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Infineon IRFB3607PBF MOS管中文資料

來源:
2024-08-12
類別:基礎知識
eye 7
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

Infineon IRFB3607PBF MOS管中文資料

一、型號與類型

Infineon(英飛凌)IRFB3607PBF是一款高性能的N溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),它屬于StrongIRFET?系列,專為需要高電流承載能力和耐用性的低頻應用而設計。該器件采用TO-220封裝形式,提供了出色的電氣特性和熱穩(wěn)定性,使其成為直流電機驅動、電池管理系統(tǒng)、逆變器和DC-DC轉換器等多種應用中的理想選擇。

IRFB3607PBF圖片

  廠商名稱:Infineon

  元件分類:MOS管

  中文描述: 采用TO-220封裝的75V單N溝道StrongIRFET?功率MOSFET

  英文描述: MOSFET N-Channel 75V 80A HEXFET TO220AB Infineon IRFB3607PBF N-channel MOSFET Transistor,80 A,75 V,3-Pin TO-220AB

  數(shù)據(jù)手冊:http://www.kmzr.net.cn/data/k02-24429160-IRFB3607PBF.html

  在線購買:立即購買

  IRFB3607PBF概述

  StrongIRFET?功率MOSFET系列針對低RDS(on)和高電流能力進行了優(yōu)化。這些器件是要求性能和堅固性的低頻應用的理想選擇。全面的產(chǎn)品組合可滿足廣泛的應用,包括直流電動機、電池管理系統(tǒng)、逆變器和DC-DC轉換器。

  特點概述

  工業(yè)標準通孔電源封裝

  高額定電流

  符合JEDEC標準的產(chǎn)品認證

  為開關頻率低于<100 kHz的應用優(yōu)化的硅

  與前一代硅相比,體二極管更軟

  提供廣泛的產(chǎn)品組合

  優(yōu)點

  標準引腳布局,可直接替換

  高電流承載能力的封裝

  工業(yè)標準認證水平

  在低頻應用中具有高性能

  提高了功率密度

  為設計者提供靈活性,為其應用選擇最理想的器件

  潛在的應用

  電池供電的應用

  電動工具

  直流電動機驅動

  輕型電動車(LEV)

  SMPS

  IRFB3607PBF中文參數(shù)

制造商:

Infineon

Vgs - 柵極-源極電壓:

- 20 V, + 20 V

產(chǎn)品種類:

MOSFET

Vgs th-柵源極閾值電壓:

1.8 V

技術:

Si

Qg-柵極電荷:

84 nC

安裝風格:

Through Hole

最小工作溫度:

- 55 C

封裝 / 箱體:

TO-220-3

最大工作溫度:

+ 175 C

晶體管極性:

N-Channel

Pd-功率耗散:

140 W

通道數(shù)量:

1 Channel

通道模式:

Enhancement

Vds-漏源極擊穿電壓:

75 V

配置:

Single

Id-連續(xù)漏極電流:

80 A

晶體管類型:

1 N-Channel

Rds On-漏源導通電阻:

7.34 mOhms



  IRFB3607PBF引腳圖

image.png

二、工作原理

MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種電壓控制型半導體器件,其工作原理基于金屬-氧化物-半導體結構。在IRFB3607PBF中,當柵極(G)與源極(S)之間施加正電壓(且該電壓超過閾值電壓Vth)時,會在柵極下方的P型半導體表面形成一層反型層(N型),即所謂的溝道。這個溝道將源極和漏極(D)連接起來,使得漏極電流可以流過。隨著柵極電壓的增加,溝道逐漸變寬,漏極電流也隨之增加,從而實現(xiàn)電流的控制。

在IRFB3607PBF中,由于其優(yōu)化的硅工藝和增強的體二極管特性,該MOSFET能夠在較低的導通電阻下工作,從而減少功率損耗并提高效率。同時,其高耐壓能力和高電流承載能力也使得它能夠在高電壓和大電流環(huán)境下穩(wěn)定工作。

三、特點

  1. 高電流承載能力:IRFB3607PBF能夠承受高達80A的連續(xù)漏極電流,非常適合高電流應用場景。

  2. 低導通電阻:該MOSFET的導通電阻RDS(on)典型值為7.34mΩ,最大值為9.0mΩ,有助于減少功率損耗。

  3. 高耐壓:具有75V的漏源極擊穿電壓(V(BR)DSS),適用于較高電壓的工作環(huán)境。

  4. 優(yōu)化的硅工藝:硅材料針對低于100kHz的開關應用進行了優(yōu)化,提供高性能和高效率。

  5. 行業(yè)標準封裝:采用TO-220封裝,符合工業(yè)標準,便于設計和替換。

  6. 增強的體二極管:具有更軟的體二極管特性,有助于減少電路中的損耗。

  7. 提高的動態(tài)dv/dt和di/dt能力:增強了對快速電壓和電流變化的耐受性,適用于硬開關和高頻率電路。

  8. 改善的門極、雪崩和動態(tài)dv/dt的堅固性:提供了更好的耐用性和可靠性。

  9. 完全表征的電容和雪崩安全工作區(qū):有助于設計者更好地理解和利用器件的特性。

四、應用

  1. 直流電動機驅動:由于其高電流和低導通電阻的特性,IRFB3607PBF非常適合用于直流電動機的控制和驅動。它能夠在電動機啟動和運行時提供穩(wěn)定的電流和電壓支持,確保電動機的高效運行。

  2. 電池管理系統(tǒng):在電池供電的應用中,該MOSFET可以用于充放電過程的控制和管理。它能夠精確地控制電池的充電和放電電流,保護電池免受過充和過放的損害,延長電池的使用壽命。

  3. 逆變器:IRFB3607PBF可用于逆變器設計,提供必要的開關功能,以實現(xiàn)AC/DC轉換。在逆變器中,它能夠將直流電轉換為交流電,為各種需要交流電源的設備提供電力支持。

  4. 直流-直流(DC-DC)轉換器:在需要高效率功率轉換的應用中,該MOSFET可以提高轉換效率并減少功率損耗。它能夠在輸入電壓和輸出電壓之間提供穩(wěn)定的電流和電壓轉換,確保電源的穩(wěn)定性和可靠性。

  5. 電動工具:由于其高功率密度和堅固性,IRFB3607PBF適用于電動工具中的電機控制。它能夠在高負載和惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作,為電動工具提供強大的動力支持。

  6. 輕型電動車(LEV):在LEV的牽引電機驅動中,該MOSFET可以提供所需的功率控制。它能夠精確地控制電機的轉速和扭矩輸出,確保LEV的穩(wěn)定性和安全性。

  7. 電源轉換器:具有低導通電阻和高速開關特性,使IRFB3607PBF適用于電源轉換器中的高功率和高頻率應用。它能夠在各種復雜的電源轉換環(huán)境中穩(wěn)定工作,為各種電子設備提供可靠的電力支持。

五、參數(shù)

以下是Infineon IRFB3607PBF MOS管的主要參數(shù):

  • 制造商:Infineon(英飛凌)

  • 產(chǎn)品分類:場效應管(MOSFET)

  • 類型:N溝道MOSFET

  • 封裝形式:TO-220

  • 漏源極擊穿電壓(V(BR)DSS):75V

  • 連續(xù)漏極電流(ID):80A

  • 柵源極閾值電壓(VGS(th)):典型值約2-4V(具體取決于測試條件和溫度)

  • 導通電阻(RDS(on)):典型值7.34mΩ,最大值9.0mΩ(在特定條件下)

  • 漏極-源極二極管正向電壓(VSD):在特定電流下,通常為幾十毫伏至幾百毫伏

  • 柵極-源極漏電流(IGSS):在規(guī)定的柵極電壓下,漏電流非常小,通常在納安級別

  • 工作溫度范圍:通常為-55°C至+150°C(具體取決于封裝和散熱條件)

  • 熱阻(RθJA):從結到環(huán)境的熱阻,具體數(shù)值取決于封裝和散熱條件,一般在62.5°C/W左右

  • 輸入電容(Ciss):柵極與源極、漏極之間的總電容,影響開關速度

  • 輸出電容(Coss):漏極與源極之間的電容,同樣影響開關速度

  • 反向傳輸電容(Crss):柵極與漏極之間的電容,影響MOSFET的穩(wěn)定性

  • 雪崩能量(EAS):MOSFET在雪崩擊穿模式下可以承受的能量,用于評估器件在過電壓條件下的耐用性

  • 雪崩電壓(BVDSS):在雪崩擊穿發(fā)生之前的最大漏源電壓

六、性能優(yōu)化與設計考慮

在使用IRFB3607PBF時,設計者需要考慮幾個關鍵因素以優(yōu)化性能和確保可靠性:

  1. 散熱管理:由于該MOSFET在高電流下會產(chǎn)生顯著的熱量,因此必須采取適當?shù)纳岽胧?,如使用散熱片、風扇或熱管等。確保結溫不超過最大允許值,以防止器件損壞或性能下降。

  2. 柵極驅動:為了充分發(fā)揮IRFB3607PBF的性能,需要提供足夠的柵極驅動電壓和電流。這有助于快速開啟和關閉MOSFET,減少開關時間和開關損耗。此外,合理的柵極電阻選擇也很重要,它可以平衡開關速度和開關損耗之間的關系。

  3. 保護電路:為了防止過電流、過電壓和過熱等異常情況對MOSFET造成損害,需要設計相應的保護電路。例如,可以使用電流限制器、電壓箝位電路和溫度傳感器等來監(jiān)測和控制MOSFET的工作狀態(tài)。

  4. 布局與布線:合理的PCB布局和布線對于減少寄生電感和電容、提高信號完整性和降低噪聲至關重要。在布局時,應盡量減少柵極、漏極和源極之間的耦合,以降低開關噪聲和交叉導通的風險。

  5. 電氣應力:在使用過程中,應避免超過IRFB3607PBF的電氣規(guī)格限制,如最大漏極電壓、最大柵極電壓和最大漏極電流等。此外,還應注意靜電放電(ESD)保護,以防止在制造、測試或組裝過程中損壞MOSFET。

  6. 壽命與可靠性:MOSFET的壽命和可靠性受多種因素影響,包括工作溫度、工作電流、開關頻率、負載條件以及環(huán)境因素等。為了確保器件的長期穩(wěn)定運行,需要綜合考慮這些因素,并采取相應的措施來提高其可靠性和使用壽命。

綜上所述,Infineon IRFB3607PBF是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有高電流承載能力、低導通電阻和高耐壓等優(yōu)點。它廣泛應用于直流電動機驅動、電池管理系統(tǒng)、逆變器、DC-DC轉換器以及電動工具等領域。在使用時,設計者需要注意散熱管理、柵極驅動、保護電路、布局與布線以及電氣應力等因素,以確保器件的性能和可靠性。


責任編輯:David

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