原標(biāo)題：反向MOSFET幫助555振蕩器忽略電源和溫度變化

反向MOSFET在幫助555振蕩器忽略電源和溫度變化方面，主要通過特定的電路設(shè)計和連接方式來實現(xiàn)。以下是對此過程的詳細(xì)解釋：

1. 原理概述：

• 利用反極性P溝道MOSFET（如Q1）來引導(dǎo)C1（通常是一個電容器）的充電電流，而不產(chǎn)生明顯的壓降。這樣的設(shè)計能夠產(chǎn)生與溫度和電源電壓V+無關(guān)的時序設(shè)計方程。

2. 時序設(shè)計方程：

• T+ = R1C1ln((2/3V+)/(1/3V+)) = R1C1ln(2)

• T- = R1C1ln((2/3V+)/(1/3V+)) = R1C1ln(2)

• Fosc（振蕩頻率） = 1/(ln(2)/((R1+R2)C1)) = 1.44/(P1C1)（其中P1為某種與R1和R2相關(guān)的參數(shù)）

• 在不考慮溫度和V+的影響下，得到新的時序設(shè)計方程如下：

1. 電路連接：

• 將MOSFET Q1“反向”連接，即將其漏極引腳而非源極引腳連接到正電壓源。這種連接方式可以避免在555電路輸出引腳將漏極引腳驅(qū)動為低電平，而C1將R2連接的引腳保持為高電平時，對FET體二極管形成正向偏置。

2. 功能實現(xiàn)：

• 通過上述設(shè)計，在不影響555電路固有精度的情況下，實現(xiàn)了可變占空比/恒定頻率的功能。這意味著，無論電源電壓V+如何變化，或者環(huán)境溫度如何波動，555振蕩器都能夠保持穩(wěn)定的頻率輸出。

3. 總結(jié)：

• 反向MOSFET在555振蕩器中的應(yīng)用，通過其特定的連接方式和電路設(shè)計，有效地消除了電源和溫度變化對振蕩器性能的影響，提高了其穩(wěn)定性和可靠性。這種設(shè)計在需要高精度和穩(wěn)定輸出的電子電路中具有廣泛的應(yīng)用前景。