反向MOSFET幫助555振蕩器忽略電源和溫度變化


原標(biāo)題:反向MOSFET幫助555振蕩器忽略電源和溫度變化
反向MOSFET在幫助555振蕩器忽略電源和溫度變化方面,主要通過(guò)特定的電路設(shè)計(jì)和連接方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。以下是對(duì)此過(guò)程的詳細(xì)解釋?zhuān)?/span>
原理概述:
利用反極性P溝道MOSFET(如Q1)來(lái)引導(dǎo)C1(通常是一個(gè)電容器)的充電電流,而不產(chǎn)生明顯的壓降。這樣的設(shè)計(jì)能夠產(chǎn)生與溫度和電源電壓V+無(wú)關(guān)的時(shí)序設(shè)計(jì)方程。
時(shí)序設(shè)計(jì)方程:
T+ = R1C1ln((2/3V+)/(1/3V+)) = R1C1ln(2)
T- = R1C1ln((2/3V+)/(1/3V+)) = R1C1ln(2)
Fosc(振蕩頻率) = 1/(ln(2)/((R1+R2)C1)) = 1.44/(P1C1)(其中P1為某種與R1和R2相關(guān)的參數(shù))
在不考慮溫度和V+的影響下,得到新的時(shí)序設(shè)計(jì)方程如下:
電路連接:
將MOSFET Q1“反向”連接,即將其漏極引腳而非源極引腳連接到正電壓源。這種連接方式可以避免在555電路輸出引腳將漏極引腳驅(qū)動(dòng)為低電平,而C1將R2連接的引腳保持為高電平時(shí),對(duì)FET體二極管形成正向偏置。
功能實(shí)現(xiàn):
通過(guò)上述設(shè)計(jì),在不影響555電路固有精度的情況下,實(shí)現(xiàn)了可變占空比/恒定頻率的功能。這意味著,無(wú)論電源電壓V+如何變化,或者環(huán)境溫度如何波動(dòng),555振蕩器都能夠保持穩(wěn)定的頻率輸出。
總結(jié):
反向MOSFET在555振蕩器中的應(yīng)用,通過(guò)其特定的連接方式和電路設(shè)計(jì),有效地消除了電源和溫度變化對(duì)振蕩器性能的影響,提高了其穩(wěn)定性和可靠性。這種設(shè)計(jì)在需要高精度和穩(wěn)定輸出的電子電路中具有廣泛的應(yīng)用前景。
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