原標(biāo)題：Murata BBSC/UBSC/ULSC超寬帶SMT硅電容器的介紹、特性、及應(yīng)用

Murata BBSC/UBSC/ULSC超寬帶SMT硅電容器是Murata公司推出的一系列專為高速數(shù)據(jù)傳輸和光通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)的電容器。以下是對(duì)這些電容器的詳細(xì)介紹、特性及應(yīng)用的歸納：

一、介紹

Murata BBSC/UBSC/ULSC系列超寬帶SMT硅電容器是針對(duì)光通信系統(tǒng)（如ROSA/TOSA、SONET等）以及高速數(shù)據(jù)系統(tǒng)或產(chǎn)品而設(shè)計(jì)的。這些電容器在直流阻塞、耦合和旁路接地應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠提供卓越的性能和穩(wěn)定性。

二、特性

1. 超寬帶性能：

• BBSC系列：頻率范圍高達(dá)40GHz。

• UBSC系列：頻率范圍高達(dá)67GHz。

• ULSC系列：頻率范圍高達(dá)20GHz。

• 部分型號(hào)（如X2SC）甚至支持高達(dá)200GHz以上的頻率，確保在超寬帶應(yīng)用中的穩(wěn)定表現(xiàn)。

2. 低插入損耗和低反射：

• 這些硅電容器在寬頻率范圍內(nèi)具有低插入損耗和低反射特性，有助于保持信號(hào)的完整性和減少信號(hào)失真。

3. 高相位穩(wěn)定性：

• 相位穩(wěn)定性優(yōu)異，確保信號(hào)在傳輸過(guò)程中的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。

4. 高可靠性和電容穩(wěn)定性：

• 采用半導(dǎo)體MOS工藝開發(fā)，能夠在過(guò)電壓（0.1%/V）和超溫（60ppm/K）條件下保持高可靠性和電容穩(wěn)定性。

• 高溫固化過(guò)程（超過(guò)900°C）生成的純氧化物進(jìn)一步提高了產(chǎn)品的可靠性和可重復(fù)性能。

5. 廣泛的工作溫度范圍：

• 工作溫度范圍從-55°C到+150°C，滿足各種極端環(huán)境下的應(yīng)用需求。

6. 符合標(biāo)準(zhǔn)和兼容性：

• 符合JEDEC組裝規(guī)則，與高速自動(dòng)取放制造操作完全兼容。

• 符合RoHS指令，可根據(jù)外殼尺寸提供ENIG端接或無(wú)鉛凸點(diǎn)預(yù)制。

7. 低ESL和低ESR：

• 在旁路接地模式下具有低ESL（等效串聯(lián)電感）和低ESR（等效串聯(lián)電阻），有助于減少噪聲和干擾。

8. 電容值穩(wěn)定性：

• 電容值對(duì)溫度、電壓、老化的穩(wěn)定性好，確保長(zhǎng)期使用的可靠性。

三、應(yīng)用

Murata BBSC/UBSC/ULSC超寬帶SMT硅電容器廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

1. 光電/高速數(shù)據(jù)：

• 用于Trans-impedance放大器（TIA）、收發(fā)光學(xué)組件（ROSA/TOSA）、同步光網(wǎng)絡(luò)（SONET）等。

2. 高速數(shù)字邏輯：

• 支持高速數(shù)字邏輯電路的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. 寬帶測(cè)試設(shè)備：

• 用于寬帶測(cè)試設(shè)備中，提供穩(wěn)定的信號(hào)傳輸和測(cè)試環(huán)境。

4. 寬帶微波/毫米波：

• 在寬帶微波和毫米波通信系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用。

5. 替代傳統(tǒng)電容器：

• 可替代X7R和NP0等傳統(tǒng)電容器，提供更優(yōu)越的性能和穩(wěn)定性。

6. 小型化和薄型應(yīng)用：

• 適用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景，如智能手機(jī)、平板電腦等便攜式設(shè)備。

綜上所述，Murata BBSC/UBSC/ULSC超寬帶SMT硅電容器以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在光通信和高速數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。