原標題：UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET

UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo的一部分）作為領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商，于2021年推出了業(yè)界最佳的6mΩ SiC FET，這一舉措顯著響應(yīng)了電源設(shè)計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的需求。以下是關(guān)于UnitedSiC推出6mΩ SiC FET的詳細介紹：

一、產(chǎn)品特點

1. 極低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：

• 該6mΩ SiC FET的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET競爭產(chǎn)品的一半，展示了其在傳導(dǎo)效率上的顯著優(yōu)勢。

• UnitedSiC還發(fā)布了一系列不同導(dǎo)通電阻的SiC器件，包括6、9、11、23、33和44mΩ等多種選項，以滿足不同客戶的多元化需求。

2. 短路耐受能力：

• 該SiC FET具有業(yè)界最優(yōu)的5μs額定短路耐受時間，能夠更好地保護功率器件，配合驅(qū)動器短路防護功能，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性。

3. 封裝形式：

• 產(chǎn)品提供多種封裝選項，包括TO-247-4L和TO-247-3L等，這些封裝方案為設(shè)計人員提供了更大的設(shè)計靈活性。

4. 獨特技術(shù)架構(gòu)：

• UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓撲結(jié)構(gòu)，內(nèi)部集成了一個SiC JFET和一個硅MOSFET，實現(xiàn)了高速、低損耗和高溫工作的能力，同時保持了簡單、穩(wěn)定和魯棒的柵極驅(qū)動，并具有集成的ESD保護。

二、性能優(yōu)勢

1. 品質(zhì)因數(shù)（FoM）：

• 在衡量每單位芯片面積的傳導(dǎo)損耗的指標RDS(on)×A上，第4代SiC FET在高低裸片溫度下均可達到市場最低值。

• RDS(on)×EOSS/QOSS這一FoM在硬開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，其值僅為最接近的競爭對手值的一半。

• RDS(on)×COSS(tr)這一FoM在軟開關(guān)應(yīng)用中至關(guān)重要，UnitedSiC的750V器件與競爭對手的650V器件相比，具有顯著優(yōu)勢。

2. 熱性能：

• 通過先進的晶圓減薄技術(shù)和銀燒結(jié)貼片工藝，第4代SiC FET降低了從裸片到外殼的熱阻，能夠在要求苛刻的應(yīng)用中實現(xiàn)最大功率輸出，同時保持低芯片溫升。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

1. 電動汽車：

• 適用于電動汽車中的牽引驅(qū)動器、車載和非車載充電器等，能夠顯著降低功率損耗并減輕重量。

• 在牽引逆變器應(yīng)用中，相比傳統(tǒng)的IGBT系統(tǒng)，采用UnitedSiC的SiC FET可以在滿負載狀態(tài)下將損耗降低至前者的1/3，在輕載或中載場合時損耗僅為IGBT的1/5~1/6。

2. 可再生能源：

• 適用于可再生能源逆變器、功率因數(shù)校正等場合，提高系統(tǒng)效率。

3. IT基礎(chǔ)設(shè)施：

• 在數(shù)據(jù)中心PFC和DC/DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用中，由于UnitedSiC產(chǎn)品采用特有的Casecode結(jié)構(gòu)，客戶可以在現(xiàn)有的設(shè)計基礎(chǔ)下直接切換到SiC，實現(xiàn)效率的提升。

四、總結(jié)

UnitedSiC推出的6mΩ SiC FET以其極低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)異的短路耐受能力、多種封裝選項和獨特的技術(shù)架構(gòu)，在電源設(shè)計領(lǐng)域樹立了新的標桿。這些產(chǎn)品不僅滿足了電源設(shè)計人員對高性能、高效率SiC FET的需求，還廣泛應(yīng)用于電動汽車、可再生能源和IT基礎(chǔ)設(shè)施等多個領(lǐng)域，推動了相關(guān)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。