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ON安森美1N5822RLG肖特基二極管中文資料

來(lái)源:
2024-06-26
類(lèi)別:基礎(chǔ)知識(shí)
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文章創(chuàng)建人 拍明芯城

ON安森美1N5822RLG肖特基二極管中文資料

一、概述

1N5822RLG是由安森美(ON Semiconductor)公司生產(chǎn)的一款肖特基二極管。肖特基二極管因其快速恢復(fù)時(shí)間和低正向壓降在許多應(yīng)用中得到廣泛使用。1N5822RLG具有高效率和低功耗的優(yōu)點(diǎn),適用于各種電源和功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

1N5822RLG圖片

廠商名稱:ON安森美

元件分類(lèi):肖特基二極管

中文描述: 肖特基整流器,40V,3A,單,DO-201AD,2引腳,525 mV

英文描述: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES 20,30,40 VOLTS

數(shù)據(jù)手冊(cè):http://www.kmzr.net.cn/data/k02-24423129-1N5822RLG.html

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1N5822RLG概述

1N5822RLG是一款采用環(huán)氧樹(shù)脂模制外殼的軸向引線肖特基勢(shì)壘整流器。該系列在大面積金屬硅功率二極管中采用肖特基勢(shì)壘原理。最先進(jìn)的幾何結(jié)構(gòu)具有鉻阻擋金屬、具有氧化物鈍化和金屬重疊接觸的外延結(jié)構(gòu)。它非常適合用作低壓、高頻逆變器、續(xù)流二極管和極性保護(hù)二極管中的整流器。

極性帶表示的陰極

極低的VF

低功耗/高效率

低存儲(chǔ)電荷,多數(shù)載流子傳導(dǎo)

所有外表面耐腐蝕

應(yīng)用

電源管理,工業(yè)

1N5822RLG中文參數(shù)

制造商:onsemi

產(chǎn)品種類(lèi):肖特基二極管與整流器

產(chǎn)品:Schottky Diodes

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝/箱體:DO-201AD-2

配置:Single

技術(shù):Si

If-正向電流:3 A

Vrrm-重復(fù)反向電壓:40 V

Vf-正向電壓:950 mV

Ifsm-正向浪涌電流:80 A

Ir-反向電流:2 mA

最小工作溫度:-65 C

最大工作溫度:+125 C

1N5822RLG引腳圖

image.png

二、型號(hào)類(lèi)型及其后綴含義

1N5822RLG型號(hào)的命名規(guī)則中,各部分具有特定含義:

  • 1N5822:表示其為肖特基二極管,1N表示其為一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的二極管系列,5822則是具體型號(hào)。

  • RLG:后綴部分“R”表示該器件具有反向電流保護(hù)特性,“L”表示其符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)(如無(wú)鉛),“G”表示其封裝形式為通孔封裝。

三、工作原理

肖特基二極管的工作原理基于肖特基勢(shì)壘的形成。肖特基二極管是由金屬和半導(dǎo)體接觸形成的,它與傳統(tǒng)的PN結(jié)二極管不同,沒(méi)有PN結(jié),而是通過(guò)金屬和N型半導(dǎo)體之間的接觸來(lái)形成一個(gè)低電勢(shì)壘。其主要原理如下:

  1. 金屬-半導(dǎo)體接觸:當(dāng)金屬和N型半導(dǎo)體接觸時(shí),電子從半導(dǎo)體向金屬擴(kuò)散,形成一個(gè)耗盡區(qū)。

  2. 勢(shì)壘形成:由于電子的擴(kuò)散,金屬一側(cè)形成了正電荷,半導(dǎo)體一側(cè)形成了負(fù)電荷,從而形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘。

  3. 導(dǎo)通狀態(tài):當(dāng)外加正向電壓時(shí),電子可以很容易地越過(guò)肖特基勢(shì)壘,使二極管導(dǎo)通。

  4. 反向阻斷:當(dāng)外加反向電壓時(shí),肖特基勢(shì)壘阻止了電子的流動(dòng),從而使二極管處于阻斷狀態(tài)。

四、特點(diǎn)

1N5822RLG肖特基二極管具有以下幾個(gè)顯著特點(diǎn):

  1. 低正向壓降:典型值為0.525V,使其在導(dǎo)通狀態(tài)下具有較低的功耗。

  2. 快速恢復(fù)時(shí)間:由于沒(méi)有少子載流子的存儲(chǔ)效應(yīng),肖特基二極管的恢復(fù)時(shí)間非常短,適合高頻應(yīng)用。

  3. 高效率:由于低正向壓降和快速恢復(fù)時(shí)間,1N5822RLG在整流和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中效率較高。

  4. 高溫穩(wěn)定性:能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,最大結(jié)溫可達(dá)150°C。

  5. 高電流容量:平均正向電流可達(dá)3A,適用于大電流應(yīng)用。

五、應(yīng)用

1N5822RLG肖特基二極管廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:

  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS):在開(kāi)關(guān)電源中,1N5822RLG用于輸出整流,能有效減少功率損耗,提高效率。

  2. 功率轉(zhuǎn)換器:在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,肖特基二極管用于高效能量傳輸。

  3. 反向電壓保護(hù):用于保護(hù)電路不受反向電壓的損害,確保電路穩(wěn)定運(yùn)行。

  4. 電池充電器:在電池充電器中,肖特基二極管用于整流和電流調(diào)節(jié)。

  5. 太陽(yáng)能電池板:在太陽(yáng)能電池板系統(tǒng)中,用于防止電池板反向放電,提高系統(tǒng)效率。

六、參數(shù)

1N5822RLG的主要電氣參數(shù)如下:

  1. 最大重復(fù)峰值反向電壓(VRRM):40V

  2. 最大平均正向電流(IF(AV)):3A

  3. 最大正向電流(IFSM):80A(非重復(fù),8.3ms單一半波正弦波)

  4. 最大正向壓降(VF):0.525V(IF = 3A時(shí))

  5. 反向漏電流(IR):1mA(VR = 40V時(shí))

  6. 工作結(jié)溫范圍(TJ):-55°C 至 +150°C

  7. 儲(chǔ)存溫度范圍(Tstg):-55°C 至 +150°C

七、封裝形式

1N5822RLG提供以下幾種封裝形式:

  1. DO-201AD:通孔封裝,適用于大電流應(yīng)用。

  2. 表面貼裝封裝:適用于表面貼裝技術(shù)(SMT)應(yīng)用,有效節(jié)省電路板空間。

八、優(yōu)勢(shì)分析

  1. 效率高:由于低正向壓降,1N5822RLG在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能顯著提高電路效率。

  2. 高可靠性:適用于高溫高壓環(huán)境,穩(wěn)定性和可靠性高。

  3. 多種封裝選擇:適應(yīng)不同應(yīng)用場(chǎng)景需求,提供靈活的設(shè)計(jì)方案。

通過(guò)以上詳細(xì)的介紹,可以看出1N5822RLG肖特基二極管在電源管理、整流和功率轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,其卓越的電氣性能和可靠性使其成為許多電子設(shè)計(jì)中的首選器件。

責(zé)任編輯:David

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