原標題：Vishay SiSS52DN 30v n通道MOSFET的介紹、特性、及應用

Vishay SiSS52DN 是一款 30V N 溝道 MOSFET，具有以下特點：

• 低導通電阻：在 10V 條件下導通電阻僅為 0.95mΩ，相比上一代產品降低了 5%，有助于減少導通損耗。

• 出色的 FOM：4.5V 條件下導通電阻與柵極電荷乘積（FOM）為 29.8mΩ*nC，是市場上 FOM 最低的產品之一，可降低開關損耗并節(jié)省能源。

• 高功率密度和能效：適用于同步整流、同步降壓轉換器、DC/DC 轉換器、開關柜拓撲結構、OR-ring FET 低邊開關，以及服務器、通信和 RF 設備電源的負載切換，可提高隔離和非隔離拓撲結構的性能。

• 小型封裝：采用熱增強型 3.3mm x 3.3mm PowerPAK?1212-8S 封裝，節(jié)省電路板空間。

• 可靠性高：經過 100% RG 和 UIS 測試，符合 RoHS 標準，無鹵素。

該 MOSFET 主要應用于以下領域：

• 電源管理：如服務器、通信和 RF 設備電源的負載切換。

• DC/DC 轉換：用于同步整流和同步降壓轉換器等拓撲結構。

• 電機控制：可應用于無人機、電動自行車和電動工具等的電機驅動控制。

• 消費電子：在筆記本電腦、平板電腦和 VR 頭盔等設備中實現(xiàn)高效的電源管理和轉換。