BSS138L MOS管中文資料

BSS138L是一款N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管，屬于MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）類別。該型號由ON安森美半導(dǎo)體公司生產(chǎn)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于各種電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中。

BSS138L的封裝類型通常為SOT-23，這是一種小型表面貼裝封裝，適合現(xiàn)代電子設(shè)備的高密度集成需求。SOT-23封裝不僅體積小巧，而且有利于電路板的自動化焊接，提高了生產(chǎn)效率。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：MOS管

中文描述： 功率場效應(yīng)管,MOSFET,溝,N溝道,50 V,200 mA,2.78 ohm,SOT-23,表面安裝

英文描述： MOSFET,N-CHANNEL,50V,0.2A,SOT-23-3

數(shù)據(jù)手冊：http://www.kmzr.net.cn/data/k02-36639076-BSS138L.html

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BSS138L概述

BSS138L N溝道功率MOSFET的典型應(yīng)用為DC-DC轉(zhuǎn)換器、便攜式電池供電產(chǎn)品中的電源管理，如計(jì)算機(jī)、打印機(jī)、PCMCIA卡、手機(jī)和無繩電話。

特性

低閾值電壓

低壓應(yīng)用的理想選擇

微型SOT-23表面貼裝封裝

優(yōu)勢

節(jié)省電路板空間

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用

DC-DC轉(zhuǎn)換器

能源管理

終端產(chǎn)品

電腦

打印機(jī)

PCMCIA卡

蜂窩電話和無繩電話

BSS138L中文參數(shù)

晶體管極性:N溝道

電流,Id連續(xù):200mA

漏源電壓,Vds:50V

在電阻RDS(上):2.78ohm

電壓Rds測量:5V

閾值電壓Vgs:1.25V

晶體管安裝:表面安裝

功耗Pd:350mW

晶體管封裝類型:SOT-23

針腳數(shù):3引腳

工作溫度最高值:150°C

BSS138L引腳圖

工作原理

BSS138L MOS管的工作原理基于場效應(yīng)晶體管的基本工作機(jī)制。MOSFET有三個(gè)主要的引腳：柵極（Gate）、漏極（Drain）和源極（Source）。N溝道MOSFET的工作原理如下：

1. 柵極控制：通過柵極電壓控制漏極和源極之間的導(dǎo)通與關(guān)斷。當(dāng)柵極電壓高于源極電壓的閾值電壓（V_GS(th)）時(shí)，MOSFET導(dǎo)通，漏極和源極之間形成低阻抗通道，電流可以流過。

2. 增強(qiáng)型模式：BSS138L為增強(qiáng)型MOSFET，即在柵極電壓為0時(shí)，MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)。只有當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí)，漏極和源極之間的通道才會導(dǎo)通。

3. 電流流動：當(dāng)MOSFET導(dǎo)通后，電流從漏極流向源極（對于N溝道）。電流的大小取決于漏極和源極之間的電壓差（V_DS）和柵極電壓（V_GS）。

特點(diǎn)

BSS138L MOS管具有以下幾個(gè)顯著特點(diǎn)：

1. 低導(dǎo)通電阻：BSS138L的R_DS(on)值較低，通常在幾百毫歐范圍內(nèi)。這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET的電壓降和功耗較低。

2. 快速開關(guān)速度：由于其較低的柵極電荷，BSS138L可以實(shí)現(xiàn)快速的開關(guān)速度，適用于高頻開關(guān)電路。

3. 小封裝尺寸：SOT-23封裝使得BSS138L適合高密度電路板設(shè)計(jì)，節(jié)省空間。

4. 低柵極電壓驅(qū)動：BSS138L可以在較低的柵極電壓下工作，適合與3.3V或5V邏輯電平兼容。

應(yīng)用

BSS138L MOS管在各種電子電路中有著廣泛的應(yīng)用，主要包括：

1. 負(fù)載開關(guān)：BSS138L常用于控制各種負(fù)載，如LED、繼電器和電機(jī)等。

2. 電源管理：在電源管理電路中，BSS138L可以用于實(shí)現(xiàn)電源開關(guān)、穩(wěn)壓器和電池管理系統(tǒng)。

3. 信號開關(guān)：在高頻和高速信號傳輸電路中，BSS138L可以用作信號開關(guān)器件。

4. 保護(hù)電路：BSS138L可用于過壓保護(hù)和過流保護(hù)電路，保護(hù)敏感電子元件免受損壞。

5. 邏輯電平轉(zhuǎn)換：在不同邏輯電平電路間進(jìn)行轉(zhuǎn)換，確保系統(tǒng)兼容性。

參數(shù)

BSS138L的主要參數(shù)如下：

1. 漏極-源極電壓（V_DS）：最大可承受電壓為50V。

2. 柵極-源極電壓（V_GS）：最大可承受電壓為±20V。

3. 漏極電流（I_D）：最大連續(xù)漏極電流為200mA。

4. 漏極源極導(dǎo)通電阻（R_DS(on））：在V_GS = 10V時(shí)，典型值為3Ω；在V_GS = 4.5V時(shí)，典型值為4Ω。

5. 閾值電壓（V_GS(th））：典型值為1.3V，最大值為2.5V。

6. 總柵極電荷（Q_g）：典型值為2.5nC。

7. 輸入電容（C_iss）：典型值為20pF。

8. 開關(guān)速度：典型的上升時(shí)間（t_r）為10ns，下降時(shí)間（t_f）為8ns。

這些參數(shù)使得BSS138L在各種應(yīng)用中表現(xiàn)出色，特別是對于需要高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場合。

結(jié)論

綜上所述，BSS138L是一款性能優(yōu)異的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和小封裝尺寸等特點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于負(fù)載開關(guān)、電源管理、信號開關(guān)、保護(hù)電路和邏輯電平轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，為現(xiàn)代電子設(shè)備提供了可靠、高效的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中，根據(jù)具體的電路需求選擇合適的驅(qū)動電壓和工作參數(shù)，可以充分發(fā)揮BSS138L的性能優(yōu)勢。