DRAM 價格開啟下跌模式,看三星電子、SK海力士如何應對


原標題:DRAM 價格開啟下跌模式,看三星電子、SK 海力士如何應對
DRAM價格開啟下跌模式時,三星電子和SK海力士作為行業(yè)內的主要廠商,會采取一系列措施來應對這一市場變化。以下是對兩家公司可能采取的應對措施的詳細分析:
一、三星電子的應對措施
減少庫存并調整生產(chǎn)計劃
三星電子會將半導體庫存水平減少到最低水平,以應對價格下跌帶來的庫存壓力。
調整生產(chǎn)計劃,根據(jù)市場需求變化靈活調整DRAM芯片的晶圓投片量。例如,從2024年第二季度開始,三星將DRAM芯片晶圓投片量上調至60萬片,并計劃在下半年進一步上調至66萬片,以接近減產(chǎn)前水準。
提高成本競爭力
加大研發(fā)投入,提升技術水平。三星電子已經(jīng)投入量產(chǎn)了業(yè)界最小線寬14納米DRAM,應用了EUV(極外線)工藝,提高了晶圓密度,降低了晶圓成本。
通過優(yōu)化生產(chǎn)流程和提升生產(chǎn)效率來降低成本,提高產(chǎn)品的市場競爭力。
產(chǎn)品組合調整
根據(jù)市場需求變化,迅速重組產(chǎn)品組合,減少DDR4等低需求產(chǎn)品的生產(chǎn),增加DDR5等市場需求旺盛的產(chǎn)品的供應。
專注于高附加值和高性能產(chǎn)品的開發(fā),以滿足數(shù)據(jù)中心、人工智能服務器等高端市場的需求。
市場策略調整
加強與客戶的溝通和合作,共同應對市場變化。通過提供更具競爭力的價格和優(yōu)質的產(chǎn)品服務來維護客戶關系。
拓展新的市場領域,如物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等,以多元化戰(zhàn)略降低對單一市場的依賴。
二、SK海力士的應對措施
減產(chǎn)計劃調整
根據(jù)市場復蘇情況,SK海力士可能在2024年第一季度調整DRAM的減產(chǎn)計劃,并在上半年后對NAND Flash市場采取類似措施。
通過靈活調整生產(chǎn)計劃來應對市場供需變化,減少庫存積壓風險。
技術創(chuàng)新與產(chǎn)品研發(fā)
加大在高帶寬內存(HBM)等新技術領域的研發(fā)投入,以滿足人工智能等高端市場的需求。SK海力士計劃推出高性能產(chǎn)品如HBM3、HBM3E以及HBM4、HBM4E等。
推進新產(chǎn)品如最大容量的服務器存儲器TSV DIMM、移動存儲器LPDDR5 Turbo和服務器DIMM等的研發(fā)和市場推廣。
產(chǎn)能擴張與基地建設
為滿足人工智能存儲器需求的爆炸性增長,SK海力士正在建設新的存儲芯片制造基地,預計投資額超過120萬億韓元(約927億美元)。這一龐大產(chǎn)能將使其能夠持續(xù)為客戶提供服務并及時交付產(chǎn)品。
經(jīng)營策略調整
推進以收益性為中心的經(jīng)營策略,而不是通過規(guī)模經(jīng)濟進行占有率競爭。這有助于在價格下跌的市場環(huán)境中保持盈利能力。
加強與上下游企業(yè)的合作與聯(lián)盟,共同應對市場挑戰(zhàn)并尋求新的增長點。
綜上所述,三星電子和SK海力士在面對DRAM價格下跌的市場環(huán)境時,將采取多種措施來應對挑戰(zhàn)并尋求新的發(fā)展機遇。這些措施包括減少庫存、提高成本競爭力、調整產(chǎn)品組合和市場策略以及加強技術創(chuàng)新和產(chǎn)能擴張等。
責任編輯:David
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