onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET是一款60V, 9.2毫歐和50A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導(dǎo)損耗和低柵極電荷(Q(G))和電容以最小化驅(qū)動器損耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET通過aec - q101認(rèn)證，支持ppap。該MOSFET適用于反向電池保護(hù)、電源開關(guān)、開關(guān)電源和其他需要增強(qiáng)板級可靠性的汽車應(yīng)用。

特性

• 占地面積小(5mm x 6mm)，設(shè)計(jì)緊湊

• 低R(DS(ON))，最小化傳導(dǎo)損耗

• 低Q(G)和電容，最大限度地減少驅(qū)動器損耗

• 60V漏極到源電壓(V(DSS))

• 50A連續(xù)漏極電流(I(D)) @T(C) = 25℃

• 9.2毫歐漏極到源極導(dǎo)通電阻(R(DS(on)))

• LFPAK4封裝，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

• 通過AEC-Q101認(rèn)證，具備PPAP能力

• 無鉛，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用程序

• 電池反保護(hù)

• 電源開關(guān)(如高側(cè)驅(qū)動器、低側(cè)驅(qū)動器和h橋)

• 電磁閥驅(qū)動

• 電機(jī)控制

• 負(fù)荷開關(guān)

• 開關(guān)電源

包的尺寸