原標(biāo)題：EPC擴(kuò)大了 40 V eGaNFET的產(chǎn)品陳容，新產(chǎn)品是高功率密度電信、網(wǎng)通和計(jì)算解決方案的理想器件

EPC（宜普電源轉(zhuǎn)換公司）擴(kuò)大了其40 V eGaNFET（氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的產(chǎn)品陣容，這一新產(chǎn)品系列被設(shè)計(jì)為高功率密度電信、網(wǎng)通和計(jì)算解決方案的理想器件。以下是關(guān)于這一新產(chǎn)品的詳細(xì)分析：

一、產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 高性能與高效率：

• EPC推出的新產(chǎn)品，如EPC2069，具有1.6 mΩ、40 V的典型值，是更高性能的低壓器件。

• 這些器件比目前市場(chǎng)上可選的器件更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應(yīng)用。

2. 高功率密度：

• EPC2069非常適合需要高功率密度的應(yīng)用，包括48 V-54 V輸入服務(wù)器。

• 較低的柵極電荷和零反向恢復(fù)損耗可實(shí)現(xiàn)1 MHz及更高頻率的高頻操作，并在10.6 mm2的微小占位面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)高功率密度。

3. 廣泛的應(yīng)用范圍：

• EPC2069器件可支持48V/12V DC/DC解決方案，范圍從500 W到2 kW，效率超過98%。

• 在初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)使用氮化鎵(eGaN)器件可實(shí)現(xiàn)超過4000 W/in3的最大功率密度。

二、市場(chǎng)定位與應(yīng)用

• 市場(chǎng)定位：EPC2069專為從40 V–60 V轉(zhuǎn)至12 V的LLC DC/DC轉(zhuǎn)換器的次級(jí)側(cè)而設(shè)計(jì)，目前非常普遍用于48 V–54 V輸入的服務(wù)器，以應(yīng)對(duì)人工智能和游戲等高密度計(jì)算應(yīng)用所需。

• 應(yīng)用領(lǐng)域：這些高功率密度的eGaNFET產(chǎn)品不僅適用于電信和網(wǎng)通領(lǐng)域，還廣泛應(yīng)用于計(jì)算解決方案，特別是在需要高效能、小體積和高可靠性的場(chǎng)合。

三、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1. 尺寸與成本效益：

• 與上一代40 V GaN FET相比，EPC2069的尺寸更小、寄生電感更小和成本更低，從而讓設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)更高的性能和成本效益。

2. 易于評(píng)估與開發(fā)：

• EPC還提供了如EPC90139開發(fā)板等評(píng)估工具，這些開發(fā)板專為實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能而設(shè)計(jì)，包含所有關(guān)鍵組件，讓工程師易于評(píng)估EPC2069等新產(chǎn)品。

四、公司背景與未來展望

• 公司背景：宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者。其eGaN?FET及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。

• 未來展望：EPC將繼續(xù)擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。其目標(biāo)應(yīng)用不僅限于電信、網(wǎng)通和計(jì)算領(lǐng)域，還包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)(LiDAR)、用于電動(dòng)運(yùn)輸、機(jī)器人和無人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，以及低成本衛(wèi)星等。

綜上所述，EPC擴(kuò)大的40 V eGaNFET產(chǎn)品陣容以其高性能、高效率、高功率密度和廣泛的應(yīng)用范圍，在電信、網(wǎng)通和計(jì)算領(lǐng)域展現(xiàn)出了強(qiáng)大的競(jìng)爭力和市場(chǎng)潛力。