SiC肖特基勢(shì)壘二極管，也被稱為碳化硅肖特基二極管或SiC碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SiC SBD），是利用碳化硅（SiC）這種化合物半導(dǎo)體材料制作的二極管。

它的基本原理是利用金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢(shì)壘具有整流特性。碳化硅肖特基二極管采用碳化硅材料制成，其結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管相似，但沒有PN結(jié)。它由金屬反型接觸和一個(gè)P型碳化硅半導(dǎo)體組成，具有低開啟電壓和高速開關(guān)能力。

SiC肖特基勢(shì)壘二極管在高溫、高頻和高功率應(yīng)用中具有顯著的優(yōu)勢(shì)，如低損耗、高抗壓、高效率、高溫穩(wěn)定性好等。它的工作溫度范圍寬，可以在極端溫度下正常工作，同時(shí)能夠承受高的電壓和大的功率。此外，SiC肖特基勢(shì)壘二極管還具有較短的恢復(fù)時(shí)間和無反向恢復(fù)電流量的特點(diǎn)，這使得它在電力電子技術(shù)領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力。

SiC肖特基勢(shì)壘二極管的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，包括太陽能逆變器、新能源汽車充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器等，能夠滿足高溫、高頻、高功率等復(fù)雜工作條件的需求。