onsemi 2N7000BU MOS管中文資料

一、概述

2N7000BU是由onsemi公司生產(chǎn)的一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET。這種MOSFET因其低導(dǎo)通電阻和高輸入阻抗的特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種電子電路中，尤其適用于開關(guān)和放大電路。

廠商名稱：onsemi

元件分類：MOS管

中文描述： 功率場(chǎng)效應(yīng)管，MOSFET，N通道，60 V，200 mA，5 ohm，TO-226AA，通孔

英文描述： MOSFET Transistor，N Channel，200 mA，60 V，5 ohm，10 V，3.9 V

數(shù)據(jù)手冊(cè)：http://www.kmzr.net.cn/data/k02-36712992-2N7000BU.html

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2N7000BU概述

2N7000BU是一種先進(jìn)的小信號(hào)N溝道增強(qiáng)模式MOSFET，采用高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。它最大限度地減少了導(dǎo)通電阻，同時(shí)提供堅(jiān)固、可靠和快速的開關(guān)性能。它可用于需要高達(dá)400mA直流電的大多數(shù)應(yīng)用，并可提供高達(dá)2A的脈沖電流。它特別適用于低電壓、低電流的應(yīng)用，如功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器和其他開關(guān)應(yīng)用。

快速的開關(guān)時(shí)間

提高了電感的堅(jiān)固性

更低的輸入電容

擴(kuò)展的安全工作區(qū)域

改進(jìn)的高溫可靠性

2N7000BU中文參數(shù)

通道類型:N通道

晶體管極性:N溝道

電流，Id連續(xù):200mA

漏源電壓，Vds:60V

漏源接通狀態(tài)電阻:5ohm

在電阻RDS(上):5ohm

Rds(on)測(cè)試電壓:10V

閾值柵源電壓最大值:3.9V

晶體管安裝:通孔

功耗Pd:400mW

晶體管封裝類型:TO-226AA

針腳數(shù):3引腳

功率耗散:400mW

工作溫度最高值:150°C

2N7000BU引腳圖

二、型號(hào)類型

onsemi公司生產(chǎn)的2N7000系列MOSFET，包括多種不同的封裝和改進(jìn)型號(hào)，常見的包括：

1. 2N7000：基礎(chǔ)型號(hào)，TO-92封裝。

2. 2N7002：SOT-23封裝，更適合表面貼裝。

3. 2N7000BU：與2N7000功能相同，但帶有不同的標(biāo)識(shí)或改進(jìn)的制造工藝。

4. NTR1P02：P溝道版本，適用于需要P溝道MOSFET的電路。

不同型號(hào)在封裝和某些特定參數(shù)上有區(qū)別，但它們的基本功能和工作原理相同。

三、工作原理

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）是一種基于電場(chǎng)控制的半導(dǎo)體器件。2N7000BU作為N溝道增強(qiáng)型MOSFET，其工作原理如下：

1. 導(dǎo)通：當(dāng)在柵極（G）和源極（S）之間施加足夠的正電壓（通常為2-3V以上），柵極下方的N型半導(dǎo)體會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)電溝道，電子可以自由通過(guò)，從而使漏極（D）與源極（S）之間導(dǎo)通。

2. 關(guān)斷：當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí)，N型半導(dǎo)體中沒有形成導(dǎo)電溝道，漏極和源極之間的電流被切斷，MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)。

四、特點(diǎn)

2N7000BU具有以下主要特點(diǎn)：

1. 低導(dǎo)通電阻：R_DS(on)值較低，使得它在導(dǎo)通狀態(tài)下有較低的功率損耗。

2. 高輸入阻抗：由于柵極是由絕緣層隔離的，因此MOSFET的輸入阻抗非常高，幾乎不會(huì)對(duì)前級(jí)電路造成負(fù)擔(dān)。

3. 快速開關(guān)速度：MOSFET可以在非常短的時(shí)間內(nèi)從導(dǎo)通狀態(tài)切換到關(guān)斷狀態(tài)，適合高速開關(guān)電路。

4. 低柵極電荷：低柵極電荷意味著在切換過(guò)程中所需的能量較小，提高了整體效率。

五、應(yīng)用

2N7000BU因其獨(dú)特的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于以下幾個(gè)領(lǐng)域：

1. 開關(guān)電源：用于高效的直流-直流轉(zhuǎn)換器中，提供快速、高效的開關(guān)控制。

2. 信號(hào)放大：在模擬電路中用作小信號(hào)放大器，由于其高輸入阻抗和線性區(qū)域的良好特性，使得信號(hào)放大更加穩(wěn)定。

3. 驅(qū)動(dòng)電路：用于驅(qū)動(dòng)小型繼電器、LED等負(fù)載，能夠提供較大的電流和電壓轉(zhuǎn)換。

4. 保護(hù)電路：作為保護(hù)元件，防止過(guò)流和過(guò)壓對(duì)電路的損壞。

5. 模擬電路：在模擬開關(guān)、混頻器等電路中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

六、參數(shù)

2N7000BU的主要電氣參數(shù)如下：

1. 最大漏源電壓（V_DS）：60V

2. 最大柵源電壓（V_GS）：±20V

3. 漏極連續(xù)電流（I_D）：200mA（@25℃）

4. 漏極峰值電流（I_D(pulse)）：500mA

5. 導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：最大值5Ω（V_GS=10V, I_D=500mA）

6. 柵極閾值電壓（V_GS(th)）：1-2.5V

7. 柵極電荷（Q_g）：最大值20nC

8. 漏極-源極反向二極管：

• 正向電流（I_F）：200mA

• 正向電壓（V_F）：最大值1.3V（I_F=200mA）

七、實(shí)際應(yīng)用中的考慮

在實(shí)際應(yīng)用中，設(shè)計(jì)師應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：

1. 熱管理：盡管2N7000BU具有良好的性能，但在高電流應(yīng)用中可能會(huì)產(chǎn)生熱量。適當(dāng)?shù)纳岽胧缟崞驈?qiáng)制風(fēng)冷，是必要的。

2. 柵極驅(qū)動(dòng)電路：確保驅(qū)動(dòng)電路能夠提供足夠的柵極電壓，以便快速可靠地切換MOSFET。

3. 電磁干擾（EMI）：由于MOSFET的高速開關(guān)特性，可能會(huì)產(chǎn)生電磁干擾。設(shè)計(jì)電路時(shí)應(yīng)考慮EMI的抑制措施，如濾波器和屏蔽。

4. 安全工作區(qū)（SOA）：在設(shè)計(jì)過(guò)程中，必須確保MOSFET的工作電流和電壓始終保持在安全工作區(qū)內(nèi)，避免器件損壞。

八、總結(jié)

2N7000BU作為一種性能優(yōu)良的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，因其低導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗和快速開關(guān)速度等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。設(shè)計(jì)師在使用時(shí)應(yīng)注意熱管理、柵極驅(qū)動(dòng)和EMI抑制等方面的問(wèn)題，以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。

這種MOSFET適用于開關(guān)電源、信號(hào)放大、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路和模擬電路等多個(gè)領(lǐng)域，是一種非常靈活和高效的電子元件。在選擇和應(yīng)用2N7000BU時(shí)，詳細(xì)了解其電氣參數(shù)和實(shí)際工作環(huán)境，是實(shí)現(xiàn)最佳性能的關(guān)鍵。