Transphorm TP65H300G4LSGB 650V SuperGaN 氮化鎵(GaN)場效應管是一種240毫歐正常關閉器件，采用8x8 PQFN封裝。該GaN FET采用Transphorms Gen IV平臺，該平臺結合了先進的epi和專利設計技術，以簡化可制造性。TP65H300G4LSGB GaN場效應管結合了最先進的高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET，具有卓越的可靠性和性能。這種氮化鎵場效應管通過降低柵極電荷、輸出電容、交叉損耗和反向恢復電荷來提高效率。典型應用包括消費類、電源適配器、低功耗SMPS和照明。

特性

• 第四代科技

• 通過jedec認證的GaN技術

• 動態(tài)RDS(on)eff)生產測試

• 穩(wěn)健設計，定義如下:

• 寬柵極安全裕度

• 瞬態(tài)過電壓能力

• 非常低的Q(RR)

• 降低交叉損耗

• 提高了硬開關和軟開關電路的效率

• 提高功率密度

• 減小系統尺寸和重量

• 整體較低的系統成本

• 易于驅動與常用的柵極驅動器

• GSD引腳布局改善了高速設計

• 符合rohs標準和無鹵素包裝

規(guī)范

• 650V漏源電壓V(DSS)

• 800V瞬態(tài)漏源電壓V(DSS(TR))

• ±12V門源電壓VGSS

• 21W最大功率耗散(PD) @T(C)=25℃

• 連續(xù)漏極電流I(D):

• @T 6.5 (C) = 25°C

• @T 4.1 (C) = 100°C

• 30A脈沖漏極電流I(DM)(脈沖寬度:10μs)

• 2V ~ 2.8V柵極閾值電壓V(GS)范圍

• 漏源極導通電阻:

• 240毫歐 ~ 312毫歐 (V(GS)=6V, I(D)=6.5A, T(J)=25℃)

• 492毫歐 (V(GS)=6V, I(D)=6.5A, T(J)=150℃)

• 典型電容(V(GS)=0V, V(DS)=400V, f=1MHz):

• 730 pf輸入

• 16 pf輸出

• 2pF反向轉移

• 充電(V(DS)=400V, V(GS)=0V ~ 10V, I(D)=6.5A):

• 8.8nC柵極總電荷

• 2.5nC柵極源電荷

• 1.2nC柵漏電荷

• 38nC輸出電荷(V(GS)=0V, V(DS)=0V ~ 400V)

應用程序

• 消費者

• 電源適配器

• 低功率SMPS

• 照明