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onsemi NVTYS020N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NVTYS020N08HL功率MOSFET是一款80V, 20毫歐和30A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導(dǎo)損耗和低電容以最小化驅(qū)動(dòng)器損耗。NVTYS020N08HL功率MOSFET通過(guò)aec - q101認(rèn)證，具有ppap能力。該MOSFET適用于反向電池保護(hù)，電源開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)電源和其他汽車(chē)應(yīng)用。
特性
占地面積小(3.3mm x 3.3mm)，設(shè)計(jì)緊湊
低R(DS(ON))，最小化傳導(dǎo)損耗
低電容，最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
80V漏極到源電壓(V(DSS))
40A連續(xù)漏極電流(I(D)) @T(C) = 25℃
20毫歐漏極到源極導(dǎo)通電阻(R(DS(on)))
LFPAK8包
通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，具備PPAP能力
無(wú)鉛，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用程序
電池反保護(hù)
電源開(kāi)關(guān)(如高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器和h橋)
電磁閥驅(qū)動(dòng)
電機(jī)控制
負(fù)荷開(kāi)關(guān)
開(kāi)關(guān)電源
責(zé)任編輯：David
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