onsemi NTMFS005P03P8Z單p通道功率MOSFET是功率負載開關，電池管理和保護(反向電流，過壓和反向負電壓)的理想選擇。NTMFS005P03P8Z在-55°C至+150°C結溫范圍內工作，提供-30V漏源電壓，10V導通電阻2.7毫歐和164A漏源/待機電流。onsemi NTMFS005P03P8Z封裝在5mm x 6mm SO8-FL封裝中，采用先進的封裝技術，節(jié)省空間并具有優(yōu)異的導熱性。

特性

• 超低R(DS(on))，提高系統(tǒng)效率

• 先進的封裝技術，節(jié)省空間和優(yōu)良的導熱性

• 5mm x 6mm, SO8-FL封裝

• 不含鉛，不含鹵素/ bfr，符合rohs標準

應用程序

• 保護

• 反向電流

• 過電壓

• 反向負電壓

• 電力負載開關

• 電池管理

規(guī)范

• -30V最大漏源電壓

• ±25V最大柵源電壓

• -11A至-164A最大連續(xù)漏極電流范圍

• 0.9W至104W的最大功耗范圍

• -597A最大脈沖漏極電流

• -1.0μA最大零柵極電壓漏極電流

• ±10μA最大柵源泄漏電流

• 165.8mJ最大單脈沖漏源雪崩能量

• 2.7毫歐至4.4毫歐最大漏源電阻范圍

• 87S典型正向跨導

• 183nC典型總柵電荷

• 典型反向恢復時間為57ns

• 典型充電時間34ns

• 典型放電時間23ns

• 77nC典型反向回收裝藥

• 典型的電容

• 7880 pf輸入

• 2630 pf輸出

• 2550pF反向傳遞

• 最大穩(wěn)態(tài)熱阻

• 1.2°C / W junction-to-case

• 40°C/W至137°C/W連接至環(huán)境范圍

• -55℃~ +150℃工作結溫范圍