国产精品久久久久久亚洲影视,插我舔内射18免费视频,国产+精品+在线观看,国产精品18久久久久久麻辣,丰满少妇69激情啪啪无

0 賣盤信息
BOM詢價
您現(xiàn)在的位置: 首頁 > 電子資訊 >基礎(chǔ)知識 > 安森美2N7002KT1G MOS管中文資料

安森美2N7002KT1G MOS管中文資料

來源:
2024-06-20
類別:基礎(chǔ)知識
eye 10
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

安森美2N7002KT1G MOS管詳細介紹

安森美(ON Semiconductor)2N7002KT1G是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),其主要用于開關(guān)和放大器應用。MOSFET是一種電壓控制的電子開關(guān),因其高速開關(guān)特性和低導通電阻而廣泛應用于各類電子電路中。

2N7002KT1G圖片

廠商名稱:ON安森美

元件分類:MOS管

中文描述: 功率場效應管,MOSFET,N溝道,60 V,380 mA,1.19 ohm,SOT-23,表面安裝

英文描述: Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R

數(shù)據(jù)手冊:http://www.kmzr.net.cn/data/k02-24422957-2N7002KT1G.html

在線購買:立即購買

2N7002KT1G中文參數(shù)

通道類型N晶體管配置
最大連續(xù)漏極電流380 mA最大柵源電壓-20 V、+20 V
最大漏源電壓60 V每片芯片元件數(shù)目1
封裝類型SOT-23最低工作溫度-55 °C
安裝類型表面貼裝最高工作溫度+150 °C
引腳數(shù)目3典型柵極電荷@Vgs0.7 nC @ 4.5 V
最大漏源電阻值2.5 Ω長度3.04mm
通道模式增強高度1.01mm
最大柵閾值電壓2.3V寬度1.4mm
最大功率耗散420 mW晶體管材料Si

2N7002KT1G概述

2N7002KT1G是一個N溝道小信號MOSFET,提供60V的漏極源極電壓和320mA的穩(wěn)態(tài)漏極電流。它適用于低壓側(cè)負載開關(guān),電平轉(zhuǎn)換電路,DC-DC轉(zhuǎn)換器,便攜式DSC和PDA應用。

低RDS(開啟)

表面貼裝

無鹵素

ESD保護

-55至150°C的工作結(jié)溫范圍

應用

便攜式器材,消費電子產(chǎn)品,電源管理,工業(yè)

工作原理

MOSFET的工作原理基于其三端結(jié)構(gòu):柵極(Gate)、漏極(Drain)和源極(Source)。N溝道增強型MOSFET的柵極與源極之間施加正電壓時,在半導體表面形成反型層,允許電子在漏極和源極之間導通。當柵極電壓超過閾值電壓(V_GS_th)時,形成導電通道,MOSFET進入導通狀態(tài);當柵極電壓低于閾值電壓時,通道消失,MOSFET處于截止狀態(tài)。該器件的電流流動由漏極電壓(V_DS)和柵源電壓(V_GS)控制。

特點

2N7002KT1G MOS管具有以下特點:

  1. 低導通電阻(R_DS(on)):導通電阻低,減少了導通損耗,提高了效率。

  2. 高開關(guān)速度:能夠快速切換,適合高頻應用。

  3. 高輸入阻抗:柵極輸入阻抗高,減少了對前級驅(qū)動電路的負擔。

  4. 低門極電荷(Qg):柵極電荷低,降低了開關(guān)損耗和驅(qū)動功率需求。

  5. 高可靠性:耐高電壓和高電流,能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作。

應用

2N7002KT1G MOS管廣泛應用于以下領(lǐng)域:

  1. 電源管理:用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和負載開關(guān)。

  2. 電機驅(qū)動:用于控制電機的開關(guān)和調(diào)速。

  3. 信號放大:在模擬電路中用于信號放大。

  4. 開關(guān)電路:在數(shù)字電路中用于邏輯電平轉(zhuǎn)換和開關(guān)控制。

  5. 保護電路:用于過壓保護和防反接保護。

參數(shù)

以下是2N7002KT1G的主要電氣參數(shù)和特性:

參數(shù)名稱參數(shù)值
漏源電壓(V_DS)60V
柵源電壓(V_GS)±20V
漏極電流(I_D)200mA
導通電阻(R_DS(on))最大2Ω@V_GS=10V
閾值電壓(V_GS(th))0.8V - 3V
漏源擊穿電壓(BVDSS)60V
柵極電荷(Qg)2nC
最大耗散功率(P_D)200mW
工作溫度范圍(T_J)-55°C 至 +150°C
封裝類型SOT-23
  1. 漏源電壓(V_DS):最大60V,這意味著該器件能承受的最大漏源電壓為60伏特。

  2. 柵源電壓(V_GS):最大±20V,指柵極和源極之間允許施加的最大電壓。

  3. 漏極電流(I_D):最大200mA,指漏極允許通過的最大電流。

  4. 導通電阻(R_DS(on)):最大值為2Ω(當V_GS=10V時),表明在導通狀態(tài)下的電阻值。

  5. 閾值電壓(V_GS(th)):在0.8V到3V之間,指MOSFET開始導通的柵源電壓。

  6. 漏源擊穿電壓(BVDSS):為60V,表示漏源間電壓超過此值時會發(fā)生擊穿。

  7. 柵極電荷(Qg):為2nC,指完全打開或關(guān)閉MOSFET所需的總柵電荷量。

  8. 最大耗散功率(P_D):為200mW,表示器件在規(guī)定條件下能夠耗散的最大功率。

  9. 工作溫度范圍(T_J):為-55°C至+150°C,指器件能夠正常工作的環(huán)境溫度范圍。

封裝與外觀

2N7002KT1G MOS管采用SOT-23封裝,具有小體積、高可靠性等特點。SOT-23封裝使其在電路板上占用空間小,適合高密度電路設(shè)計。

封裝的優(yōu)點

  1. 體積小:適合小型化電子設(shè)備。

  2. 散熱性能好:良好的散熱性能,適合高功率應用。

  3. 高可靠性:封裝技術(shù)成熟,穩(wěn)定性高。

綜上所述,安森美2N7002KT1G是一款性能優(yōu)異、應用廣泛的N溝道增強型MOSFET,憑借其低導通電阻、高開關(guān)速度和高可靠性,在各種電子設(shè)備中得到了廣泛應用。無論是在電源管理、電機驅(qū)動還是信號放大和保護電路中,2N7002KT1G都表現(xiàn)出色,是現(xiàn)代電子電路設(shè)計中不可或缺的重要元件。

責任編輯:David

【免責聲明】

1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對本文的引用持有異議,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。

2、本文的引用僅供讀者交流學習使用,不涉及商業(yè)目的。

3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內(nèi)容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關(guān)結(jié)果。

4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責任的權(quán)利。

拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權(quán)。

相關(guān)資訊

資訊推薦
云母電容公司_云母電容生產(chǎn)廠商

云母電容公司_云母電容生產(chǎn)廠商

74ls74中文資料匯總(74ls74引腳圖及功能_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及應用電路)

74ls74中文資料匯總(74ls74引腳圖及功能_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及應用電路)

開關(guān)三極管13007的規(guī)格參數(shù)、引腳圖、開關(guān)電源電路圖?三極管13007可以用什么型號替代?

開關(guān)三極管13007的規(guī)格參數(shù)、引腳圖、開關(guān)電源電路圖?三極管13007可以用什么型號替代?

芯片lm2596s開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器的中文資料_引腳圖及功能_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理圖_電路圖及封裝

芯片lm2596s開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器的中文資料_引腳圖及功能_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理圖_電路圖及封裝

芯片UA741運算放大器的資料及參數(shù)_引腳圖及功能_電路原理圖?ua741運算放大器的替代型號有哪些?

芯片UA741運算放大器的資料及參數(shù)_引腳圖及功能_電路原理圖?ua741運算放大器的替代型號有哪些?

28nm光刻機卡住“02專項”——對于督工部分觀點的批判(睡前消息353期)

28nm光刻機卡住“02專項”——對于督工部分觀點的批判(睡前消息353期)

拍明芯城微信圖標

各大手機應用商城搜索“拍明芯城”

下載客戶端,隨時隨地買賣元器件!

拍明芯城公眾號
拍明芯城抖音
拍明芯城b站
拍明芯城頭條
拍明芯城微博
拍明芯城視頻號
拍明
廣告
恒捷廣告
廣告
深亞廣告
廣告
原廠直供
廣告