金士頓LPDDR4 DRAM器件具有低功耗和每次突發(fā)訪問的自動預充電選項。這些DRAM設備提供DMI引腳支持寫數(shù)據(jù)屏蔽和DBIdc功能。LPDDR4 DRAM器件采用FBGA-200封裝，芯片密度為8gb。這些DRAM器件具有自動溫度補償自刷新(ATCSR)功能，通過內(nèi)置溫度傳感器和每次銀行刷新。LPDDR4器件工作溫度范圍為-25℃~ 85℃，最高時鐘頻率為1.6GHz，電源電壓范圍為1.06V ~ 1.95V。

特性

• 低功耗

• 每次銀行刷新

• 部分陣列自刷新(PASR)
  

• 銀行屏蔽

• 段屏蔽

• fbga - 200包

• 自動溫度補償自我刷新(ATCSR)內(nèi)置溫度傳感器

• 支持所有銀行自動刷新和定向每個銀行自動刷新

• Double-data-rate架構(gòu);每一個時鐘周期傳輸兩次數(shù)據(jù)

• 可編程RL(讀時延)和WL(寫時延)

• 自動預充選項，每次突發(fā)訪問

• 可編程驅(qū)動強度

• 自動刷新和自刷新

• 8192個周期/32ms刷新周期

• DMI引腳支持寫數(shù)據(jù)屏蔽和DBIdc功能

規(guī)范

• 1.6GHz最大時鐘頻率

• 1.06V至1.95V電源電壓范圍

• 8gb和16gb內(nèi)存

• 工作溫度范圍-25℃~ 85℃

• 存儲溫度范圍-55℃~ 125℃