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德州儀器LM258DR運(yùn)算放大器中文資料

來源:
2024-07-30
類別:基礎(chǔ)知識
eye 18
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

德州儀器LM258DR運(yùn)算放大器中文資料

一、引言

德州儀器(Texas Instruments,簡稱TI)是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司,其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信、計(jì)算、消費(fèi)電子、汽車電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域。LM258DR是TI公司推出的一款高性能、成本敏感的工業(yè)級雙路標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)算放大器。本文將從型號類型、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用以及詳細(xì)參數(shù)等方面對LM258DR進(jìn)行全面介紹。

LM258DR圖片

  廠商名稱:TI德州儀器

  元件分類:運(yùn)算放大器

  中文描述: 運(yùn)算放大器,SOIC封裝雙通道,表面貼裝安裝,雙,單電源,精確,8引腳

  英文描述: Dual standard,industrial-grade,operational amplifier

  數(shù)據(jù)手冊:http://www.kmzr.net.cn/data/k01-270707-LM258DR.html

  在線購買:立即購買

  LM258DR概述

  LM258DR是工業(yè)級雙路標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)算放大器,該器件為成本敏感型應(yīng)用帶來了出色的價(jià)值,該器件的特性包括低失調(diào)電壓(300?V,典型值)、接地共模輸入范圍以及高差分輸入電壓能力。

  LM258DR運(yùn)算放大器具有增強(qiáng)的功能,例如單位增益穩(wěn)定性、較低的3mV(室溫下的最大值)失調(diào)電壓和每個(gè)放大器300?A(典型值)的靜態(tài)電流,從而簡化了電路設(shè)計(jì)。高ESD(2kV,HBM)和集成EMI以及射頻濾波器可支持將LM358B和LM2904B器件用于最嚴(yán)苛、最具環(huán)境挑戰(zhàn)性的應(yīng)用。

  LM258DR放大器采用行業(yè)通用封裝SOC,8引腳。

  特性

  3V至36V寬電源范圍(B版本)

  靜態(tài)電流:每個(gè)放大器300?A(B版本,典型值)

  單位增益帶寬為1.2MHz(B版本)

  共模輸入電壓范圍包括接地,支持近地直接檢測

  3mV(25°C時(shí))的低輸入失調(diào)電壓(A和B版本,最大值)

  內(nèi)部射頻和EMI濾波器(B版本)

  對于符合MIL-PRF-38535標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品,所有參數(shù)均經(jīng)過測試,除非另外注明。對于所有其他產(chǎn)品,生產(chǎn)流程不一定包含對所有參數(shù)的測試。

  LM258DR中文參數(shù)

放大器類型

精確

最低工作溫度

-25 °C

安裝類型

表面貼裝

最高工作溫度

+85 °C

封裝類型

SOIC

高度

1.58mm

電源類型

雙,單

尺寸

4.9 x 3.91 x 1.58mm

每片芯片通道數(shù)目

2

長度

4.9mm

引腳數(shù)目

8

寬度

3.91mm

典型單電源電壓

5 → 28 V

軌對軌

典型增加帶寬產(chǎn)品

700kHz

典型輸入電壓噪聲密度

40nV/√Hz

典型雙電源電壓

±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V

典型電壓增益

100 dB

典型轉(zhuǎn)換速率

0.3V/?s



  LM258DR引腳圖

image.png

二、型號類型

LM258DR是一款雙路標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)算放大器,其封裝形式為SOIC(Small Outline Integrated Circuit),具有8個(gè)引腳,便于表面貼裝安裝。該型號專為成本敏感型應(yīng)用設(shè)計(jì),同時(shí)保持了高性能和可靠性,是工業(yè)級應(yīng)用的理想選擇。LM258DR的“DR”后綴可能代表其特定的封裝版本或性能優(yōu)化,但具體含義需根據(jù)TI的官方文檔確定。

三、工作原理

LM258DR內(nèi)部集成了兩個(gè)獨(dú)立的、高增益、頻率補(bǔ)償?shù)倪\(yùn)算放大器。每個(gè)放大器都能獨(dú)立工作,處理不同的信號,從而實(shí)現(xiàn)雙路放大功能。運(yùn)算放大器的基本工作原理是通過比較輸入信號與參考電壓(通常為地電位)的差異,產(chǎn)生與差異成比例的輸出電壓。LM258DR通過內(nèi)部電路的優(yōu)化設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了低失調(diào)電壓、高差分輸入電壓能力和單位增益穩(wěn)定性等特性,從而提高了信號處理的精度和穩(wěn)定性。

四、特點(diǎn)

  1. 雙路標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)算放大器:集成兩個(gè)獨(dú)立的運(yùn)算放大器,可同時(shí)處理兩個(gè)信號,提高了設(shè)計(jì)的靈活性和效率。

  2. 寬電源電壓范圍:支持3V至32V的單電源電壓,以及±1.5V至±16V的雙電源電壓,適應(yīng)不同應(yīng)用場景的需求。

  3. 低失調(diào)電壓:失調(diào)電壓是運(yùn)算放大器的一個(gè)重要參數(shù),它決定了放大器在零輸入時(shí)的輸出電壓偏移量。LM258DR具有較低的失調(diào)電壓(典型值為300μV),有助于提高信號處理的精度。

  4. 高差分輸入電壓能力:允許較大的差分輸入電壓范圍,增強(qiáng)了放大器的穩(wěn)定性和可靠性。

  5. 單位增益穩(wěn)定性:在單位增益配置下也能保持穩(wěn)定工作,無需外部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),簡化了電路設(shè)計(jì)。

  6. 低功耗:每個(gè)通道的功耗較低,有助于延長電池壽命或降低系統(tǒng)能耗。

  7. 小封裝:SOIC封裝形式緊湊,便于集成到各種應(yīng)用中,節(jié)省板卡空間。

五、應(yīng)用

LM258DR憑借其優(yōu)異的性能和成本效益,在多個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用:

  1. 商用網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器電源單元:在電源管理電路中,LM258DR可用于電壓監(jiān)控、電流限制和過壓保護(hù)等功能。

  2. 多功能打印機(jī):在打印頭驅(qū)動(dòng)和控制電路中,LM258DR可用于信號放大和調(diào)節(jié),確保打印質(zhì)量。

  3. 電源和移動(dòng)充電器:在電池管理系統(tǒng)中,LM258DR可用于電池電壓監(jiān)測、充電電流控制和過充保護(hù)等功能。

  4. 電機(jī)控制:在交流感應(yīng)電機(jī)、有刷直流電機(jī)、無刷直流電機(jī)等控制系統(tǒng)中,LM258DR可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)信號放大和調(diào)節(jié)。

  5. 臺式計(jì)算機(jī)和主板:在主板的電源管理、信號處理和接口電路中,LM258DR發(fā)揮著重要作用。

  6. 家用電器:如空調(diào)、洗衣機(jī)、烘干機(jī)和冰箱等,LM258DR可用于溫度控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和傳感器信號處理等電路。

  7. 電源逆變器:在交流逆變器、串式逆變器、中央逆變器和變頻器等電力電子設(shè)備中,LM258DR可用于電源轉(zhuǎn)換和信號處理。

六、詳細(xì)參數(shù)

以下是LM258DR的主要參數(shù)列表:

  • 品牌:Texas Instruments(德州儀器)

  • 產(chǎn)品分類:通用放大器

  • 封裝/外殼:SOIC8_150MIL

  • 電源電壓(單/雙):3V 32V,±1.5V ±16V

  • 工作溫度:-25°C ~ +85°C

  • 增益帶寬積(GBP):700kHz

  • 壓擺率(SR):0.3V/μs

  • 輸入偏置電流

    • 常模輸入偏置電流:20nA

    • 差模輸入偏置電流:0.5nA

  • 輸入偏置電壓

    • 常模輸入偏置電壓:1.2mV

    • 差模輸入偏置電壓:1.3mV

  • 通道數(shù):2通道

  • 工作電流:每個(gè)放大器約300μA(典型值)

  • 輸入噪聲電壓:通常非常低,具體數(shù)值需參考TI的數(shù)據(jù)手冊,對于大多數(shù)應(yīng)用而言,這一特性有助于保持信號的清晰度和準(zhǔn)確性。

  • 共模抑制比(CMRR):高共模抑制比是運(yùn)算放大器的一個(gè)重要特性,它衡量了放大器抑制共模信號(即同時(shí)出現(xiàn)在兩個(gè)輸入端的信號)的能力。LM258DR具有較高的共模抑制比,有助于減少因共模信號引起的誤差。

  • 電源電壓抑制比(PSRR):這一參數(shù)反映了放大器輸出對電源電壓變化的敏感度。LM258DR具有良好的電源電壓抑制比,能夠減少電源電壓波動(dòng)對放大器性能的影響。

  • 開環(huán)增益:LM258DR的開環(huán)增益非常高,通常達(dá)到幾萬甚至更高,這使得它在閉環(huán)應(yīng)用中能夠提供非常精確的增益控制。

  • 輸出短路保護(hù):雖然LM258DR本身可能不直接提供輸出短路保護(hù)功能(這取決于具體應(yīng)用和電路設(shè)計(jì)),但其內(nèi)部電路通常設(shè)計(jì)得足夠穩(wěn)健,以在短時(shí)間內(nèi)承受輸出短路的條件而不損壞。然而,長期短路可能會(huì)對放大器造成損害,因此在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)采取適當(dāng)?shù)谋Wo(hù)措施。

  • 封裝類型與尺寸:SOIC(Small Outline Integrated Circuit)封裝是一種流行的表面貼裝封裝形式,LM258DR的SOIC8封裝具有緊湊的尺寸,便于在PCB上布局和布線。具體尺寸(如封裝寬度、長度和引腳間距)需參考TI的數(shù)據(jù)手冊。

  • 環(huán)境適應(yīng)性:LM258DR適用于廣泛的工業(yè)環(huán)境,具有良好的抗電磁干擾(EMI)和射頻干擾(RFI)能力。此外,其工作溫度范圍廣泛,適用于從寒冷到炎熱的各種氣候條件。

七、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

  1. 電源去耦:為了確保LM258DR的穩(wěn)定性和性能,應(yīng)在每個(gè)電源引腳附近放置適當(dāng)?shù)娜ヱ铍娙?,以減小電源噪聲對放大器的影響。

  2. 輸入保護(hù):為了防止輸入端受到過電壓或靜電放電(ESD)的損害,建議在輸入端添加適當(dāng)?shù)谋Wo(hù)電路,如限流電阻或瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。

  3. 負(fù)載匹配:在選擇負(fù)載電阻時(shí),應(yīng)確保其與放大器的輸出特性相匹配,以獲得最佳的信號傳輸效果和穩(wěn)定性。

  4. 散熱考慮:雖然LM258DR在大多數(shù)情況下無需外部散熱措施,但在高功耗或環(huán)境溫度較高的應(yīng)用中,可能需要考慮適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計(jì),以防止放大器過熱。

  5. 布局與布線:在PCB布局和布線時(shí),應(yīng)盡量避免在放大器輸入輸出端引入過長的走線或形成環(huán)路,以減少噪聲和干擾。

八、總結(jié)

LM258DR作為德州儀器推出的一款高性能、成本敏感的雙路標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)算放大器,憑借其優(yōu)異的性能、廣泛的應(yīng)用范圍和合理的價(jià)格,在多個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文詳細(xì)介紹了LM258DR的型號類型、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用以及詳細(xì)參數(shù),并提供了設(shè)計(jì)時(shí)的注意事項(xiàng)。希望這些信息能夠幫助讀者更好地了解和使用LM258DR,以優(yōu)化其電路設(shè)計(jì)并提升整體性能。


責(zé)任編輯:David

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