原標題：STMicroelectronics 通過 40V STripFET F8 MOSFET 宣傳節(jié)能和低噪聲

STMicroelectronics通過其40V STripFET F8 MOSFET產(chǎn)品確實宣傳了節(jié)能和低噪聲的顯著特性。以下是關于這一產(chǎn)品的詳細特點和優(yōu)勢：

1. 降低能耗：

• 意法半導體的40V MOSFET晶體管STL320N4LF8和STL325N4LF8AG采用了最新一代的STPOWER STripFET F8氧化物填充溝槽技術，這種技術顯著降低了導通電阻和開關損耗。

• 在柵源電壓(VGS)為10V時，STL320N4LF8和STL325N4LF8AG的最大導通電阻(Rds(on))分別為0.8毫歐和0.75毫歐，這一低電阻特性有助于減少功率轉換、電機控制和配電電路中的能耗。

• 新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低，因此可以采用節(jié)省空間且熱效率高的PowerFLAT 5x6封裝，進一步提高了能效。

1. 降低噪聲：

• 除了降低能耗外，STripFET F8技術還優(yōu)化了體寄生二極管特性，降低了功率轉換、電機控制和配電電路中的噪聲。

• 適當?shù)妮敵鲭娙莺拖嚓P的等效串聯(lián)電阻可防止漏源電壓出現(xiàn)尖峰，并確保在管子關斷時突降振蕩時間更短，這有助于減少電磁干擾(EMI)。

• STL320N4LF8和STL325N4LF8AG發(fā)出的電磁干擾(EMI)低于市場上其他類似器件，這得益于其體二極管的軟恢復特性和體寄生二極管的反向恢復電荷的減小。

2. 技術優(yōu)勢：

• 意法半導體先進的STripFET F8技術的開關速度十分出色，低芯片電容可以最大限度地降低柵漏電荷等動態(tài)參數(shù)，提高系統(tǒng)能效。

• 設計人員可以在600kHz至1MHz范圍內(nèi)選擇開關頻率，允許使用尺寸更小的電容和磁性元件，節(jié)省電路尺寸和物料清單成本，提高終端應用的功率密度。

3. 應用廣泛：

• STL320N4LF8和STL325N4LF8AG分別是第一款符合工業(yè)標準和AEC-Q101汽車標準的STPOWER STripFET F8 MOSFET器件，適用于電池供電產(chǎn)品和計算、電信、照明和通用功率轉換等多種應用。

綜上所述，STMicroelectronics的40V STripFET F8 MOSFET通過其卓越的技術特性和設計，有效地實現(xiàn)了節(jié)能和低噪聲的目標，為各種應用提供了高效的解決方案。