原標(biāo)題：經(jīng)典圖文，帶你一文搞懂MOS管！！

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。下面將結(jié)合經(jīng)典圖文，帶您一文搞懂MOS管。

一、MOS管的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)

MOS管屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的一種，具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)點(diǎn)。它的基本結(jié)構(gòu)由三個(gè)電極組成：柵極（Gate，表示為“G”）、源極（Source，表示為“S”）、漏極（Drain，表示為“D”）。MOS管主要有兩種結(jié)構(gòu)形式：N溝道型和P溝道型，再根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)原理的不同，分為耗盡型和增強(qiáng)型。

二、MOS管的類型

1. N溝道型與P溝道型：根據(jù)導(dǎo)電溝道中載流子的類型不同，MOS管可分為N溝道型和P溝道型。N溝道型MOS管的源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，而P溝道型MOS管的源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。

2. 耗盡型與增強(qiáng)型：根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)原理的不同，MOS管又可分為耗盡型和增強(qiáng)型。耗盡型MOS管在柵壓為零時(shí)就有較大的漏極電流，而增強(qiáng)型MOS管在柵壓為零時(shí)漏極電流為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流。

三、MOS管的工作原理

以N溝道增強(qiáng)型MOS管為例，其工作原理如下：

1. 當(dāng)柵極G和源極S之間不加任何電壓，即VGS=0時(shí)，由于漏極和源極兩個(gè)N+型區(qū)之間隔有P型襯底，相當(dāng)于兩個(gè)背靠背連接的PN結(jié)，它們之間的電阻高達(dá)10^12Ω，即D、S之間不具備導(dǎo)電的溝道，所以無(wú)論在漏、源極之間加何種極性的電壓，都不會(huì)產(chǎn)生漏極電流ID。

2. 當(dāng)將襯底B與源極S短接，在柵極G和源極S之間加正電壓，即VGS>0時(shí)，則在柵極與襯底之間產(chǎn)生一個(gè)由柵極指向襯底的電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)將吸引P型襯底中的空穴向襯底表面移動(dòng)，排斥電子，使襯底靠近表面的區(qū)域帶負(fù)電，形成N型導(dǎo)電溝道。當(dāng)VGS增加到一定值時(shí)，N溝道從源極S連到漏極D，漏極電流ID開(kāi)始流動(dòng)。

四、MOS管的導(dǎo)通條件

MOS管的導(dǎo)通條件取決于柵源電壓（VGS）與柵極閾值電壓（VGS(th)）之間的關(guān)系。對(duì)于N溝道MOS管，當(dāng)VGS>VGS(th)時(shí)，MOS管導(dǎo)通；對(duì)于P溝道MOS管，當(dāng)VGS<VGS(th)時(shí)，MOS管導(dǎo)通。

五、MOS管的應(yīng)用

MOS管在開(kāi)關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來(lái)越普遍的應(yīng)用。此外，MOS管還廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、電視等。

總之，MOS管作為一種重要的半導(dǎo)體器件，在電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。通過(guò)了解其基本結(jié)構(gòu)、類型、工作原理和導(dǎo)通條件等方面的知識(shí)，可以更好地理解和應(yīng)用MOS管。