原標題：Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率mosfet的介紹、特性、及應用

Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET是一款高性能的半導體器件，以下是對其的介紹、特性及應用的詳細概述：

介紹

Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET是專為電信、工業(yè)和計算應用設計的高效率、高功率密度解決方案。它采用了先進的E系列超級結技術，并封裝在頂部冷卻的PowerPAK 8 x 8LR封裝中，以提供出色的熱性能和溫度循環(huán)能力。

特性

1. 低導通電阻：與上一代器件相比，SiHF080N60E的導通電阻降低了27%，這有助于減少傳導損耗，提高能源效率。

2. 低柵極電荷：柵極電荷（用于功率轉換應用的600V MOSFET的關鍵性能值(FOM)）的電阻倍降低了60%，這意味著開關損耗的減少，進一步提高了整體效率。

3. 高效封裝：采用10.42 mm × 8 mm × 1.65 mm的頂部冷卻PowerPAK 8 × 8LR封裝，占地面積比D(2)PAK小50.8%，高度降低66%。由于頂部冷卻設計，結殼熱阻極低，為+0.25°C/W，允許在相同的導通電阻水平下比D(2)PAK高46%的電流，實現(xiàn)更高的功率密度。

4. 優(yōu)異的熱性能：由于封裝采用頂側冷卻，具有出色的熱性能，能夠更有效地管理熱量，確保器件在高功率應用中的穩(wěn)定性和可靠性。

1. 優(yōu)化的開關性能：MOSFET的典型有效輸出電容C(o(er))和C(o(tr))分別為79 pF和499 pF，這些參數(shù)有助于改善功率因數(shù)校正(PFC)、半橋和雙開關正向設計等硬開關拓撲中的開關性能。

2. 低FOM值：SiHF080N60E具有業(yè)界最低的3.1 歐姆*nC導通電阻倍柵極電荷FOM，這是衡量MOSFET在功率轉換應用中效率的重要指標。

應用

SiHF080N60E E系列功率MOSFET的典型應用包括服務器、邊緣計算、超級計算機、數(shù)據(jù)存儲、UPS（不間斷電源）、高強度放電(HID)燈和熒光鎮(zhèn)流器、通信SMPS（開關電源）、太陽能逆變器、焊接設備、感應加熱、電機驅動以及電池充電器等。這些應用通常需要高效率、高功率密度和出色的熱管理性能，而SiHF080N60E正好能夠滿足這些需求。

總之，Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET是一款高效、高功率密度的半導體器件，其卓越的性能和廣泛的適用性使其成為電信、工業(yè)和計算應用中的理想選擇。