原標題：意法半導體STL52N60DM6 600v STPOWER MOSFET MDmesh DM6系列的介紹、特性、及應用

意法半導體 STL52N60DM6 是采用 PowerFLAT 8×8 HV 封裝的 N 通道 600V STPOWER MOSFET，屬于 MDmesh DM6 系列。以下是其介紹、特性及應用：

介紹：

這種高壓 N 溝道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢復二極管系列的一部分。與之前的 MDmesh 快速一代相比，DM6 結(jié)合了非常低的恢復電荷（Qrr）、恢復時間（trr）和每面積 RDS(on)的出色改進，以及市場上最有效的開關(guān)行為之一，適用于要求最苛刻的高效電橋拓撲和 ZVS 相移轉(zhuǎn)換器。

特性：

• 快速恢復體二極管；

• 與上一代相比，每個區(qū)域的 RDS(on)更低，典型值為 72mΩ；

• 低柵極電荷、輸入電容和電阻；

• 100%雪崩測試；

• 極高的 dv/dt 耐用性，峰值二極管恢復電壓斜率可達 100V/ns，MOSFET dv/dt 耐用性為 100V/ns；

• 齊納保護；

• 額外的驅(qū)動源引腳帶來出色的開關(guān)性能；

• 連續(xù)漏極電流在 TC=25°C 時為 45A，在 TC=100°C 時為 28A；

• 脈沖漏極電流（受安全工作區(qū)域限制）達 128A；

• 總功耗在 TC=25°C 時為 174W；

• 存儲溫度范圍為-55°C 至 150°C；

• 工作結(jié)溫范圍較廣。

應用：

• 切換應用程序；

• 可用于電動汽車充電樁、電信設(shè)備或數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換器和太陽能逆變器等領(lǐng)域；

• 適用于全橋和半橋拓撲、零電壓開關(guān)（ZVS）相移轉(zhuǎn)換器等通常需要一個穩(wěn)定可靠的二極管來處理動態(tài) dv/dt 的應用和拓撲結(jié)構(gòu)。

MDmesh DM6 系列屬于 STPOWER?產(chǎn)品組合，全系共有多款產(chǎn)品，額定輸出電流范圍較寬，柵極電荷、RDS(ON)電阻有所不同，采用了包括新的低電感無引線 TO-LL、PowerFLAT 8×8 HV、D2PAK、TO-220 和 TO-247 等主流的功率封裝，其中 TO-247 配備短引線、長引線或 Kelvin 引腳，適合有精密電流檢測需求的應用。該系列產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。