安森美2N7002KT1G MOS管中文資料


安森美2N7002KT1G MOS管詳細介紹
安森美(ON Semiconductor)2N7002KT1G是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),其主要用于開關(guān)和放大器應用。MOSFET是一種電壓控制的電子開關(guān),因其高速開關(guān)特性和低導通電阻而廣泛應用于各類電子電路中。
廠商名稱:ON安森美
元件分類:MOS管
中文描述: 功率場效應管,MOSFET,N溝道,60 V,380 mA,1.19 ohm,SOT-23,表面安裝
英文描述: Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
數(shù)據(jù)手冊:http://www.kmzr.net.cn/data/k02-24422957-2N7002KT1G.html
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2N7002KT1G中文參數(shù)
通道類型 | N | 晶體管配置 | 單 |
最大連續(xù)漏極電流 | 380 mA | 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
最大漏源電壓 | 60 V | 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
封裝類型 | SOT-23 | 最低工作溫度 | -55 °C |
安裝類型 | 表面貼裝 | 最高工作溫度 | +150 °C |
引腳數(shù)目 | 3 | 典型柵極電荷@Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V |
最大漏源電阻值 | 2.5 Ω | 長度 | 3.04mm |
通道模式 | 增強 | 高度 | 1.01mm |
最大柵閾值電壓 | 2.3V | 寬度 | 1.4mm |
最大功率耗散 | 420 mW | 晶體管材料 | Si |
2N7002KT1G概述
2N7002KT1G是一個N溝道小信號MOSFET,提供60V的漏極源極電壓和320mA的穩(wěn)態(tài)漏極電流。它適用于低壓側(cè)負載開關(guān),電平轉(zhuǎn)換電路,DC-DC轉(zhuǎn)換器,便攜式DSC和PDA應用。
低RDS(開啟)
表面貼裝
無鹵素
ESD保護
-55至150°C的工作結(jié)溫范圍
應用
便攜式器材,消費電子產(chǎn)品,電源管理,工業(yè)
工作原理
MOSFET的工作原理基于其三端結(jié)構(gòu):柵極(Gate)、漏極(Drain)和源極(Source)。N溝道增強型MOSFET的柵極與源極之間施加正電壓時,在半導體表面形成反型層,允許電子在漏極和源極之間導通。當柵極電壓超過閾值電壓(V_GS_th)時,形成導電通道,MOSFET進入導通狀態(tài);當柵極電壓低于閾值電壓時,通道消失,MOSFET處于截止狀態(tài)。該器件的電流流動由漏極電壓(V_DS)和柵源電壓(V_GS)控制。
特點
2N7002KT1G MOS管具有以下特點:
低導通電阻(R_DS(on)):導通電阻低,減少了導通損耗,提高了效率。
高開關(guān)速度:能夠快速切換,適合高頻應用。
高輸入阻抗:柵極輸入阻抗高,減少了對前級驅(qū)動電路的負擔。
低門極電荷(Qg):柵極電荷低,降低了開關(guān)損耗和驅(qū)動功率需求。
高可靠性:耐高電壓和高電流,能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作。
應用
2N7002KT1G MOS管廣泛應用于以下領(lǐng)域:
電源管理:用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和負載開關(guān)。
電機驅(qū)動:用于控制電機的開關(guān)和調(diào)速。
信號放大:在模擬電路中用于信號放大。
開關(guān)電路:在數(shù)字電路中用于邏輯電平轉(zhuǎn)換和開關(guān)控制。
保護電路:用于過壓保護和防反接保護。
參數(shù)
以下是2N7002KT1G的主要電氣參數(shù)和特性:
參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
---|---|
漏源電壓(V_DS) | 60V |
柵源電壓(V_GS) | ±20V |
漏極電流(I_D) | 200mA |
導通電阻(R_DS(on)) | 最大2Ω@V_GS=10V |
閾值電壓(V_GS(th)) | 0.8V - 3V |
漏源擊穿電壓(BVDSS) | 60V |
柵極電荷(Qg) | 2nC |
最大耗散功率(P_D) | 200mW |
工作溫度范圍(T_J) | -55°C 至 +150°C |
封裝類型 | SOT-23 |
漏源電壓(V_DS):最大60V,這意味著該器件能承受的最大漏源電壓為60伏特。
柵源電壓(V_GS):最大±20V,指柵極和源極之間允許施加的最大電壓。
漏極電流(I_D):最大200mA,指漏極允許通過的最大電流。
導通電阻(R_DS(on)):最大值為2Ω(當V_GS=10V時),表明在導通狀態(tài)下的電阻值。
閾值電壓(V_GS(th)):在0.8V到3V之間,指MOSFET開始導通的柵源電壓。
漏源擊穿電壓(BVDSS):為60V,表示漏源間電壓超過此值時會發(fā)生擊穿。
柵極電荷(Qg):為2nC,指完全打開或關(guān)閉MOSFET所需的總柵電荷量。
最大耗散功率(P_D):為200mW,表示器件在規(guī)定條件下能夠耗散的最大功率。
工作溫度范圍(T_J):為-55°C至+150°C,指器件能夠正常工作的環(huán)境溫度范圍。
封裝與外觀
2N7002KT1G MOS管采用SOT-23封裝,具有小體積、高可靠性等特點。SOT-23封裝使其在電路板上占用空間小,適合高密度電路設(shè)計。
封裝的優(yōu)點
體積小:適合小型化電子設(shè)備。
散熱性能好:良好的散熱性能,適合高功率應用。
高可靠性:封裝技術(shù)成熟,穩(wěn)定性高。
綜上所述,安森美2N7002KT1G是一款性能優(yōu)異、應用廣泛的N溝道增強型MOSFET,憑借其低導通電阻、高開關(guān)速度和高可靠性,在各種電子設(shè)備中得到了廣泛應用。無論是在電源管理、電機驅(qū)動還是信號放大和保護電路中,2N7002KT1G都表現(xiàn)出色,是現(xiàn)代電子電路設(shè)計中不可或缺的重要元件。
責任編輯:David
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