)知識(shí)的創(chuàng)新型企業(yè)，也是少數(shù)能夠在8英寸（200毫米）晶圓上大規(guī)模部署和生產(chǎn)GaN功率器件的公司之一。

2. 技術(shù)融合：

• 通過并購Exagan，ST獲得了其在外延工藝、產(chǎn)品開發(fā)和應(yīng)用方面的專業(yè)知識(shí)，進(jìn)一步鞏固了ST在GaN技術(shù)領(lǐng)域的地位。

• ST正在將Exagan的技術(shù)融入其現(xiàn)有晶圓廠，無需投入巨資采購專門的制造設(shè)備，從而提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)能。

二、產(chǎn)品創(chuàng)新與推出

1. MASTERGAN系列：

• ST在并購Exagan后，推出了MASTERGAN系列產(chǎn)品，這是業(yè)內(nèi)首個(gè)也是唯一一個(gè)帶有兩個(gè)增強(qiáng)型（E-mode）GaN晶體管的系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品。

• MASTERGAN1是該系列的首款產(chǎn)品，采用600V系統(tǒng)級(jí)封裝，在半橋拓?fù)渲屑闪艘粋€(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)增強(qiáng)型GaN晶體管，為筆記本電腦和智能手機(jī)等提供了具有成本效益的電源解決方案。

2. 產(chǎn)品優(yōu)勢：

• GaN器件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，與同尺寸的硅基器件相比，能夠處理更大的負(fù)載，能效更高，物料清單成本更低。

• GaN器件在高頻、高溫和高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)出色，適用于高功耗高密度系統(tǒng)、大數(shù)據(jù)服務(wù)器和計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域。

三、市場應(yīng)用與前景

1. 市場接受度提高：

• 隨著GaN技術(shù)的不斷成熟和成本的不斷降低，越來越多的工程師和制造商開始接受并采用GaN器件。

• GaN器件頻繁地出現(xiàn)在日常用品中，如手機(jī)充電器等終端產(chǎn)品，用戶也開始探索和揭秘GaN技術(shù)的好處。

2. 未來展望：

• ST和Exagan的合作將加速GaN技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用，推動(dòng)GaN器件在消費(fèi)、工業(yè)、電信和汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

• 通過整合雙方的技術(shù)和資源，ST將能夠制定明確的未來十年產(chǎn)品開發(fā)路線圖，為GaN技術(shù)的長期發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

四、面臨的挑戰(zhàn)與解決方案

1. 設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)：

• GaN器件的特性要求開發(fā)人員在設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮更多的因素，如柵極驅(qū)動(dòng)、電壓和電流轉(zhuǎn)換速率、噪聲源和耦合布局等。

• ST和Exagan通過提供全面的技術(shù)支持和培訓(xùn)，幫助工程師更好地掌握GaN器件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用。

2. 供應(yīng)鏈問題：

• 某些工業(yè)產(chǎn)品制造商可能會(huì)因擔(dān)心潛在的PCB重新設(shè)計(jì)或采購問題而避免使用GaN器件。

• ST和Exagan通過提高產(chǎn)品良率和規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益，以及提供可靠的供應(yīng)鏈支持，幫助制造商克服這些障礙。

綜上所述，ST和Exagan的合作為GaN技術(shù)的發(fā)展開啟了新的篇章，通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品推出和市場應(yīng)用等方面的努力，推動(dòng)了GaN技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用和發(fā)展。