安森美BSS138 MOS管中文資料

一、型號類型及概述

安森美半導體（ON Semiconductor）是全球領先的半導體公司之一，提供全面的半導體解決方案。BSS138是一種N溝道增強型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），廣泛應用于各種電子電路中。

BSS138 MOS管屬于小信號MOSFET，主要特點是低導通電阻和高開關速度。該器件采用SOT-23封裝，非常適合表面貼裝技術，廣泛用于低電壓開關和信號處理應用。其主要型號有標準型、增強型等，這些型號在電氣特性上有所差異，但在基本結構和工作原理上是一致的。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：MOS管

中文描述： MOSFET，N溝道，Si，Vds=50 V，220 mA，3引腳SOT-23封裝

英文描述： MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23

數(shù)據(jù)手冊：http://www.kmzr.net.cn/data/k02-36773881-BSS138.html

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BSS138中文參數(shù)

BSS138概述

BSS138是采用飛兆半導體專有的高單元密度DMOS技術生產(chǎn)的50V N通道邏輯電平增強模式場效應晶體管。該器件的設計旨在最大程度地降低導通電阻，同時提供堅固，可靠和快速的開關性能。它特別適用于低電壓，低電流應用，例如小型伺服電機控制，功率MOSFET柵極驅動器和其他開關應用。該產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應用。

高密度電池設計，可實現(xiàn)極低的RDS(ON)

堅固可靠

±20V柵極電源電壓(VGSS)

350°C/W熱阻，與環(huán)境連接

應用

工業(yè)，電機驅動與控制，電源管理

二、工作原理

MOSFET（場效應晶體管）是一種通過電場效應來控制電流的半導體器件。BSS138作為N溝道增強型MOSFET，其工作原理如下：

1. 結構：BSS138由P型襯底、源極（S）、漏極（D）和柵極（G）組成。在P型襯底上，形成兩個N型區(qū)域，分別作為源極和漏極。柵極與源漏極之間通過二氧化硅（SiO2）絕緣層隔開。

2. 工作機制：

• 關閉狀態(tài)：當柵極電壓（V_GS）小于閾值電壓（V_th）時，MOSFET處于關閉狀態(tài)，漏極與源極之間的導通通道未形成，漏極電流（I_D）幾乎為零。

• 開啟狀態(tài)：當V_GS大于V_th時，柵極電場誘導在P型襯底上形成一個反型層，連接源極和漏極，形成導通通道。此時，漏極電流I_D與漏源電壓（V_DS）和柵源電壓（V_GS）有關。

3. 導通區(qū)和飽和區(qū)：

• 線性區(qū)（導通區(qū)）：V_DS較小，I_D與V_DS呈線性關系，主要受柵極電壓控制。

• 飽和區(qū)：V_DS較大，I_D趨于飽和，主要受柵極電壓控制。

三、特點

BSS138 MOS管具有以下顯著特點：

1. 低導通電阻：在導通狀態(tài)下，導通電阻R_DS(on)較低，減少了功率損耗。

2. 高開關速度：開關速度快，適用于高速開關電路。

3. 低柵極驅動電壓：能夠在較低的柵極電壓下實現(xiàn)開啟，有助于節(jié)能。

4. 小封裝尺寸：SOT-23封裝，適合高密度電路板設計。

5. 高輸入阻抗：由于柵極與通道之間存在絕緣層，輸入阻抗非常高，幾乎沒有直流電流流入柵極。

四、應用

BSS138 MOS管因其優(yōu)異的電氣特性和小型封裝，在各種電子應用中廣泛使用：

1. 開關電路：用于低電壓開關電路，如電源開關、負載開關等。

2. 信號處理：用于模擬開關、信號放大和調(diào)制解調(diào)等電路。

3. 電源管理：用于DC-DC轉換器、穩(wěn)壓器和電池管理系統(tǒng)。

4. 通信設備：應用于無線通信設備的射頻開關和低噪聲放大器。

5. 消費電子：用于手機、筆記本電腦、智能家居設備中的電源和信號控制。

五、主要參數(shù)

了解BSS138的關鍵參數(shù)對其應用選擇至關重要，以下是其主要參數(shù)：

1. 最大漏源電壓（V_DS）：50V - 這是漏極與源極之間可以承受的最大電壓。

2. 最大柵源電壓（V_GS）：±20V - 這是柵極與源極之間可以承受的最大電壓。

3. 最大漏極電流（I_D）：200mA - 在特定條件下，漏極可以通過的最大電流。

4. 導通電阻（R_DS(on)）：1.5Ω（V_GS=10V） - 在一定柵源電壓下的導通狀態(tài)電阻。

5. 閾值電壓（V_th）：1-2.5V - MOSFET開始導通的柵源電壓。

6. 總柵極電荷（Q_g）：2nC - 用于估算柵極驅動所需的能量。

7. 結電容（C_iss）：58pF - 反映器件的輸入電容，影響開關速度。

8. 功耗（P_D）：300mW - 最大允許功耗，決定了器件在工作時的熱管理要求。

六、實際應用中的注意事項

在實際應用中，設計者需注意以下幾點，以確保BSS138的性能和可靠性：

1. 熱管理：盡管BSS138具有較高的功率密度，但在高電流和高頻率應用中，熱管理至關重要。應考慮散熱措施，如增加散熱銅箔或使用散熱片。

2. ESD保護：MOSFET對靜電敏感，需采取適當?shù)姆漓o電措施，避免器件損壞。

3. 驅動電路：設計合適的柵極驅動電路，確保提供足夠的柵極電壓和驅動電流，尤其在高頻開關應用中，驅動能力直接影響開關速度和效率。

4. 電壓應力：在設計電路時，應確保工作電壓不超過器件的最大額定電壓，避免擊穿損壞。

總結

安森美BSS138 MOS管因其低導通電阻、高開關速度和小型封裝，成為低電壓開關和信號處理應用的理想選擇。在實際應用中，設計者需合理考慮熱管理、靜電防護和驅動電路設計，以充分發(fā)揮其優(yōu)異性能。通過了解其關鍵參數(shù)和應用領域，可以更好地選擇和使用BSS138 MOS管，從而提升電子設備的整體性能和可靠性。