反向偏置（Reverse Bias）是指在PN結(jié)或半導(dǎo)體二極管中，將P區(qū)的引腳連接到電源的負(fù)極（或稱為“地”），而N區(qū)的引腳連接到電源的正極，從而在PN結(jié)上施加一個反向電壓的狀態(tài)。在反向偏置下，PN結(jié)的耗盡區(qū)（Depletion Region）會擴(kuò)展，阻止電流的正向?qū)?，但可能會允許一定的反向電流（Leakage Current）通過。

反向電流（Reverse Current）是在PN結(jié)或二極管處于反向偏置狀態(tài)下，從N區(qū)流向P區(qū)（或從P區(qū)流向N區(qū)，取決于偏置方向）的電流。在正常的反向偏置條件下，反向電流非常小，主要由少數(shù)載流子（即P區(qū)中的自由電子或N區(qū)中的空穴）的擴(kuò)散形成。

對于反向電流，沒有一個固定的公式可以適用于所有情況，因為它受到多種因素的影響，如溫度、PN結(jié)的材料和制造工藝等。然而，在理想情況下，反向電流可以近似地表示為：

I_R = I_S * (e^(V_R / (n * V_T)) - 1)

其中：

• I_R 是反向電流

• I_S 是反向飽和電流（Saturation Current），是一個與PN結(jié)材料和溫度有關(guān)的常數(shù)

• V_R 是反向電壓

• n 是理想因子（Ideality Factor），通常接近于1，但在實際器件中可能有所不同

• V_T 是熱電壓（Thermal Voltage），與溫度有關(guān)，約為kT/q，其中k是玻爾茲曼常數(shù)，T是絕對溫度，q是電子電荷

這個公式是基于肖克萊二極管方程（Shockley Diode Equation）的近似形式，用于描述二極管在反向偏置下的電流-電壓關(guān)系。但請注意，這個公式主要用于理想二極管或低電流條件下的近似分析，對于實際的高功率或高溫應(yīng)用，可能需要更復(fù)雜的模型和公式來描述反向電流的行為。