p型mos管導(dǎo)通條件

p型MOS管（p-channel MOSFET）的導(dǎo)通條件是控制端的電壓（柵極電壓）相對(duì)于源極電壓足夠低。具體來說，有以下幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)：

1. 源極-柵極電壓 (Vsg) 應(yīng)為正值：為了使p型MOS管導(dǎo)通，柵極電壓（Vg）必須低于源極電壓（Vs）。一般情況下，Vsg需要大于p型MOS管的閾值電壓（Vth），即 ${?}_{??}>{?}_{??}$Vsg>Vth。
   
   

2. 閾值電壓 (Vth)：每個(gè)p型MOS管都有一個(gè)閾值電壓，只有當(dāng) Vsg 超過這個(gè)閾值電壓時(shí)，MOS管才會(huì)導(dǎo)通。閾值電壓的典型值取決于具體器件，可以從數(shù)據(jù)手冊(cè)中查到。

3. 柵極電壓 (Vg) 低于源極電壓 (Vs)：通常，源極電壓被連接到正電源電壓（例如Vdd），而柵極電壓需要比源極電壓低，通常是接地或負(fù)電壓。假設(shè)源極電壓是Vdd，那么柵極電壓Vg需要小于Vdd - Vth。

舉例說明

假設(shè)一個(gè)p型MOS管的閾值電壓Vth為-2V，并且源極電壓Vs是+5V：

• 如果柵極電壓Vg為0V，那么Vsg = Vs - Vg = 5V - 0V = 5V。

• 由于5V大于閾值電壓（-2V），所以p型MOS管會(huì)導(dǎo)通。

公式化條件

• 導(dǎo)通條件：Vsg>∣Vth∣

• 其中 Vsg=Vs?Vg

總結(jié)

要使p型MOS管導(dǎo)通，柵極電壓必須足夠低，使得源極-柵極電壓（Vsg）大于閾值電壓的絕對(duì)值。典型應(yīng)用中，源極電壓連接到正電源，柵極電壓通過拉低（接地或負(fù)電壓）來實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。