原標(biāo)題：Vishay / Siliconix SiHF080N60E E系列功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用

Vishay / Siliconix的SiHF080N60E E系列功率MOSFET是一款高性能的功率半導(dǎo)體器件，專為電信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它采用先進(jìn)的封裝技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)，旨在提供更高的效率和功率密度。

特性

1. 溫度循環(huán)能力：SiHF080N60E采用鷗翼式引線設(shè)計(jì)，這種設(shè)計(jì)提供了出色的溫度循環(huán)能力，確保器件在高溫和低溫環(huán)境下都能保持穩(wěn)定的性能。

2. 高效能封裝：該MOSFET采用頂部冷卻的PowerPAK 8 x 8LR封裝，這種封裝具有低熱阻，占地面積比D(2)PAK小50.8%，高度降低66%，從而實(shí)現(xiàn)了更高的電流和功率密度。

3. 降低導(dǎo)通電阻：與上一代器件相比，SiHF080N60E的導(dǎo)通電阻降低了27%，同時(shí)超低柵極電荷（低至42nC）降低了60%，這些改進(jìn)有助于降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而節(jié)約能源并提高電源系統(tǒng)的效率。

4. 優(yōu)異的熱性能：由于采用頂部冷卻技術(shù)，該MOSFET具有極低的結(jié)殼熱阻（僅為+0.25°C/W），允許在相同導(dǎo)通電阻水平下比D(2)PAK高46%的電流，顯著提高了功率密度。

5. 出色的開關(guān)性能：MOSFET的典型有效輸出電容C(o(er))和C(o(tr))分別為79 pF和499 pF，這些參數(shù)有助于改善功率因數(shù)校正（PFC）、半橋和雙開關(guān)正向設(shè)計(jì)等硬開關(guān)拓?fù)渲械拈_關(guān)性能。

6. 

應(yīng)用

SiHF080N60E E系列功率MOSFET適用于多種應(yīng)用，包括但不限于：

• 服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心：在高性能計(jì)算環(huán)境中，提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)和高效的能源利用。

• 電信基礎(chǔ)設(shè)施：用于基站、路由器和交換機(jī)等電信設(shè)備，確保網(wǎng)絡(luò)通信的可靠性和穩(wěn)定性。

• 工業(yè)應(yīng)用：如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱等，提供高效率和可靠性的電力控制。

• 電源管理系統(tǒng)：在UPS（不間斷電源）、太陽(yáng)能逆變器等設(shè)備中，優(yōu)化能源轉(zhuǎn)換效率并提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。

總之，Vishay / Siliconix的SiHF080N60E E系列功率MOSFET憑借其出色的性能特點(diǎn)和廣泛的應(yīng)用范圍，成為電力電子領(lǐng)域的重要選擇。