安森美MMBT5551LT1G NPN硅高壓晶體管中文資料

1. 型號類型

安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的MMBT5551LT1G是一款NPN硅高壓晶體管。NPN晶體管是一種使用n型半導(dǎo)體材料作為發(fā)射極和集電極，p型半導(dǎo)體材料作為基極的三極管。MMBT5551LT1G屬于小信號晶體管，適用于高電壓應(yīng)用場合。該器件封裝為SOT-23，這是一個小型封裝形式，適合表面貼裝技術(shù)（SMT）的應(yīng)用。

中文描述： 單晶體管，雙極，通用，NPN，160 V，225 mW，600 mA，80 hFE

英文描述： Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

數(shù)據(jù)手冊：http://www.kmzr.net.cn/data/k02-24021174-MMBT5551LT1G.html

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MMBT5551LT1G中文參數(shù)

MMBT5551LT1G概述

MMBT5551LT1G是一款NPN硅高壓晶體管，設(shè)計(jì)用于獨(dú)特的場地與控制變化要求。該晶體管符合PPAP，并符合AEC-Q101要求。

無鹵素

帶S或NSV前綴的制造商部件號具有汽車資格。

應(yīng)用

車用，工業(yè)

2. 工作原理

NPN晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體的p-n結(jié)特性。MMBT5551LT1G作為NPN晶體管，由三個區(qū)域組成：發(fā)射極（E）、基極（B）和集電極（C）。其工作原理可簡要描述如下：

1. 發(fā)射極-基極結(jié)（E-B結(jié)）：在發(fā)射極和基極之間存在一個p-n結(jié)。通過在該結(jié)上施加正向偏壓（發(fā)射極為負(fù)，基極為正），電子從n型發(fā)射極注入到p型基極。

2. 基極-集電極結(jié)（B-C結(jié)）：在基極和集電極之間存在一個反向偏置的p-n結(jié)（基極為負(fù)，集電極為正）。由于反向偏置，電子從基極迅速通過B-C結(jié)進(jìn)入集電極。

3. 電流放大作用：大多數(shù)電子從發(fā)射極注入基極后，不會在基極區(qū)復(fù)合，而是直接通過基極-集電極結(jié)進(jìn)入集電極。這形成了集電極電流（Ic）?；鶚O電流（Ib）只是發(fā)射極電流（Ie）的一小部分，而集電極電流主要由發(fā)射極電流貢獻(xiàn)。因此，NPN晶體管可以實(shí)現(xiàn)電流放大作用。

3. 特點(diǎn)

MMBT5551LT1G具備以下特點(diǎn)：

1. 高電壓承受能力：該晶體管的集電極-發(fā)射極擊穿電壓（Vceo）高達(dá)160V，適合高電壓應(yīng)用場合。

2. 小型封裝：SOT-23封裝使得該器件適合空間受限的應(yīng)用，并支持表面貼裝技術(shù)，提高了組裝效率。

3. 低飽和電壓：具有較低的飽和電壓特性，確保在開關(guān)狀態(tài)下的損耗較小，提高能效。

4. 快速開關(guān)速度：由于其小信號特性，MMBT5551LT1G具有快速的開關(guān)速度，適用于高頻應(yīng)用。

4. 應(yīng)用

MMBT5551LT1G主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

1. 開關(guān)電源：用于電源開關(guān)電路，提供高效率的電能轉(zhuǎn)換。

2. 電機(jī)驅(qū)動電路：在高壓電機(jī)控制電路中，用作驅(qū)動器件。

3. 信號放大：在高壓信號放大電路中，用作放大器件，適用于音頻和射頻信號放大。

4. 保護(hù)電路：在過壓保護(hù)電路中，用作保護(hù)元件，以防止電路中的過電壓損害其他元器件。

5. 參數(shù)

MMBT5551LT1G的主要參數(shù)如下：

1. 電氣參數(shù)：

• 集電極-發(fā)射極擊穿電壓（Vceo）：160V

• 集電極-基極擊穿電壓（Vcbo）：180V

• 發(fā)射極-基極擊穿電壓（Vebo）：6V

• 集電極電流（Ic）：600mA

• 基極電流（Ib）：50mA

2. 熱學(xué)參數(shù)：

• 功耗（Pd）：350mW

• 熱阻（RθJA）：357°C/W（在SOT-23封裝中）

3. 電流增益（hFE）：

• 在Ic = 10mA, Vce = 5V條件下：50到250

4. 飽和電壓：

• 集電極-發(fā)射極飽和電壓（Vce(sat)）：典型值0.25V（Ic = 10mA, Ib = 1mA）

5. 開關(guān)特性：

• 上升時間（tr）：典型值35ns

• 下降時間（tf）：典型值35ns

MMBT5551LT1G作為一種高壓NPN硅晶體管，以其高電壓承受能力、小型封裝、低飽和電壓和快速開關(guān)速度等特點(diǎn)，在開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、信號放大和保護(hù)電路等多種應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用。其主要參數(shù)顯示了該器件在高效能和高可靠性應(yīng)用中的適用性，廣泛應(yīng)用于需要高電壓和高頻操作的電子設(shè)備中。