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圣邦微電子SGM2535系列電子保險(xiǎn)絲芯片介紹

來(lái)源:
2024-10-17
類(lèi)別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 8
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

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圣邦微電子SGM2535系列電子保險(xiǎn)絲芯片是一款專(zhuān)為現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計(jì)的高精度、高可靠性電源保護(hù)解決方案。以下是對(duì)該系列芯片的詳細(xì)介紹:

一、產(chǎn)品概述

SGM2535系列電子保險(xiǎn)絲芯片是單通道、高性能的電子保險(xiǎn)絲解決方案,支持SATA?設(shè)備睡眠標(biāo)準(zhǔn)。該系列芯片具有寬電壓范圍(2.7V至18V)的卓越適應(yīng)性,以及低至34mΩ(典型值)的導(dǎo)通電阻和高達(dá)5.3A的最大連續(xù)電流承載能力。

二、主要功能

  1. 反向電流阻斷:內(nèi)部集成背靠背FETs結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)反向電壓的1.8μs快速關(guān)斷響應(yīng),有效防止電路損壞。

  2. 負(fù)載電流指示器輸出:IMON引腳電壓可用于負(fù)載電流監(jiān)控,精度可達(dá)±8%。

  3. 可調(diào)輸出電流限制:輸出限流0.6A至5.3A可調(diào),限流精度±9%。

  4. 可調(diào)輸入欠壓/過(guò)壓保護(hù):內(nèi)置±2.3%精度的過(guò)壓/欠壓閾值,可通過(guò)外部電阻分壓器實(shí)現(xiàn)不同閾值的輸入過(guò)壓/欠壓保護(hù)。

  5. 可調(diào)輸出軟起速率:有效減小輸入浪涌電流,保護(hù)下游大電流敏感器件并抑制輸入端電壓波動(dòng)。

  6. 熱關(guān)斷:當(dāng)輸出長(zhǎng)時(shí)間過(guò)載或短路時(shí),芯片會(huì)進(jìn)行熱關(guān)斷保護(hù),并在異常狀態(tài)移除后恢復(fù)正常工作。

三、應(yīng)用場(chǎng)景

SGM2535系列電子保險(xiǎn)絲芯片適用于SSD驅(qū)動(dòng)器、企業(yè)微服務(wù)器等多種寬范圍供電的電源系統(tǒng)保護(hù)場(chǎng)景。特別是在SSD驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的斷電保護(hù)與數(shù)據(jù)保留場(chǎng)景,SGM2535系列產(chǎn)品可以保證在熱插拔等惡劣場(chǎng)景下,通過(guò)反壓檢測(cè)與欠壓保護(hù)斷開(kāi)下游設(shè)備與前級(jí)總線的連接,避免電容組的額外電荷損失,有助于關(guān)鍵數(shù)據(jù)留存,并減少系統(tǒng)對(duì)電容組容量的需求。

四、產(chǎn)品特點(diǎn)

  1. 高精度:提供高精度的電流限制、電壓保護(hù)和熱關(guān)斷功能。

  2. 高可靠性:內(nèi)部集成多重故障保護(hù)機(jī)制,確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

  3. 環(huán)保封裝:采用符合環(huán)保理念的TQFN-3×4-20L綠色封裝,減小體積并符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的綠色發(fā)展趨勢(shì)。

  4. 寬工作溫度范圍:工作溫度范圍在-40℃至+125℃,確保芯片在各種極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

五、總結(jié)

圣邦微電子SGM2535系列電子保險(xiǎn)絲芯片是一款高性能、高精度、高可靠性的電源保護(hù)解決方案。其豐富的功能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的電源保護(hù)元件。如需更多關(guān)于SGM2535系列電子保險(xiǎn)絲芯片的信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)圣邦微電子的官方網(wǎng)站或聯(lián)系其客服部門(mén)。

  The SGM2535 is a compact and rich power management eFuse power switch with a full range of protection functions. The device has a low power sleep mode in compliance with the SATA device sleep standard. Due to the wide device operating range, numerous basic DC bus voltages can be controlled by SGM2535. Since integrated back-to-back FETs enable bidirectional current regulation, the device is highly suitable for systems whose load side hold-up energy must not flow reversely to the failed power side.

  Many programmed features like load, source, and device safety are included, such as over-current, SS ramp, and over-voltage and under-voltage thresholds. PG, nFAULT, and precise current monitor output are provided by the device for system status monitoring and downstream load control. SSD power management design is simplified by precise programmable under-voltage, over-voltage thresholds and the low IQ device sleep mode.

  SGM2535 monitors VIN and VOUT to provide true reverse current blocking when VIN < VOUT - 10mV. In systems where the backup voltage is higher than the bus voltage, this function enables faster change to a boosted voltage rail.

  The SGM2535 is available in a Green TQFN-3×4-20L package.

  FEATURES

  Wide Input Voltage Range from 2.7V to 18V with Surge up to 20V

  Low On-Resistance: 34mΩ (TYP)

  Adjustable Current Limit from 0.6A to 5.3A (±9%)

  Current Monitor (IMON) Output (±8%)

  Operating IQ: 133μA (TYP)

  Device Sleep Mode IQ: 103μA (TYP)

  Disabled IQ: 3.9μA (TYP)

  ±2.3% Over-Voltage, Under-Voltage Threshold

  Reverse Current Blocking

  1.8μs Reverse Voltage Shut-Off

  Programmable SS Control

  State Indicators: Power Good and Fault

  Options:

  SGM2535A: Auto-Retry (Device Sleep Mode)

  SGM2535AL: Latch-Off (Device Sleep Mode)

  Available in a Green TQFN-3×4-20L Package

  APPLICATIONS

  PCI-E/SATA/SAS HDD and SSD Drives

  Enterprise and Micro Servers

  Smart Load Switch

  Set-Top-Box (STB), DTVs and Game Consoles

  RAID Cards – Hold-up Power Management

  Telecom Switches and Routers

  Adapter Powered Devices

責(zé)任編輯:David

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