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ON安森美NDS0610 MOS管中文資料

來源:
2024-07-04
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
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文章創(chuàng)建人 拍明芯城

ON安森美NDS0610 MOS管中文資料

一、型號(hào)類型及后綴說明

ON安森美的NDS0610是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。在MOSFET的型號(hào)中,通常會(huì)包含一些字母和數(shù)字,代表不同的特性和類別。以下是NDS0610的型號(hào)含義及其解釋:

  • N:代表這是一個(gè)N溝道MOSFET。MOSFET的類型主要分為N溝道和P溝道,N溝道MOSFET用于負(fù)載開關(guān)和信號(hào)放大等應(yīng)用中。

  • D:表示這是一個(gè)增強(qiáng)型MOSFET。增強(qiáng)型MOSFET在施加?xùn)艠O電壓后才會(huì)導(dǎo)通。

  • S:這是生產(chǎn)廠家的代號(hào),用于標(biāo)識(shí)生產(chǎn)商是ON Semiconductor。

  • 0610:這是MOSFET的型號(hào)序列號(hào),代表產(chǎn)品的系列和版本信息。

NDS0610圖片

廠商名稱:ON安森美

元件分類:MOS管

中文描述: 功率場效應(yīng)管,MOSFET,P溝道,60 V,120 mA,10 ohm,SOT-23,表面安裝

英文描述: NDS0610 P-Channel MOSFET,120 mA,60 V,3-Pin SOT-23 Fairchild

數(shù)據(jù)手冊:http://www.kmzr.net.cn/data/k02-36709935-NDS0610.html

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NDS0610中文參數(shù)

通道類型P最大功率耗散360 mW
最大連續(xù)漏極電流120 mA晶體管配置
最大漏源電壓60 V最大柵源電壓-20 V、+20 V
封裝類型SOT-23寬度1.3mm
安裝類型表面貼裝每片芯片元件數(shù)目1
引腳數(shù)目3典型柵極電荷@Vgs1.8 nC @ 10 V
最大漏源電阻值10 Ω晶體管材料Si
通道模式增強(qiáng)長度2.92mm
最小柵閾值電壓1V最高工作溫度+150 °C

NDS0610概述

NDS0610是使用高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)的P溝道增強(qiáng)型FET。這種非常高密度的工藝旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻,提供堅(jiān)固可靠的性能和快速開關(guān)。在大多數(shù)需要高達(dá)120mA DC的應(yīng)用中,它們可以毫不費(fèi)力地使用,并且可以提供高達(dá)1A的電流。該產(chǎn)品特別適用于需要低電流高壓側(cè)開關(guān)的低壓應(yīng)用。

壓控p溝道小信號(hào)開關(guān)

低RDS(ON)的高密度電池設(shè)計(jì)

高飽和電流

特點(diǎn)和優(yōu)勢:

電壓控制的P通道小信號(hào)開關(guān)

高密度單元設(shè)計(jì)

高飽和度電流

卓越的交換性能

堅(jiān)固耐用、可靠的性能

DMOS技術(shù)

應(yīng)用:

負(fù)載切換

DC/DC轉(zhuǎn)換器

電池保護(hù)

電源管理控制

直流電機(jī)控制

NDS0610引腳圖

image.png

二、工作原理

NDS0610 MOSFET的工作原理基于場效應(yīng)晶體管的基本工作機(jī)制。MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種由柵極、漏極和源極組成的三端器件。其工作原理可以分為以下幾個(gè)步驟:

  1. 柵極控制電場:在N溝道MOSFET中,柵極施加的電壓形成一個(gè)電場,這個(gè)電場會(huì)影響溝道區(qū)域的導(dǎo)電性。當(dāng)柵極電壓高于一定閾值電壓時(shí),會(huì)在半導(dǎo)體溝道中形成一個(gè)導(dǎo)電通道。

  2. 電子流動(dòng):當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí),電子從源極流向漏極,形成電流。MOSFET的工作狀態(tài)取決于柵極-源極電壓V_GS與閾值電壓V_th之間的關(guān)系。

  3. 增強(qiáng)型工作:在增強(qiáng)型MOSFET中,只有當(dāng)柵極電壓V_GS超過閾值電壓V_th時(shí),MOSFET才會(huì)導(dǎo)通。否則,它處于關(guān)斷狀態(tài)。

三、特點(diǎn)

NDS0610 MOSFET具有以下幾個(gè)顯著特點(diǎn):

  1. 低導(dǎo)通電阻:NDS0610具有低的R_DS(on)(導(dǎo)通電阻),這意味著在開關(guān)狀態(tài)下,能以較低的電阻傳導(dǎo)電流,從而減少功耗和發(fā)熱。

  2. 高開關(guān)速度:該MOSFET能夠在較短的時(shí)間內(nèi)完成開關(guān)操作,適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。

  3. 高耐壓能力:具有一定的耐壓能力,能夠承受較高的電壓而不發(fā)生擊穿,增加了電路設(shè)計(jì)的安全性。

  4. 高增益:NDS0610提供了高的電流增益,適用于需要高電流放大的電路設(shè)計(jì)。

  5. 封裝形式:采用SOT-23封裝,這種封裝形式小巧且適合高密度的電路板設(shè)計(jì)。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

NDS0610 MOSFET廣泛應(yīng)用于各種電子電路中,主要包括以下幾個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域:

  1. 開關(guān)電源:在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,NDS0610 MOSFET可以用作主開關(guān)元件,以提高轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。

  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器:用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)控制,能夠?qū)崿F(xiàn)從一種直流電壓轉(zhuǎn)換到另一種直流電壓的功能。

  3. 電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng):在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,作為開關(guān)元件來控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止及速度調(diào)節(jié)。

  4. 低功耗電路:適用于低功耗的電子設(shè)備中,如移動(dòng)設(shè)備、便攜式設(shè)備等。

  5. 信號(hào)放大:在模擬信號(hào)處理電路中,可以用作放大器以提高信號(hào)的強(qiáng)度。

五、主要參數(shù)

以下是NDS0610 MOSFET的主要參數(shù)及其詳細(xì)說明:

參數(shù)說明
最大漏極-源極電壓 (V_DSS)MOSFET可以承受的最大漏極到源極的電壓60V
最大柵極-源極電壓 (V_GS)MOSFET可以承受的最大柵極到源極的電壓±20V
最大漏極電流 (I_D)MOSFET在25°C環(huán)境下的最大漏極電流10A
導(dǎo)通電阻 (R_DS(on))MOSFET導(dǎo)通狀態(tài)下的漏極到源極的電阻0.040Ω (最大值)
門檻電壓 (V_GS(th))MOSFET開始導(dǎo)通的最小柵極-源極電壓1.0V ~ 2.5V
總門極電荷 (Q_G)需要施加在柵極上的電荷以完全打開MOSFET10nC
開關(guān)時(shí)間 (t_on / t_off)MOSFET從關(guān)斷狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間22ns / 30ns

六、總結(jié)

NDS0610 MOSFET是一款高性能N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管,廣泛應(yīng)用于各種高效能的電子電路設(shè)計(jì)中。其具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的電壓承受能力,使其成為開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中的理想選擇。通過詳細(xì)分析其工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域和主要參數(shù),可以幫助工程師更好地利用NDS0610 MOSFET來滿足不同電子電路設(shè)計(jì)的需求。


參考資料:

  1. ON Semiconductor NDS0610 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊

  2. NDS0610 MOSFET 規(guī)格說明書

以上內(nèi)容對NDS0610 MOSFET進(jìn)行了詳細(xì)的介紹,涵蓋了其型號(hào)類型、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用及主要參數(shù)等方面的信息。希望對您的研究和應(yīng)用有所幫助。

責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: 安森美 NDS0610 MOS管

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