德州儀器BQ2022ADBZR EPROM 1Kbit 2.65V~5.5V非易失性存儲(chǔ)器(ROM) 中文資料


德州儀器 BQ2022ADBZR EPROM 非易失性存儲(chǔ)器中文資料
一、型號(hào)類型
德州儀器(Texas Instruments, 簡(jiǎn)稱TI)的BQ2022ADBZR是一種非易失性存儲(chǔ)器,屬于EPROM(可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)類型。具體來(lái)說(shuō),它是一款1Kbit的存儲(chǔ)器,工作電壓范圍為2.65V到5.5V。這款存儲(chǔ)器特別適用于需要數(shù)據(jù)長(zhǎng)時(shí)間保存并且偶爾需要重新編程的應(yīng)用場(chǎng)景。
BQ2022ADBZR屬于BQ2022系列,該系列產(chǎn)品在存儲(chǔ)容量、封裝形式和編程特性上有所不同,用戶可以根據(jù)實(shí)際需求選擇適合的型號(hào)。該系列的主要型號(hào)包括:
BQ2022ADBZR
BQ2022BDGKR
BQ2022CDRZR
這些型號(hào)在容量和性能上可能基本相同,但在封裝形式上有所區(qū)別,以適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。
描述:貼片安裝,黏合安裝 Single Wire SOT-23-3 4Pagesx256 20μA 2.65V~5.5V 2.65V~5.5V 128B 11.5V~12V
數(shù)據(jù)手冊(cè)查看:http://www.kmzr.net.cn/data/k01-36761791-BQ2022ADBZR.html
在線購(gòu)買:BQ2022ADBZR
產(chǎn)品屬性 | 屬性值 |
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商品目錄 | 存儲(chǔ)器>可擦除編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM) |
通用封裝 | SOT-23-3 |
RoHS | 合規(guī) |
安裝方式 | 貼片安裝,黏合安裝 |
工作溫度 | -20℃(TA)-70℃(TA) |
長(zhǎng)*寬*高 | - |
應(yīng)用等級(jí) | - |
零件狀態(tài) | 在售 |
包裝方式 | 散裝,卷帶包裝 |
存儲(chǔ)容量 | 128B |
接口類型 | Single Wire |
數(shù)據(jù)總線寬度 | - |
最大供電電流 | 20μA |
最大工作供電電壓 | 2.65V~5.5V |
最大時(shí)鐘頻率 | - |
最小工作供電電壓 | 2.65V~5.5V |
組織 | 4Pagesx256 |
編程電壓 | 11.5V~12V |
二、工作原理
BQ2022ADBZR作為一種EPROM,其基本工作原理是通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)將電子注入或移出浮柵,以改變存儲(chǔ)單元的狀態(tài)。這種狀態(tài)的變化代表了數(shù)據(jù)的“0”和“1”,從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀取。EPROM的特點(diǎn)是數(shù)據(jù)一旦寫入,就能夠長(zhǎng)期保存,且在無(wú)電源情況下也不會(huì)丟失數(shù)據(jù)。
該器件的工作原理包括以下幾個(gè)方面:
編程(寫入):通過(guò)特定的編程電壓和時(shí)間,將數(shù)據(jù)寫入EPROM。在寫入過(guò)程中,電子通過(guò)隧道效應(yīng)注入浮柵,改變浮柵電荷狀態(tài),從而改變存儲(chǔ)單元的閾值電壓。
讀取:讀取操作不需要額外的編程電壓,只需要標(biāo)準(zhǔn)的工作電壓。讀取時(shí),通過(guò)檢測(cè)存儲(chǔ)單元的閾值電壓來(lái)判斷存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是“0”還是“1”。
擦除:EPROM的數(shù)據(jù)擦除通常需要紫外線照射。紫外線照射使得浮柵中的電子獲得足夠的能量躍遷至導(dǎo)帶,從而清除浮柵電荷,恢復(fù)存儲(chǔ)單元的初始狀態(tài)。
BQ2022ADBZR通過(guò)單線接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸和控制。這種單線接口極大地簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì),減少了引腳數(shù)量,提高了系統(tǒng)的集成度和可靠性。
三、特點(diǎn)
BQ2022ADBZR具有以下幾個(gè)顯著特點(diǎn):
非易失性存儲(chǔ):數(shù)據(jù)寫入后無(wú)需持續(xù)供電,能夠長(zhǎng)時(shí)間保存,適用于需要長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)的應(yīng)用。
單線接口:通過(guò)單線接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸和控制,減少了系統(tǒng)的引腳數(shù)量和復(fù)雜度,提高了系統(tǒng)的可靠性。
寬工作電壓范圍:支持2.65V到5.5V的寬工作電壓范圍,適用于各種電源環(huán)境下的應(yīng)用。
高可靠性:采用了先進(jìn)的存儲(chǔ)技術(shù),保證數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性和穩(wěn)定性,數(shù)據(jù)保持時(shí)間長(zhǎng)達(dá)10年以上。
小封裝尺寸:采用SOT-23封裝,占用PCB空間小,適用于對(duì)尺寸要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。
四、應(yīng)用
BQ2022ADBZR廣泛應(yīng)用于以下幾個(gè)領(lǐng)域:
電池管理系統(tǒng)(BMS):用于存儲(chǔ)電池參數(shù)和歷史數(shù)據(jù),確保電池管理系統(tǒng)的正常運(yùn)行和數(shù)據(jù)追溯。
醫(yī)療設(shè)備:用于存儲(chǔ)患者數(shù)據(jù)和設(shè)備配置,確保醫(yī)療設(shè)備的可靠性和數(shù)據(jù)安全。
消費(fèi)電子:在智能手機(jī)、平板電腦等消費(fèi)電子設(shè)備中,用于存儲(chǔ)設(shè)備配置信息和用戶數(shù)據(jù)。
工業(yè)控制:在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,用于存儲(chǔ)系統(tǒng)參數(shù)和歷史數(shù)據(jù),確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行和數(shù)據(jù)追溯。
物聯(lián)網(wǎng)(IoT):在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中,用于存儲(chǔ)傳感器數(shù)據(jù)和設(shè)備配置,提高設(shè)備的智能化水平和數(shù)據(jù)安全性。
五、參數(shù)
BQ2022ADBZR的主要參數(shù)如下:
參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
存儲(chǔ)容量 | 1Kbit |
工作電壓范圍 | 2.65V - 5.5V |
存儲(chǔ)類型 | EPROM |
接口類型 | 單線接口 |
數(shù)據(jù)保持時(shí)間 | 10年以上 |
封裝形式 | SOT-23 |
工作溫度范圍 | -40°C to 85°C |
寫入周期 | 10ms (typical) |
擦除周期 | 需要紫外線照射 |
1. 存儲(chǔ)容量
BQ2022ADBZR的存儲(chǔ)容量為1Kbit,即128字節(jié)。每個(gè)字節(jié)可以單獨(dú)編程和讀取,用戶可以根據(jù)需要存儲(chǔ)不同的數(shù)據(jù)。
2. 工作電壓范圍
該器件的工作電壓范圍為2.65V到5.5V,能夠適應(yīng)各種不同的電源環(huán)境,具有較高的電源適應(yīng)性。
3. 存儲(chǔ)類型
作為一種EPROM,BQ2022ADBZR在數(shù)據(jù)保持方面具有顯著優(yōu)勢(shì),能夠在無(wú)電源情況下長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)。
4. 接口類型
采用單線接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸和控制,這種設(shè)計(jì)不僅簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì),還提高了系統(tǒng)的集成度和可靠性。
5. 數(shù)據(jù)保持時(shí)間
BQ2022ADBZR的數(shù)據(jù)保持時(shí)間可達(dá)10年以上,保證了數(shù)據(jù)的長(zhǎng)期可靠性和安全性。
6. 封裝形式
該器件采用SOT-23封裝,占用PCB空間小,適用于對(duì)尺寸要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。
7. 工作溫度范圍
工作溫度范圍為-40°C到85°C,能夠在各種嚴(yán)苛的環(huán)境條件下穩(wěn)定工作。
8. 寫入周期
典型寫入周期為10ms,能夠快速完成數(shù)據(jù)寫入,提高系統(tǒng)的工作效率。
9. 擦除周期
EPROM的擦除需要紫外線照射,這種方式雖然不如電擦除方便,但在實(shí)際應(yīng)用中能夠保證數(shù)據(jù)的安全性和穩(wěn)定性。
BQ2022ADBZR作為一種高可靠性的非易失性存儲(chǔ)器,憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用,成為了各類電子系統(tǒng)中不可或缺的關(guān)鍵器件。在未來(lái)的發(fā)展中,隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用場(chǎng)景的不斷擴(kuò)展,BQ2022ADBZR將繼續(xù)在電子領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
責(zé)任編輯:David
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