NDS331N MOS管中文資料

NDS331N 是 ON 安森美半導(dǎo)體推出的一款 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。這種類型的 MOSFET 以其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度著稱，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電路中。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：MOS管

中文描述： 功率場效應(yīng)管，MOSFET，N溝道，20 V，1.3 A，0.11 ohm，SuperSOT，表面安裝

英文描述： MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode

數(shù)據(jù)手冊：http://www.kmzr.net.cn/data/k02-36711089-NDS331N.html

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NDS331N概述

NDS331N是一款N溝道邏輯電平增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管，采用高單元密度，DMOS技術(shù).這種非常高密度的工藝特別適合降低導(dǎo)通電阻.適用于PCMCIA卡與其他電池供電電路的低電壓應(yīng)用，其中需要非常小的表面安裝封裝，以及快速開關(guān)與低功耗.

高密度單元設(shè)計(jì)，極低RDS(ON)

卓越的導(dǎo)通電阻與最大DC電流能力

應(yīng)用

電源管理，計(jì)算機(jī)和計(jì)算機(jī)周邊

NDS331N中文參數(shù)

晶體管極性:N溝道

漏源電壓，Vds:20V

電流，Id連續(xù):1.3A

在電阻RDS(上):0.11ohm

晶體管封裝類型:SuperSOT

晶體管安裝:表面安裝

電壓 Rds測量:4.5V

閾值電壓Vgs:700mV

功耗Pd:500mW

針腳數(shù):3引腳

工作溫度最高值:150°C

NDS331N引腳圖

N 溝道 MOSFET

NDS331N 屬于 N 溝道 MOSFET，這意味著當(dāng)施加正向柵極電壓時(shí)，器件導(dǎo)通，并允許電流從漏極流向源極。相比 P 溝道 MOSFET，N 溝道 MOSFET 通常具有更低的導(dǎo)通電阻和更高的電子遷移率，因而在開關(guān)應(yīng)用中更受歡迎。

工作原理

基本結(jié)構(gòu)

NDS331N MOSFET 的基本結(jié)構(gòu)包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個(gè)主要電極。柵極與源極之間有一層薄薄的絕緣氧化物層，當(dāng)在柵極施加電壓時(shí)，會在氧化物層下方的半導(dǎo)體材料中形成一個(gè)導(dǎo)電通道。

導(dǎo)通與關(guān)斷

當(dāng)柵極電壓超過閾值電壓（V_GS(th)）時(shí)，MOSFET 導(dǎo)通，形成從漏極到源極的低阻抗通道，允許電流通過。相反，當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí)，通道關(guān)閉，MOSFET 處于關(guān)斷狀態(tài)，阻止電流流動(dòng)。

電流控制

MOSFET 的電流主要受柵極電壓控制。對于 NDS331N，隨著柵極電壓的增加，通道中的電子數(shù)量增加，導(dǎo)通電阻降低，漏極電流增大。通過精確控制柵極電壓，可以實(shí)現(xiàn)對漏極電流的調(diào)節(jié)。

特點(diǎn)

低導(dǎo)通電阻

NDS331N 的導(dǎo)通電阻非常低，典型值為 0.065 歐姆。這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，漏極到源極的電壓降非常小，從而提高了效率，減少了功耗。

高開關(guān)速度

由于 MOSFET 的電子遷移率高，NDS331N 具有快速的開關(guān)速度。這使其非常適合于高頻應(yīng)用，如開關(guān)電源和 PWM 控制電路。

低柵極電荷

NDS331N 具有低柵極電荷特性，這意味著在開關(guān)過程中所需的能量較少，從而減少了驅(qū)動(dòng)電路的功耗，提高了整體效率。

高可靠性

ON 安森美半導(dǎo)體的 NDS331N 經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和測試，具有高可靠性和穩(wěn)定性，能夠在各種嚴(yán)苛的環(huán)境條件下工作。

應(yīng)用

開關(guān)電源

由于其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度，NDS331N 常用于開關(guān)電源中，作為開關(guān)元件來實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。

DC-DC 轉(zhuǎn)換器

在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中，NDS331N 可以用作主開關(guān)，控制能量的傳遞和轉(zhuǎn)換，提高轉(zhuǎn)換效率。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)

NDS331N 也廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，利用其高開關(guān)速度來實(shí)現(xiàn)精確的電機(jī)控制。

PWM 控制

由于其快速的響應(yīng)時(shí)間，NDS331N 是 PWM 控制電路中的理想選擇，可以實(shí)現(xiàn)高精度的脈寬調(diào)制。

參數(shù)

絕對最大額定值

• 漏極-源極電壓（V_DS）: 30V

• 柵極-源極電壓（V_GS）: ±20V

• 連續(xù)漏極電流（I_D）: 1.3A（T_A = 25°C）

• 脈沖漏極電流（I_DM）: 5.2A

電特性（T_A = 25°C，除非另有說明）

• 漏極-源極導(dǎo)通電阻（R_DS(on））: 0.065Ω（V_GS = 10V，I_D = 1.3A）

• 柵極-源極閾值電壓（V_GS(th））: 1.0-2.5V

• 漏極-源極漏電流（I_DSS）: 1μA（V_DS = 24V，V_GS = 0V）

• 柵極電荷（Q_g）: 3nC（V_GS = 4.5V，V_DS = 15V）

熱特性

• 結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻（R_θJA）: 125°C/W

• 結(jié)點(diǎn)至引線熱阻（R_θJL）: 85°C/W

封裝與尺寸

NDS331N 采用 SOT-23 封裝，適用于表面貼裝技術(shù)（SMT），其小尺寸和低輪廓使其非常適合于緊湊型電路設(shè)計(jì)。

封裝尺寸

• 引腳數(shù)量: 3

• 封裝類型: SOT-23

• 引腳間距: 0.95mm

• 封裝高度: 1.0mm

• 封裝長度: 2.9mm

• 封裝寬度: 1.3mm

總結(jié)

NDS331N MOS管作為一種高效、低功耗、高可靠性的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電路中。其低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和低柵極電荷特性使其成為開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 PWM 控制電路中的理想選擇。ON 安森美半導(dǎo)體的優(yōu)質(zhì)制造工藝和嚴(yán)格的質(zhì)量控制確保了 NDS331N 在各種應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。