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YAGEO XSemi N溝道和p溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種使用金屬氧化物柵極的電壓控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管。YAGEO XSemi的功率mosfet(也稱為功率晶體管)具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度，適用于各種應(yīng)用，包括模擬和數(shù)字電路?？捎玫姆庋b廣泛用于商業(yè)和工業(yè)表面貼裝應(yīng)用。
與bjt不同，mosfet與載流通道是電隔離的，有助于降低器件的功耗。mosfet工作在三個(gè)電壓區(qū):三極管、飽和和截止。下面的方程式展示了這些區(qū)域(點(diǎn)擊放大)。
特性
表面貼裝封裝
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素
低柵極電荷
+150°C最高工作溫度
n溝道m(xù)osfet
漏源電壓20v ~ 700v
高達(dá)300a漏極電流，V(GS) @ 10v (4)
p溝道場(chǎng)效應(yīng)管
漏源電壓20v ~ 700v
漏極電流高達(dá)300a
電信系統(tǒng)
消費(fèi)電子產(chǎn)品
責(zé)任編輯：David
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