原標(biāo)題：ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用

ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的介紹、特性及應(yīng)用如下：

介紹

RX3G07CGNC16是ROHM Semiconductor生產(chǎn)的一款功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），屬于N型通道（N-CH）的MOSFET。該型號(hào)晶體管采用TO-220AB封裝，適用于各種需要高電流、高電壓控制的電子電路。

特性

1. 電氣參數(shù)：

• 漏源電壓(Vdss)：40V

• 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：70A

• 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn, 最小RdsOn)：未提供具體數(shù)值

• 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)：4.7毫歐 @ 70A, 10V

• 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值)：2.5V @ 500μA

• Vgs(最大值)：±20V

• 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值)：2410pF @ 20V

1. 熱參數(shù)：

• 功率耗散(最大值)：78W(Tc)

• 工作溫度：150°C(TJ)

2. 其他特性：

• 封裝類型：TO-220AB，通孔安裝

• 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：MOSFET N-CH 40V 70A

• 應(yīng)用分類：晶體管 - FET, MOSFET - 單個(gè)

應(yīng)用

RX3G07CGNC16功率MOSFET適用于需要高電流、高電壓控制的電子電路，如開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)等。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使得它在這些應(yīng)用中能夠提供高效的能量轉(zhuǎn)換和電路保護(hù)。此外，由于其高工作溫度，RX3G07CGNC16也適用于一些高溫工作環(huán)境下的電路應(yīng)用。

綜上所述，ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET以其優(yōu)異的電氣參數(shù)、熱參數(shù)和其他特性，在各種高功率電子電路中有著廣泛的應(yīng)用。