CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）電路和TTL（晶體管-晶體管邏輯）電路在多個(gè)方面存在顯著的區(qū)別，具體如下：

1. 構(gòu)成原理：CMOS電路是由N溝道和P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)管構(gòu)成，屬于單極性電路；而TTL電路則是由雙極晶體管構(gòu)成，屬于雙極性電路。

2. 邏輯電平與工作電壓：CMOS電路的邏輯電平范圍比較大（5～15V），能在較廣泛的電源電壓范圍內(nèi)工作；而TTL電路則主要在5V下工作。

3. 抗干擾性與噪聲容限：CMOS的高低電平之間相差比較大，抗干擾性強(qiáng)，直流噪聲容限達(dá)邏輯擺幅的35%左右；而TTL的高低電平之間相差小，抗干擾能力差。

1. 功耗：CMOS電路的功耗很小，每門(mén)功耗為納瓦級(jí)；而TTL電路的功耗相對(duì)較大（1～5mA/門(mén)），尤其在工作狀態(tài)下，尤其是當(dāng)輸出翻轉(zhuǎn)時(shí)，TTL邏輯門(mén)消耗功率較大。

2. 速度與延遲：雖然早期的CMOS門(mén)電路速度稍慢，延遲可能在25至50納秒，但高速CMOS技術(shù)已經(jīng)大大改善了這一特性，使得某些高速CMOS器件與TTL的速度相當(dāng)或更快。TTL電路由于其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，邏輯門(mén)具有相對(duì)較快的開(kāi)關(guān)速度，典型傳輸延遲在5至10納秒。

3. 穩(wěn)定性與可靠性：TTL電路具有較高的穩(wěn)定性、可靠性和長(zhǎng)壽命等特點(diǎn)，而CMOS電路在某些情況下可能受到“自鎖效應(yīng)”的影響，影響電路正常工作。

總的來(lái)說(shuō)，CMOS和TTL電路各有其特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。CMOS電路以其低功耗、高抗干擾性和寬電源電壓范圍等特點(diǎn)，在模擬電路和某些數(shù)字電路中得到廣泛應(yīng)用；而TTL電路則以其高速、低功耗和高可靠性等特點(diǎn)，在計(jì)算機(jī)、通信等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在選擇電路類(lèi)型時(shí)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求和環(huán)境條件進(jìn)行綜合考慮。