ON安森美NTF2955T1G MOS管中文資料

一、型號及類型

NTF2955T1G是ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）生產(chǎn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具體為P溝道增強型MOSFET。這類器件在電子電路中廣泛應(yīng)用，特別是在電源管理、電機控制和開關(guān)應(yīng)用中。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：MOS管

中文描述： 功率場效應(yīng)管，MOSFET，P溝道，60 V，2.6 A，0.17 ohm，SOT-223，表面安裝

英文描述： Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab)SOT-223 T/R

數(shù)據(jù)手冊：http://www.kmzr.net.cn/data/k02-36654083-NTF2955T1G.html

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NTF2955T1G中文參數(shù)

NTF2955T1G概述

NTF2955T1G是一款P溝道功率MOSFET，可在雪崩模式和通信模式下承受高能量。

±20V柵源電壓

應(yīng)用

電源管理，電機驅(qū)動與控制，工業(yè)

NTF2955T1G引腳圖

二、工作原理

MOSFET的工作原理基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。其主要由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和體（Body）組成。在P溝道MOSFET中，柵極電壓控制著源極和漏極之間的電流流動。

• 開啟狀態(tài)：當(dāng)柵極電壓低于源極電壓時（對P溝道來說，柵極電壓為負(fù)），MOSFET處于開啟狀態(tài)，電流可以從源極流向漏極。

• 關(guān)斷狀態(tài)：當(dāng)柵極電壓高于源極電壓時（柵極電壓為正），MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，源極和漏極之間沒有電流流動。

NTF2955T1G利用了這些基本原理，通過在柵極施加不同電壓，實現(xiàn)電流的開關(guān)和控制。

三、特點

NTF2955T1G MOSFET具有以下顯著特點：

1. 低導(dǎo)通電阻：這種MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻（R $_{DS(on)}$DS(on)），這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，源極和漏極之間的電阻很小，從而減少了功率損耗，提高了效率。

2. 高輸入阻抗：MOSFET的柵極輸入阻抗極高，這使得它對控制信號的要求較低，能夠被微弱的電壓信號控制。

3. 高速開關(guān)：由于MOSFET沒有像雙極型晶體管（BJT）那樣的載流子存儲問題，它的開關(guān)速度非常快，適合高頻應(yīng)用。

4. 耐高壓：NTF2955T1G能夠承受較高的漏源電壓（V $_{DS}$DS），這使得它適用于高壓應(yīng)用場合。

四、應(yīng)用

NTF2955T1G MOSFET廣泛應(yīng)用于各種電子電路中，具體應(yīng)用包括但不限于：

1. 電源管理：包括開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器等，通過高效控制電流，實現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。

2. 電機控制：用于電動機驅(qū)動電路，通過快速開關(guān)控制電流，調(diào)節(jié)電機速度和方向。

3. 電池管理系統(tǒng)：用于電池充放電管理，保障電池的高效、安全運行。

4. 負(fù)載開關(guān)：作為電子負(fù)載開關(guān)使用，控制不同電路模塊的通斷。

5. 音頻放大器：在音頻功放電路中，MOSFET作為功率放大元件，提高音頻信號的驅(qū)動能力。

五、參數(shù)

以下是NTF2955T1G的一些關(guān)鍵參數(shù)：

• 最大漏源電壓（V $_{DS}$DS）：-60V

• 最大柵源電壓（V $_{GS}$GS）：±20V

• 最大漏極電流（I $_{D}$D）：-12A（連續(xù)）

• 最大功耗（P $_{D}$D）：2.0W（在 $T_{A}=25°C$TA=25°C）

• 導(dǎo)通電阻（R $_{DS(on)}$DS(on)）：0.047Ω（典型值，在 $V_{GS}=-10V$VGS=?10V， $I_{D}=-7A$ID=?7A）

• 柵極電荷（Q $_{g}$g）：23nC（典型值，在 $V_{GS}=-10V$VGS=?10V， $V_{DS}=-30V$VDS=?30V）

• 跨導(dǎo)（g $_{fs}$fs）：9.0S（典型值，在 $I_{D}=-7A$ID=?7A， $V_{DS}=-15V$VDS=?15V）

• 結(jié)到環(huán)境熱阻（R $_{θJA}$θJA）：62.5°C/W

六、詳細(xì)分析

1. 最大漏源電壓（V $_{DS}$DS）：這一參數(shù)表示NTF2955T1G能夠承受的最大漏源電壓為-60V。這意味著在實際應(yīng)用中，該MOSFET可以應(yīng)用于最大電壓為60V的電路中而不會損壞。

2. 最大柵源電壓（V $_{GS}$GS）：±20V的最大柵源電壓表示該器件在工作時，柵極與源極之間的電壓不能超過這個范圍，否則可能會損壞柵極氧化層。

3. 最大漏極電流（I $_{D}$D）：-12A的漏極電流表明該MOSFET可以處理較大的電流，使其適合高功率應(yīng)用。

4. 導(dǎo)通電阻（R $_{DS(on)}$DS(on)）：0.047Ω的低導(dǎo)通電阻表示當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時，其內(nèi)阻很小，這有助于減少功率損耗，提高電路效率。

5. 柵極電荷（Q $_{g}$g）：23nC的柵極電荷表示柵極驅(qū)動所需的電荷量，較低的柵極電荷有助于提高開關(guān)速度，降低驅(qū)動功率。

七、實際應(yīng)用實例

1. DC-DC轉(zhuǎn)換器：在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，NTF2955T1G可以用作主開關(guān)管。其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性能夠顯著提高轉(zhuǎn)換器的效率和響應(yīng)速度。例如，在降壓轉(zhuǎn)換器（Buck Converter）中，NTF2955T1G的導(dǎo)通電阻低意味著導(dǎo)通時損耗小，從而提高了整體效率。

2. 電動機驅(qū)動：在電動機驅(qū)動電路中，NTF2955T1G常用作H橋電路中的開關(guān)管。它的高電流處理能力和高速開關(guān)特性使得它能夠有效控制電動機的啟停、速度和方向。

3. 電池保護電路：在鋰電池保護電路中，NTF2955T1G可以用作充放電控制開關(guān)。它的高耐壓特性能夠保障電池在高電壓工作狀態(tài)下的安全，低導(dǎo)通電阻減少了充放電過程中的功耗。

4. 音頻功率放大器：在高保真音頻功率放大器中，NTF2955T1G作為輸出級放大元件，利用其低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性，實現(xiàn)高效率的音頻信號放大，保證音質(zhì)的純凈和清晰。

八、總結(jié)

ON安森美NTF2955T1G是一款性能優(yōu)異的P溝道增強型MOSFET，憑借其低導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗、快速開關(guān)速度和高耐壓等特點，在電源管理、電機控制、電池管理和音頻放大等多個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。其優(yōu)異的性能參數(shù)和可靠性，使得它成為電子工程師在設(shè)計和開發(fā)高效電力電子系統(tǒng)時的重要選擇。