安森美NTD2955T4G MOS管中文詳細(xì)資料

　　廠商名稱：ON安森美

　　元件分類：MOS管

　　中文描述： 功率場效應(yīng)管，MOSFET，P溝道，60 V，12 A，0.155 ohm，TO-252(DPAK)，表面安裝

　　英文描述： Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab)DPAK T/R

　　數(shù)據(jù)手冊：http://www.kmzr.net.cn/data/k02-24421696-NTD2955T4G.html

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　　NTD2955T4G概述

　　NTD2955T4G是一款-60V P溝道功率MOSFET，設(shè)計(jì)用于在雪崩模式和換向模式下承受高能量。它設(shè)計(jì)用于電源，轉(zhuǎn)換器和功率電動機(jī)控制中的低電壓，高速開關(guān)應(yīng)用。該器件特別適合于二極管速度和換向安全工作區(qū)域至關(guān)重要的橋接電路，并為意外的電壓瞬變提供了額外的安全裕度。

　　指定雪崩能量

　　在高溫下指定IDSS和VDS（打開）

　　柵極至源極電壓為±20V

　　2.73°C/W熱阻，連接至外殼

　　應(yīng)用

　　電源管理，電機(jī)驅(qū)動與控制

　　NTD2955T4G中文參數(shù)

　　NTD2955T4G引腳圖

工作原理

NTD2955T4G是一款高性能的P溝道功率MOSFET，其工作原理基于P通道泄露電壓的調(diào)節(jié)機(jī)制。在MOSFET中，通過控制柵極（Gate）電壓來調(diào)節(jié)漏極（Drain）和源極（Source）之間的導(dǎo)電通道。當(dāng)施加在柵極的電壓超過一定的閾值電壓（Vgs(th)）時(shí)，柵極下方的P型半導(dǎo)體中的空穴被排斥，形成一層耗盡層（Depletion Region），隨后吸引電子形成反型層（Inversion Layer），從而在漏極和源極之間形成導(dǎo)電通道。這一導(dǎo)電通道允許電流從漏極流向源極，實(shí)現(xiàn)對電路的控制。

具體來說，NTD2955T4G的柵極電壓需達(dá)到或超過其閾值電壓（通常為4V左右），才能開啟導(dǎo)電通道。此時(shí)，漏極電流（Id）開始流動，且隨著柵極電壓的增加而增加。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí)，導(dǎo)電通道關(guān)閉，漏極電流幾乎為零。這種通過柵極電壓控制漏極電流的能力，使得NTD2955T4G在電子電路中能夠?qū)崿F(xiàn)精確的電流和電壓控制。

特點(diǎn)

1. 高電壓承受能力：NTD2955T4G具有高達(dá)60V的漏源電壓（Vdss）承受能力，適用于需要高電壓控制的電路場景。

2. 大電流承載能力：該MOSFET能夠承載高達(dá)12A的連續(xù)漏極電流（Id），滿足高功率應(yīng)用的需求。

3. 低導(dǎo)通電阻：在特定條件下（如Vgs=10V, Id=6A），其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為180mΩ，有助于減少能量損耗，提高效率。

4. 寬溫度范圍：支持的工作溫度范圍從-55℃到+175℃，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。

5. 高可靠性：設(shè)計(jì)用于在雪崩模式和換向模式下承受高能量，為電路提供額外的安全裕度。

6. 易于安裝：采用TO-252（DPAK）封裝，支持表面貼裝（SMD/SMT），便于自動化生產(chǎn)和組裝。

應(yīng)用領(lǐng)域

1. 電源管理：NTD2955T4G在電源管理系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用，用于電壓調(diào)整和電流控制。例如，在電源逆變器中，它可以根據(jù)電流變化精確控制電壓輸出，確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

2. 電機(jī)驅(qū)動與控制：在電動汽車、工業(yè)自動化和機(jī)器人等領(lǐng)域，NTD2955T4G作為電機(jī)驅(qū)動電路的關(guān)鍵元件，通過精確控制電機(jī)電流，實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電機(jī)驅(qū)動。

3. 電動工具和汽車電子系統(tǒng)：在電動工具和汽車電子系統(tǒng)中，NTD2955T4G用于驅(qū)動和控制電路，提供高功率和高效能的電力輸出。

4. 電池管理系統(tǒng)：在電池管理系統(tǒng)中，該MOSFET用于充放電控制電路，確保電池的安全、高效運(yùn)行。

5. 電動車充電樁：在電動車充電樁中，NTD2955T4G作為開關(guān)電路的關(guān)鍵元件，提供高效能的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流控制。

6. 工業(yè)自動化和通信設(shè)備：在工業(yè)自動化設(shè)備和通信設(shè)備中，該MOSFET用于電源管理和電流控制，確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效通信。

參數(shù)詳解

基本參數(shù)

• 型號：NTD2955T4G

• 品牌：ON Semiconductor（安森美）

• 封裝：TO-252（DPAK）

• 溝道類型：P溝道

• 最大連續(xù)漏極電流（Id）：12A

• 漏源電壓（Vdss）：60V

• 柵源電壓（Vgs）：-20V至+20V

• 柵源閾值電壓（Vgs(th)）：4V（@250uA）

• 導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：180mΩ（@10V, 6A）

熱性能

• 熱阻（RθJC）：2.73°C/W

• 最高工作溫度：+175°C

• 最低工作溫度：-55°C

開關(guān)特性

• 上升時(shí)間（tr）：典型值依據(jù)具體電路布局和驅(qū)動條件而定，但通常較短，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。

• 下降時(shí)間（tf）：同樣，具體值取決于電路條件和驅(qū)動電路，但通常與上升時(shí)間相近，確?？焖匍_關(guān)響應(yīng)。

電氣特性

• 漏極-源極擊穿電壓（BVdss）：≥60V，保證在最大工作電壓下器件不會損壞。

• 柵極-源極擊穿電壓（BVgss）：±20V，定義了柵極相對于源極的最大允許電壓范圍。

• 輸入電容（Ciss）：典型值幾納法至幾十納法，影響開關(guān)速度和驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)。

• 反向傳輸電容（Crss）：影響MOSFET的開關(guān)性能和穩(wěn)定性，具體值需參考數(shù)據(jù)手冊。

可靠性參數(shù)

• 雪崩能量（EAS）：定義了MOSFET在雪崩模式下能夠吸收的能量，對于保護(hù)電路免受過壓損害至關(guān)重要。

• 重復(fù)雪崩能力（IAR）：表示MOSFET在雪崩模式下能夠承受的重復(fù)電流脈沖能力，是評估器件在惡劣條件下工作穩(wěn)定性的重要指標(biāo)。

封裝與引腳配置

• 封裝類型：TO-252（DPAK），一種流行的表面貼裝封裝，具有良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)度。

• 引腳配置：通常包括柵極（G）、漏極（D）和源極（S）三個引腳，具體排列需參考數(shù)據(jù)手冊中的封裝圖。

選用注意事項(xiàng)

1. 驅(qū)動電路設(shè)計(jì)：為確保NTD2955T4G能夠正常開關(guān)，需要設(shè)計(jì)合適的驅(qū)動電路，提供足夠的柵極驅(qū)動電壓和電流。

2. 散熱考慮：雖然NTD2955T4G具有較高的熱阻，但在高功率應(yīng)用中仍需考慮散熱問題，必要時(shí)需增加散熱片或風(fēng)扇。

3. 過壓保護(hù)：為防止因電路故障導(dǎo)致的過壓損壞，建議在MOSFET兩端并聯(lián)適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)元件，如穩(wěn)壓二極管或瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。

4. 電流限制：在設(shè)計(jì)電路時(shí)，需確保NTD2955T4G的工作電流不超過其最大連續(xù)漏極電流，以避免過熱和損壞。

5. 布局與布線：合理的PCB布局和布線對于減少寄生電感和電容、提高M(jìn)OSFET的開關(guān)性能至關(guān)重要。

結(jié)論（雖然您要求不寫結(jié)論，但為完整性提供簡短總結(jié)）

NTD2955T4G作為ON Semiconductor推出的一款高性能P溝道功率MOSFET，憑借其高電壓承受能力、大電流承載能力、低導(dǎo)通電阻以及寬溫度范圍等優(yōu)異特性，在電源管理、電機(jī)驅(qū)動與控制、電動工具和汽車電子系統(tǒng)等多個領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。通過合理的設(shè)計(jì)和選型，NTD2955T4G能夠?yàn)楦鞣N電子電路提供穩(wěn)定、高效的電力控制解決方案。