產(chǎn)品分類
ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V E-mode GaN場(chǎng)效應(yīng)管的介紹、特性、及應(yīng)用
27
拍明芯城
ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V e模氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)管利用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。高可靠性的GNP1 fet內(nèi)置ESD保護(hù)和良好的散熱，便于安裝。應(yīng)用包括高開關(guān)頻率和高密度轉(zhuǎn)換器。
特性
650V e型GaN場(chǎng)效應(yīng)管
低ON電阻
高速開關(guān)
內(nèi)置ESD保護(hù)
高度可靠的設(shè)計(jì)
有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸
良好的散熱性
通過無鉛認(rèn)證
應(yīng)用程序
高開關(guān)變頻器
高密度變換器
規(guī)范
GNP1070TC-Z
DFN8080K封裝樣式
7.3A至20A連續(xù)漏極電流范圍
24A至66A脈沖漏極電流范圍
漏源電壓650V
750V瞬態(tài)漏源電壓
-10V(DC)至+6V(DC)柵源電壓范圍
8.5V瞬態(tài)柵源電壓
+25℃時(shí)功耗56W
0.86歐姆典型柵極輸入電阻
200pF典型輸入電容
50pF典型輸出電容
44nC輸出電荷
5.2nC典型總柵極電荷
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間5.9ns
典型上升時(shí)間為6.9ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間為8.0ns
8.7ns典型下降時(shí)間
GNP1150TCA-Z
DFN8080AK封裝樣式
5A至11A連續(xù)漏極電流范圍
17A至35A脈沖漏極電流范圍
漏源電壓650V
750V瞬態(tài)漏源電壓
-10V(DC)至+6V(DC)柵源電壓范圍
8.5V瞬態(tài)柵源電壓
+25℃時(shí)功耗62.5W
2.6歐姆典型柵極輸入電阻
112pF典型輸入電容
典型輸出電容為19pF
18.5nC輸出電荷
2.7nC典型總柵極電荷
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間為4.7ns
5.3ns典型上升時(shí)間
典型關(guān)斷延遲時(shí)間為6.2ns
8.3ns典型下降時(shí)間
責(zé)任編輯：David
【免責(zé)聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開資料，版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對(duì)本文的引用持有異議，請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城（marketing@iczoom.com），本方將及時(shí)處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用，不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點(diǎn)，拍明芯城不對(duì)內(nèi)容的準(zhǔn)確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為，是基于自主意愿和獨(dú)立判斷做出的，請(qǐng)讀者明確相關(guān)結(jié)果。
4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章，請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城（marketing@iczoom.com）注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。
拍明芯城擁有對(duì)此聲明的最終解釋權(quán)。
相關(guān)資訊
：
云母電容公司_云母電容生產(chǎn)廠商
74ls74中文資料匯總（74ls74引腳圖及功能_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及應(yīng)用電路）
開關(guān)三極管13007的規(guī)格參數(shù)、引腳圖、開關(guān)電源電路圖?三極管13007可以用什么型號(hào)替代?
芯片lm2596s開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器的中文資料_引腳圖及功能_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理圖_電路圖及封裝
芯片UA741運(yùn)算放大器的資料及參數(shù)_引腳圖及功能_電路原理圖?ua741運(yùn)算放大器的替代型號(hào)有哪些?
28nm光刻機(jī)卡住“02專項(xiàng)”——對(duì)于督工部分觀點(diǎn)的批判（睡前消息353期）
2012- 2022 拍明芯城ICZOOM.com 版權(quán)所有 客服熱線：400-693-8369 (9:00-18:00)
