在電子電路中，三極管和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）都是常用的半導(dǎo)體器件，但它們的應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)缺點(diǎn)有所不同，因此無(wú)法簡(jiǎn)單地判斷哪個(gè)更常用。

三極管是一種電流控制型器件，具有電流放大作用，適用于模擬電路和放大電路。在低頻、低功率的應(yīng)用中，三極管仍然被廣泛使用。此外，三極管還具有價(jià)格相對(duì)較低、技術(shù)成熟、易于購(gòu)買等優(yōu)點(diǎn)，因此在一些成本敏感的應(yīng)用中也具有競(jìng)爭(zhēng)力。

MOSFET則是一種電壓控制型器件，具有輸入阻抗高、噪聲低、驅(qū)動(dòng)功率小、安全工作區(qū)寬、無(wú)二次擊穿問(wèn)題等顯著優(yōu)點(diǎn)。此外，MOSFET的開(kāi)關(guān)速度快，高頻特性好，適用于高速、高頻和低功耗電路。在數(shù)字電路、開(kāi)關(guān)電源、電源管理、邏輯開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域，MOSFET已成為不可或缺的器件之一。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，MOSFET在集成電路和微處理器中的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛。

因此，三極管和MOSFET各有其優(yōu)點(diǎn)和適用領(lǐng)域。在實(shí)際應(yīng)用中，需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求和電路設(shè)計(jì)要求來(lái)選擇合適的器件。在一些特定的應(yīng)用場(chǎng)景中，兩者可能會(huì)同時(shí)使用，以充分利用它們的優(yōu)點(diǎn)并滿足電路的性能要求。