英飛凌IRF530NPBF MOS管資料

一、型號(hào)與類(lèi)型

IRF530NPBF是Infineon（英飛凌）公司推出的一款N溝道功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。MOSFET是一種避免電子電路中重要元器件缺陷，具有高輸入阻抗和快速開(kāi)關(guān)速度的器件。

中文描述： 功率場(chǎng)效應(yīng)管, MOSFET, N通道, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, 通孔

英文描述： N-Channel MOSFET，17 A，100 V HEXFET，3-Pin TO-220AB Infineon

數(shù)據(jù)手冊(cè)：http://www.kmzr.net.cn/data/k02-24429425-IRF530NPBF.html

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IRF530NPBF概述

Infineon公司的IRF530NPBF是一款100V單N溝道HEXFET功率MOSFET，TO-220AB封裝.該MOSFET具有極低的單位面積導(dǎo)通電阻，動(dòng)態(tài)dv/dt額定值，堅(jiān)固耐用，快速開(kāi)關(guān)，以及完全雪崩認(rèn)證.這些功率MOSFET具有極高的效率和可靠性，可用于多種應(yīng)用.

漏極至源極電壓:100V

柵-源電壓：±20V

Vgs=10V時(shí)，導(dǎo)通電阻Rds(on)為90mohm

25°C功率耗散Pd:70W

Vgs 10V 25°C時(shí)，連續(xù)漏電流Id:17A

工作結(jié)溫范圍:-55°C至175°C

應(yīng)用

電源管理，工業(yè)，便攜式器材，消費(fèi)電子產(chǎn)品

IRF530NPBF中文參數(shù)

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝/箱體:TO-220-3

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:17 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:90 mOhms

Vgs-柵極-源極電壓:-20 V，+20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Qg-柵極電荷:24.7 nC

最小工作溫度:-55 C

最大工作溫度:+175 C

Pd-功率耗散:79 W

通道模式:Enhancement

晶體管類(lèi)型:1 N-Channel

1.1 N溝道MOSFET

IRF530NPBF屬于N溝道MOSFET，這意味著在導(dǎo)通時(shí)，電子作為主要的載流子從源極流向漏極。N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻較低，在大電流情況下性能優(yōu)越，因此在大功率、高效率的開(kāi)關(guān)電路中廣泛應(yīng)用。

1.2 PBF后續(xù)說(shuō)明

PBF表示“無(wú)鉛”（Pb-Free），表明該器件符合RoHS（有害物質(zhì)限制）指令，即在制造過(guò)程中鉛及其他有害物質(zhì)，符合環(huán)保要求。

二、工作原理

2.1 MOSFET基本原理

MOSFET通過(guò)柵極電壓控制導(dǎo)通與關(guān)斷。當(dāng)在柵極電壓（G）和源極（S）之間施加正電壓時(shí)，N溝道MOSFET在漏極（D）和源極之間形成導(dǎo)電通道，使電流從漏極流向源極，MOSFET進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)；反之，當(dāng)柵極電壓為零或負(fù)值時(shí)，導(dǎo)電通道消失，MOSFET進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)。

2.2 IRF530NPBF的特性

IRF530NPBF的門(mén)限電壓（Vgs(th)）通常為2V至4V之間，即柵極電壓達(dá)到該范圍時(shí)，MOSFET開(kāi)始導(dǎo)通。其最大漏源電壓（Vds）為100V，最大連續(xù)漏極電流（Id）為17A，這些參數(shù)決定了它適用于中高電壓、大電流的場(chǎng)景。

三、特點(diǎn)

IRF530NPBF作為一款高性能的N溝道MOSFET，具有以下顯著特點(diǎn)：

3.1 低導(dǎo)通電阻

IRF530NPBF的導(dǎo)通電阻（Rds(on)）僅為0.09Ω（最大值），低導(dǎo)通電阻意味著在工作過(guò)程中功率損耗小，效率高，發(fā)熱量低，有助于提高整個(gè)電路的可靠性和穩(wěn)定性。

3.2 高速開(kāi)關(guān)能力

MOSFET的開(kāi)關(guān)速度取決于其頻率電容和驅(qū)動(dòng)電路的能力。IRF530NPBF具有較低的頻率電容（典型值為370pF），使其能夠在高頻估算快速響應(yīng)，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源和變頻器等應(yīng)用。

3.3 高耐壓性

IRF530NPBF的漏源電壓（Vds）100V，使其能夠在較高電壓的應(yīng)用程序安全工作中發(fā)揮作用，適用于電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能逆變器等高壓系統(tǒng)。

3.4 寬溫度范圍

IRF530NPBF可以在-55°C至+175°C的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，適應(yīng)各種極端環(huán)境，提高了器件的應(yīng)用靈活性。

四、應(yīng)用

4.1 開(kāi)關(guān)電源

IRF530NPBF常用于開(kāi)關(guān)電源中的功率開(kāi)關(guān)元件。由于其低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)能力，可以提高開(kāi)關(guān)電源的轉(zhuǎn)換效率，減少熱損耗。

4.2 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，IRF530NPBF用于控制電機(jī)的停轉(zhuǎn)和轉(zhuǎn)速。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保電機(jī)在高效、低溫狀態(tài)下運(yùn)行。

4.3 啟示錄

逆變器將直流電接入交流電，避免光伏發(fā)電和不間斷電源系統(tǒng)中。IRF530NPBF作為逆變器中的關(guān)鍵功率器件，能夠承受該電壓和電流，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

4.4 功率放大器

在功率放大器中，IRF530NPBF可作為功率放大元件，提供大電流和高增益輸出，適用于音頻放大器、射頻放大器。

五、參數(shù)

5.1 絕對(duì)授權(quán)值

5.2 電氣特性

5.3 熱特性

IRF530NPBF作為一款高性能的N溝道功率MOSFET，憑借其低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和高耐壓特性，在各種電子電路中得到了廣泛的應(yīng)用。其優(yōu)異的電氣和熱性能，確保在高效能和高可靠性要求的下載，能夠穩(wěn)定工作，滿(mǎn)足各類(lèi)功率轉(zhuǎn)換和控制電路的需求。