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ON安森美DTC144EET1G NPN雙極數(shù)字偏置電阻晶體管(BRT)中文資料

來源:
2024-06-27
類別:基礎(chǔ)知識
eye 25
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

安森美DTC144EET1G NPN雙極數(shù)字偏置電阻晶體管(BRT)

安森美(ON Semiconductor)生產(chǎn)的DTC144EET1G是一款NPN雙極數(shù)字偏置電阻晶體管(Digital Bias Resistor Transistor,簡稱BRT)。這類晶體管在其內(nèi)部集成了兩個電阻,一個是基極電阻,一個是基極-發(fā)射極電阻。這種結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)簡化了外部電路,減少了元件數(shù)量和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。

DTC系列是安森美的一個重要產(chǎn)品線,其中包括多個不同型號的BRT,除了DTC144EET1G之外,還有DTC114E、DTC124E等。不同型號之間的主要區(qū)別在于其內(nèi)部電阻值的不同,用戶可以根據(jù)具體的電路需求選擇適合的型號。

DTC144EET1G圖片

廠商名稱:ON安森美

元件分類:晶體管

中文描述: 晶體管,雙極預(yù)偏置/數(shù)字,BRT,單路NPN,50 V,100 mA,47 kohm,47 kohm

英文描述: NPN Bipolar Digital Transistor(BRT),SC-75(SOT-416)3 LEAD,3000-REEL

數(shù)據(jù)手冊:http://www.kmzr.net.cn/data/k02-24039002-DTC144EET1G.html

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DTC144EET1G概述

DTC144EET1G是一款NPN雙極數(shù)字偏置電阻晶體管(BRT),旨在替代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。BRT包含一個帶有單片偏置網(wǎng)絡(luò)的晶體管,該網(wǎng)絡(luò)由兩個電阻組成,一個串聯(lián)基極電阻和一個基極-發(fā)射極電阻。BRT通過將單個組件集成到單個設(shè)備中來消除單個組件。

簡化電路設(shè)計(jì)

減少電路板空間

減少組件數(shù)量

無鹵素

AEC-Q101合格和PPAP能力

應(yīng)用

工業(yè),電源管理,車用

DTC144EET1G中文參數(shù)

數(shù)字晶體管極性:單路NPN

集電極發(fā)射電壓,Vceo:50V

集電極連續(xù)電流:100毫安

基極輸入電阻R1:47kohm

電阻,基極-發(fā)射極,R2:47kohm

電阻比R1/R2:-

射頻晶體管封裝:SC-75

晶體管安裝:表面安裝

引腳數(shù):3引腳

產(chǎn)品范圍:DTC144E

汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn):AEC-Q101

DTC144EET1G引腳圖

image.png

工作原理

DTC144EET1G的工作原理基于NPN雙極型晶體管的基本工作特性。NPN晶體管由三個區(qū)域構(gòu)成:發(fā)射極(E)、基極(B)和集電極(C)。在DTC144EET1G中,基極電阻(R1)和基極-發(fā)射極電阻(R2)的集成使得輸入信號可以直接施加到基極,而不需要額外的外部偏置電阻。具體工作原理如下:

  1. 導(dǎo)通狀態(tài):當(dāng)基極-發(fā)射極電壓(V_BE)超過晶體管的導(dǎo)通電壓(一般約為0.7V),晶體管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài),集電極電流(I_C)開始流動。這時,發(fā)射極和集電極之間形成低阻抗路徑,允許電流通過。

  2. 截止?fàn)顟B(tài):當(dāng)基極-發(fā)射極電壓低于導(dǎo)通電壓,晶體管處于截止?fàn)顟B(tài),集電極電流幾乎為零,發(fā)射極和集電極之間為高阻抗?fàn)顟B(tài)。

  3. 放大狀態(tài):在放大狀態(tài)下,基極電流(I_B)的微小變化會引起集電極電流(I_C)的大幅變化,實(shí)現(xiàn)電流放大。集成的基極電阻(R1)限制了基極電流,從而保護(hù)晶體管,避免過大的電流損壞器件。

特點(diǎn)

DTC144EET1G具有以下特點(diǎn):

  1. 內(nèi)置偏置電阻:內(nèi)置的基極電阻(R1)和基極-發(fā)射極電阻(R2)簡化了電路設(shè)計(jì),減少了外部元件數(shù)量。

  2. 小型封裝:采用小型SOT-23封裝,適合高密度電路板設(shè)計(jì)。

  3. 低功耗:由于內(nèi)置電阻的存在,晶體管在截止?fàn)顟B(tài)下的功耗極低,非常適合低功耗應(yīng)用。

  4. 高可靠性:集成電阻減少了外部連接點(diǎn),從而提高了電路的可靠性和穩(wěn)定性。

  5. 通用性強(qiáng):適用于各種數(shù)字電路和開關(guān)電路,具有廣泛的應(yīng)用前景。

應(yīng)用

DTC144EET1G廣泛應(yīng)用于各種電子電路中,尤其是在需要數(shù)字信號處理和開關(guān)功能的場合。具體應(yīng)用包括:

  1. 信號開關(guān):在數(shù)字電路中用作信號開關(guān),控制信號的通斷。

  2. 電平轉(zhuǎn)換:用于不同電壓電平之間的信號轉(zhuǎn)換,適用于混合電壓系統(tǒng)。

  3. 緩沖器:用作緩沖器,以隔離前后級電路,防止信號干擾。

  4. LED驅(qū)動:用于驅(qū)動LED燈,控制其開關(guān)和亮度。

  5. 保護(hù)電路:在電源和負(fù)載之間提供過流保護(hù),防止電路損壞。

參數(shù)

DTC144EET1G的主要技術(shù)參數(shù)如下:

  1. 集電極-基極電壓(V_CBO):50V

  2. 集電極-發(fā)射極電壓(V_CEO):50V

  3. 發(fā)射極-基極電壓(V_EBO):5V

  4. 集電極電流(I_C):100mA

  5. 集電極功耗(P_C):200mW

  6. 基極電阻(R1):47kΩ

  7. 基極-發(fā)射極電阻(R2):47kΩ

  8. 集電極飽和電壓(V_CE(sat)):0.1V(典型值)

  9. 過渡頻率(f_T):250MHz

  10. 工作溫度范圍:-55℃至150℃

結(jié)論

綜上所述,DTC144EET1G作為一款NPN雙極數(shù)字偏置電阻晶體管,具有內(nèi)置偏置電阻、小型封裝、低功耗和高可靠性等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于信號開關(guān)、電平轉(zhuǎn)換、緩沖器、LED驅(qū)動和保護(hù)電路等場合。其集成電阻的設(shè)計(jì)不僅簡化了電路設(shè)計(jì),還提高了電路的穩(wěn)定性和可靠性。作為一種高效、可靠的電子元件,DTC144EET1G在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中發(fā)揮著重要作用。


責(zé)任編輯:David

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