立式小信號MOSFET至今仍有用途，本設(shè)計(jì)理念提出了兩個簡單的例子：AND柵極和幅度調(diào)制器。

　　圖1 圖中顯示了標(biāo)準(zhǔn)雙輸入AND柵極及其MOSFET(以及單電阻或雙電阻)實(shí)現(xiàn)。

　　圖1 雙輸入和柵極 (a) 和 MOSFET 實(shí)現(xiàn) (b)

　　輸入 A 和輸入 B 在這里連接

　　到由 15V 電池供電的單極開關(guān)。輸入A連接到MOSFET的漏極;輸入-B 到其柵極端子。標(biāo)記為 Output-C 的源端子是 AND 門的輸出。電路中的 MOSFET 處于截止或飽和模式。

　　當(dāng)在柵極端子上施加邏輯低電平 (0V) 時，MOSFET 工作在截止模式，MOSFET 的漏極和源極端子之間存在高阻抗。類似地，當(dāng)在柵極端子上施加高電壓 (15V) 時，MOSFET 在飽和模式下工作，并且 MOSFET 的漏極和源極端子之間存在低阻抗。

　　圖2 兩個輸入的模擬示例 = 1

　　當(dāng)然，NAND柵極可以通過添加M2和R3來形成輸出逆變器來實(shí)現(xiàn)。

　　圖3 雙輸入 NAND 柵極 (a) 和 MOSFET 實(shí)現(xiàn) (b)

　　為了更多 模擬 MOSFET應(yīng)用，考慮這個簡單的AM調(diào)制器。

　　圖4 場效應(yīng)管幅度調(diào)制器

　　電路

　　由一個 N 溝道 MOSFET、兩個電阻器和一個肖特基二極管組成。調(diào)制信號， V-sig(t)， 連接到 MOSFET 的漏極。載波信號， V-卡爾(T) ，連接到柵極端子。調(diào)幅輸出信號， V-輸出(T) ，是從源終端獲取的。

　　載波信號是方波，由于MOSFET的柵極連接到載波，MOSFET將以該頻率打開和關(guān)閉。導(dǎo)通時，漏極上的任何電壓都將通過MOSFET并出現(xiàn)在源極端子上。當(dāng)MOSFET關(guān)斷時，R2會將輸出拉至地。

　　為了正常工作，載波信號的峰峰值電壓應(yīng)是調(diào)制信號峰峰值電壓的兩倍。肖特基二極管可防止調(diào)幅輸出信號成為雙極性信號。

　　圖5 25kHz 12V 時的仿真結(jié)果P-P 載波和 1kHz 6VP-P 正弦調(diào)制

　　圖6 如上所述，具有方波調(diào)制