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Vishay / Siliconix Si7454FDP n通道100V MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用

來(lái)源: hqbuy
2022-06-24
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 72
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

原標(biāo)題:Vishay/Siliconix Si7454FDP n通道100V MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用

Vishay / Siliconix Si7454FDP是一款N通道(N-Channel)的100V MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。它采用了TrenchFET? Gen IV技術(shù),旨在提供高性能的開關(guān)應(yīng)用解決方案。

特性

  1. 電氣參數(shù)

    • 漏源極擊穿電壓(Vds):100 V

    • 25°C時(shí)的連續(xù)漏極電流(Id):5A(Ta)

    • 漏源導(dǎo)通電阻(Rds On):在VGS=10V時(shí),最大值為0.0305Ω

    • 柵極電荷(Qg):典型值為18.5 nC @ 10 V

    • 驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs):最大值為±20V

    • 柵源極閾值電壓(Vgs th):未提供具體數(shù)值

  2. 物理特性

    • 封裝/箱體:PowerPAK? SO-8

    • 安裝風(fēng)格:表面貼裝型(SMD/SMT)

    • 晶體管極性:N通道

    • 通道數(shù)量:1 Channel

image.png

  1. 環(huán)境適應(yīng)性

    • 工作溫度范圍:-55°C至+150°C(TJ)

    • RoHS狀態(tài):符合ROHS3規(guī)范

    • 功率耗散(Pd):1.9W(Ta)

  2. 性能特性

    • 100% Rg和UIS(未鉗位電感開關(guān))測(cè)試

    • 具有非常低的RDSx Qg品質(zhì)因數(shù)(FOM),適用于高效能應(yīng)用

    • 表面貼裝設(shè)計(jì),便于集成到各種電路板中

應(yīng)用

Vishay / Siliconix Si7454FDP n通道100V MOSFET廣泛應(yīng)用于各種需要高性能開關(guān)的電路中,包括但不限于:

  1. 電源管理:在DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源分配單元等中作為開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效的電源管理。

  2. 汽車電子:用于汽車電池管理系統(tǒng)、車載充電器、電機(jī)控制等,確保汽車電子系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

  3. 工業(yè)自動(dòng)化:在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,作為開關(guān)元件控制各種電機(jī)和設(shè)備的運(yùn)行。

  4. 通信設(shè)備:在路由器、交換機(jī)、服務(wù)器等通信設(shè)備中,用于電源分配和電源管理電路。

以上信息基于當(dāng)前可獲得的數(shù)據(jù)和Vishay / Siliconix Si7454FDP的普遍特性。具體使用時(shí)還需根據(jù)具體電路和應(yīng)用環(huán)境選擇合適的參數(shù)和配置。


責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: Si7454FDP MOSFET Vishay/Siliconix

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