瑞薩電子的新型柵極驅動器IC設計用于驅動高壓功率器件，如用于電動汽車逆變器的IGBT和SiC MOSFET。

　　瑞薩電子推出新型柵極驅動器IC，旨在驅動高壓功率器件，如用于電動汽車(EV)逆變器的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET。

　　柵極驅動器 IC 是 EV 逆變器的基本組件，在逆變器控制 MCU 與為逆變器供電的 IGBT 和 SiC MOSFET 之間提供接口。它們在低壓域中接收來自MCU的控制信號，并傳輸這些信號以在高壓域中快速打開和關閉功率器件。

　　為了適應電動汽車電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內置3.75kVrms隔離器，高于上一代產品中的2.5kVrms隔離器，可以支持耐壓高達1200V的功率器件。此外，新型驅動器IC在150V/ns(納秒)或更高時具有出色的CMTI(共模瞬態(tài)抗擾度)性能，可提供可靠的通信和更高的抗噪性，同時滿足逆變器系統(tǒng)所需的高電壓和快速開關速度。新產品在小型SOIC16封裝中提供柵極驅動器的基本功能，使其成為高性價比逆變器系統(tǒng)的理想選擇。

　　RAJ2930004AGM 可與瑞薩電子 IGBT 以及其他制造商的 IGBT 和 SiC MOSFET 一起使用。除牽引逆變器外，柵極驅動器IC還非常適合使用功率半導體的各種應用，例如車載充電器和DC/DC轉換器。為了幫助開發(fā)人員快速將其產品推向市場，瑞薩電子提供了將柵極驅動器IC與MCU、IGBT和電源管理IC相結合的xEV逆變器套件解決方案，并計劃在2023年上半年發(fā)布包含新柵極驅動器IC的版本。

　　瑞薩電子汽車模擬應用特定業(yè)務部副總裁Akira Omichi表示：“瑞薩電子很高興為汽車應用提供具有高隔離電壓和卓越CMTI性能的第二代柵極驅動器IC。我們將繼續(xù)推動電動汽車的應用開發(fā)，提供解決方案，最大限度地減少功率損耗，并滿足客戶系統(tǒng)中高水平的功能安全性。