原標題：650V GaN FET 采用表面貼裝封裝

TP65H050G4BS 650V GaN FET是一款高性能的氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET），它采用了表面貼裝封裝技術(shù)。以下是關(guān)于TP65H050G4BS 650V GaN FET的詳細信息和特點：

1. 封裝類型：

• TP65H050G4BS采用了TO-263（D2PAK）封裝，這是一種行業(yè)標準封裝，特別適用于需要更高功率和表面貼裝封裝的應(yīng)用。

2. 電壓與導通阻抗：

• 這款FET的額定電壓為650V，典型導通阻抗為50mOhm。這意味著它在承受高電壓的同時，具有較低的導通電阻，從而提高了能效和功率密度。

3. 認證與可靠性：

• TP65H050G4BS通過了JEDEC認證，證明了其高可靠性和穩(wěn)定性。此外，它還具備Transphorm一流的可靠性、柵極穩(wěn)健性（±20 Vmax）和抗硅噪聲閾值（4V）。

4. 應(yīng)用領(lǐng)域：

• 由于其高功率和優(yōu)良的性能，TP65H050G4BS特別適用于數(shù)據(jù)中心和廣泛的工業(yè)應(yīng)用。它賦能設(shè)計者和制造商開發(fā)通常用于數(shù)千瓦到幾千瓦系統(tǒng)的高功率系統(tǒng)。

1. 技術(shù)特性：

• 作為Transphorm的第七款SMD（表面貼裝器件），TP65H050G4BS繼承了氮化鎵技術(shù)所具備的易設(shè)計性和驅(qū)動性能。它還具有出色的熱性能，可以幫助用戶通過單一的制造流程提高PCB組裝效率。

2. 配套產(chǎn)品與評估板：

• TP65H050G4BS可以作為分立器件提供，也可以配套垂直子卡，以提高Transphorm的2.5kW AC-DC無橋圖騰柱功率因素校正（PFC）評估板TDTTP2500B066B-KIT的功率密度。此外，它還可以切換至1.2kW同步半橋TDHBG1200DC100-KIT評估板，以驅(qū)動多千瓦功率。

3. 市場定位與優(yōu)勢：

• Transphorm作為高可靠性、高性能氮化鎵電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球供應(yīng)商，通過推出TP65H050G4BS，進一步擴大了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列，將SMD產(chǎn)品的可用性拓展至高功率領(lǐng)域。

綜上所述，TP65H050G4BS 650V GaN FET憑借其TO-263（D2PAK）封裝、650V額定電壓、50mOhm典型導通阻抗以及多項技術(shù)特性和優(yōu)勢，成為了數(shù)據(jù)中心和廣泛工業(yè)應(yīng)用中不可或缺的高性能組件。

參考：