關(guān)于碳化硅二極管（SiC SBD）和SiC MOSFET哪個(gè)更常用的問題，實(shí)際上取決于具體的應(yīng)用場景和需求。兩者都是基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，但各自具有不同的特性和優(yōu)勢(shì)。

SiC MOSFET以其低電容值、高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、高系統(tǒng)效率和快速開關(guān)速度等特點(diǎn)，在電動(dòng)汽車、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)和軌道交通等領(lǐng)域中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。特別是在電動(dòng)汽車中，SiC MOSFET被廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的逆變器，以提高電機(jī)系統(tǒng)的效率和可靠性。此外，SiC MOSFET還適用于高壓直流輸電系統(tǒng)和電力配電，以及工業(yè)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

而SiC二極管（SiC SBD）則以其零反向恢復(fù)電流、電阻正溫度系數(shù)特性、器件性能受溫度影響小、超高開關(guān)速度和超低開關(guān)損耗等特點(diǎn)，在高頻和高效率的應(yīng)用場景中備受青睞。例如，在射頻電路、高速開關(guān)電源和無線通信等領(lǐng)域，SiC SBD能夠提供更好的性能和穩(wěn)定性。此外，SiC SBD還因其良好的溫度穩(wěn)定性和高耐壓特性而被用于高溫和高壓環(huán)境中，如航空航天和軍事電子等領(lǐng)域。

因此，無法一概而論地說哪個(gè)器件更常用。在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)根據(jù)具體需求和場景選擇合適的器件以發(fā)揮其最大優(yōu)勢(shì)。例如，在需要高頻率和高效率的應(yīng)用中，SiC SBD可能更受歡迎；而在需要高耐壓和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用中，SiC MOSFET則可能更具優(yōu)勢(shì)。

總的來說，SiC MOSFET和SiC SBD都是重要的碳化硅功率半導(dǎo)體器件，各自具有獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì)。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用的不斷拓展，它們將在更多領(lǐng)域發(fā)揮更大的作用。