WINBOND w25q128jvsiq FLASH存儲器中文資料


WINBOND W25Q128JVSQ FLASH存儲器詳解
一、W25Q128JVSQ型號概述
W25Q128JVSQ是由Winbond(華邦)公司生產(chǎn)的一款128Mbit(16MB)串行閃存(Serial Flash Memory),它采用SPI(Serial Peripheral Interface)總線協(xié)議進行通信。該存儲器具有高性能和低功耗的特點,廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中,如消費類電子、通信設(shè)備、汽車電子等。
型號后綴含義
W25Q128JVSQ的型號后綴“JVSQ”代表了不同的參數(shù)和特性:
J:工作電壓范圍為2.7V至3.6V
V:工作溫度范圍為-40°C至+85°C(工業(yè)級)
S:8引腳SOIC封裝
Q:支持標準SPI、雙SPI和四SPI接口
中文描述: Winbond 閃存芯片,128Mbit(16M x 8),SPI接口,8引腳SOIC封裝
英文描述: Flash,16MX8,PDSO8,SOIC-8
W25Q128JVSIQ中文參數(shù)
存儲器大小 | 128Mbit | 長度 | 5.38mm |
接口類型 | SPI | 高度 | 1.91mm |
封裝類型 | SOIC | 寬度 | 5.38mm |
引腳數(shù)目 | 8 | 尺寸 | 5.38 x 5.38 x 1.91mm |
組織 | 16M x 8 | 最低工作溫度 | -40 °C |
安裝類型 | 表面貼裝 | 最高工作溫度 | +85 °C |
最小工作電源電壓 | 2.7 V | 每字組的位元數(shù)目 | 8Bit |
最大工作電源電壓 | 3.6 V | 字組數(shù)目 | 16M |
128 MB串行閃存,具有統(tǒng)一的4 KB扇區(qū)和雙路/四路SPI
單路/雙路/四路SPI操作
統(tǒng)一的4 KB可擦除扇區(qū)和32 KB/64 KB可擦除塊
65536頁(256字節(jié)),頁編程時間為0.7 mS(典型值)
連續(xù)讀取,8/16/32/64字節(jié)包繞
時鐘工作頻率高達133 MHz(雙路/四路SPI時分別為266/532 MHz)
2.7至3.6 V電源
<1μA斷電電流
-40°C至+85°C工作范圍
編程/擦除暫停/恢復(fù)、暫停狀態(tài)位
工廠編程的唯一ID
具有雙路/四路SPI的電子ID,為頂部或底部塊提供硬件和軟件寫入保護
易失和非易失狀態(tài)寄存器位
鎖定和OTP保護
串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù)(SFDP)
3 x 256字節(jié)安全寄存器,帶OTP鎖
補充陣列保護位
單個塊/扇區(qū)寫入保護
軟件重置和可配置硬件/復(fù)位引腳
可編程輸出驅(qū)動器強度
二、工作原理
基本結(jié)構(gòu)
W25Q128JVSQ內(nèi)部主要由以下幾部分組成:
存儲陣列:由多個存儲單元組成,用于存儲數(shù)據(jù)。
命令控制器:用于接收和解析來自主機的命令。
地址寄存器:存儲當前讀寫操作的地址。
數(shù)據(jù)寄存器:暫存讀寫數(shù)據(jù)。
狀態(tài)寄存器:用于指示設(shè)備的狀態(tài)和設(shè)置操作模式。
通信接口
W25Q128JVSQ通過SPI接口與主機進行通信。SPI是一種全雙工的同步串行通信協(xié)議,由主設(shè)備(通常是MCU)和從設(shè)備(如Flash存儲器)組成。通信時鐘(SCLK)由主設(shè)備生成,數(shù)據(jù)在MOSI(Master Out Slave In)和MISO(Master In Slave Out)引腳上傳輸,CS(Chip Select)引腳用于選擇從設(shè)備。
讀寫操作
讀操作:主機發(fā)送讀命令和目標地址,存儲器響應(yīng)并通過MISO引腳返回數(shù)據(jù)。支持標準讀取、快速讀取和高效讀取模式。
寫操作:主機發(fā)送寫命令、目標地址和數(shù)據(jù),存儲器接收數(shù)據(jù)并將其寫入存儲單元。寫操作前需先執(zhí)行寫使能命令以解鎖寫保護。
擦除操作
存儲器的數(shù)據(jù)擦除以塊為單位進行,支持以下幾種擦除操作:
芯片擦除:擦除整個存儲器
扇區(qū)擦除:擦除4KB的扇區(qū)
塊擦除:擦除32KB或64KB的塊
擦除/寫入周期
W25Q128JVSQ的擦寫周期壽命高達10萬次,數(shù)據(jù)保持時間長達20年,適合需要頻繁讀寫操作和長時間數(shù)據(jù)保存的應(yīng)用場景。
三、特點
高性能:支持高達104MHz的SPI時鐘頻率,快速讀取速度可達80MB/s。
低功耗:待機電流低至1μA,功耗管理功能強大,適合電池供電的便攜設(shè)備。
數(shù)據(jù)保護:具備硬件和軟件兩種寫保護機制,防止數(shù)據(jù)被意外修改。
靈活性:支持標準SPI、雙SPI和四SPI接口,兼容多種主控設(shè)備。
可靠性:高擦寫耐久性和長數(shù)據(jù)保存時間,確保數(shù)據(jù)長期可靠存儲。
四、應(yīng)用
W25Q128JVSQ廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
消費電子:如智能手機、平板電腦、智能手表等,存儲操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
通信設(shè)備:如路由器、交換機等,存儲固件和配置文件。
汽車電子:如汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、車載娛樂系統(tǒng)等,存儲地圖數(shù)據(jù)和多媒體內(nèi)容。
工業(yè)控制:如PLC、HMI等,存儲控制程序和操作數(shù)據(jù)。
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備:如智能家居設(shè)備、傳感器等,存儲固件和數(shù)據(jù)記錄。
五、參數(shù)
電氣特性
工作電壓:2.7V - 3.6V
工作溫度:-40°C - +85°C
待機電流:1μA(典型值)
讀取電流:25mA(最大值)
寫入電流:50mA(最大值)
性能指標
存儲容量:128Mbit(16MB)
SPI時鐘頻率:最高104MHz
讀取速度:最高80MB/s
擦寫耐久性:100,000次擦寫周期
數(shù)據(jù)保持時間:20年
封裝形式
8引腳SOIC(150mil)
8引腳WSON(6x5mm)
16引腳SOP(300mil)
六、總結(jié)
W25Q128JVSQ作為一款高性能、低功耗和高可靠性的串行閃存,憑借其卓越的特性和靈活的接口,廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。其高耐久性和長數(shù)據(jù)保持時間確保了數(shù)據(jù)的安全性和持久性,成為許多應(yīng)用領(lǐng)域的不二選擇。通過本文的介紹,相信讀者對W25Q128JVSQ有了更深入的了解,能夠更好地在實際應(yīng)用中發(fā)揮其優(yōu)勢。
責任編輯:David
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